检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：易翔何国豪朱浩慎秦培车文荃薛泉 510641 广东省广州市天河区五山路381号

本发明公开了毫米波功率放大器、芯片及设备，属于移动通信和雷达探测领域。其中，毫米波功率放大器包括输入正交耦合器、载波放大电路、峰值放大电路和移相输出网络；载波放大电路和峰值放大电路均采用多路功率合成；峰值放大电路具有... 详细信息

标准号: CN118041252A

本发明公开了毫米波功率放大器、芯片及设备，属于移动通信和雷达探测领域。其中，毫米波功率放大器包括输入正交耦合器、载波放大电路、峰值放大电路和移相输出网络；载波放大电路和峰值放大电路均采用多路功率合成；峰值放大电路具有自适应偏置功能，可对输入的射频信号进行功率检测并实时调整工作状态。该毫米波功率放大器将多尔蒂功率放大器架构与自适应偏置电路相结合，能够同时提高回退效率和输出功率，可广泛应用于移动通信和雷达探测领域。

关键词：毫米波功率放大器峰值放大电路载波放大电路雷达探测移动通信多尔蒂功率放大器自适应偏置电路多路功率合成功率检测射频信号实时调整输出功率输出网络输入正交自适应耦合器回退偏置架构芯片应用

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毫米波功率放大器线性化技术

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电子科技 2015年第5期28卷 81-84页

作者：牛海君中国电子科技集团公司第13研究所第5专业部河北石家庄050051

针对毫米波功放的线性化要求,采用反向并联肖特基二极管设计了一种毫米波线性化器,分析了其基本结构和工作原理。利用软件建立模型进行仿真优化,依据仿真数据制作实物并应用于某毫米波频段功放,使得三阶交调指标改善了8 d B以上。结果表... 详细信息

针对毫米波功放的线性化要求,采用反向并联肖特基二极管设计了一种毫米波线性化器,分析了其基本结构和工作原理。利用软件建立模型进行仿真优化,依据仿真数据制作实物并应用于某毫米波频段功放,使得三阶交调指标改善了8 d B以上。结果表明,该线性化器结构简单、易于集成,具有较强的应用价值。

关键词：毫米波功率放大器线性化器三阶交调肖特基二极管

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基于65 nm CMOS工艺的毫米波功率放大器的研究与设计

基于65 nm CMOS工艺的毫米波功率放大器的研究与设计

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作者：张欣怡电子科技大学

学位级别：硕士

随着无线通信技术的快速发展,目前5G通信已得到了广泛的应用。毫米波有着巨大的可用频谱,可以提供极高的数据速率和容量,目前被全球不同国家和地区广泛使用,而这需要宽带或多频段毫米波5G系统来支持国际和跨国漫游。并且目前无线通信系... 详细信息

随着无线通信技术的快速发展,目前5G通信已得到了广泛的应用。毫米波有着巨大的可用频谱,可以提供极高的数据速率和容量,目前被全球不同国家和地区广泛使用,而这需要宽带或多频段毫米波5G系统来支持国际和跨国漫游。并且目前无线通信系统普遍使用高峰均功率比的调制信号,对带宽和传输速率的要求也越来越高。射频功率放大器作为毫米波收发系统中的关键电路,是学术界和工业界目前研究的一大热点。CMOS工艺因其制造成本低、集成度高的优势,已经成为了毫米波电路中的热门选择。为了适应目前具有高动态范围的宽带信号和高效率的多标准无线通信系统,国内外的研究者基于硅基工艺对毫米波电路的设计进行了广泛的研究。本文的主要工作是基于65 nm CMOS工艺对毫米波功率放大器的设计开展研究,设计出高宽带和高输出功率的功率放大器。主要的研究内容下: 1.基于分布式巴伦的毫米波功率合成功率放大器的研究与设计。设计了一款工作在26 GHz～36 GHz频段的功率放大器。对阻抗匹配的基本原理进行了分析,基于耦合线理论设计了两路电流合成的分布式巴伦输出匹配网络,不仅实现了阻抗匹配,还实现了低损耗。基于变压器巴伦理论设计了输入和级间匹配网络,在差分电路间采用电容交叉耦合技术消除米勒效应的影响,提高了电路的增益和增大了稳定性。版图仿真结果表明:两路功率合成功率放大器在30 GHz时的小信号增益为15 d B,P1d B压缩点输出功率为20.4 d Bm,饱和输出功率为22.7 d Bm,P1d B压缩点的输出效率为23.8%,饱和输出效率为31%。 2.基于CMOS工艺的毫米波宽带高效率Doherty功率放大器的设计。设计了一款工作在28 GHz～34 GHz频段的功率放大器。分析了有源负载调制过程,基于耦合线理论研究了适用于毫米波的负载调制网络。使用分布式巴伦对输出匹配网络进行设计,使用耦合线重新设计了有源负载调制网络和输入功率分配网络,节省了版图面积,降低了损耗提高了整体效率。采用交叉耦合技术增大电路增益和稳定性;研究并设计了自适应偏置电路对峰值功放进行控制,提高了回退效率。版图仿真结果表明:在28 GHz频率时,小信号增益为19 d B,饱和输出功率为23 d Bm,回退效率为25%,饱和效率为32.5%;在带宽内,饱和输出功率大于22 d Bm,饱和输出效率均大于24.5%,回退效率大于20%。

关键词： CMOS工艺毫米波功率放大器功率合成分布式巴伦有源负载调制

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基于GaAs pHEMT工艺的毫米波功率放大器研究与设计

基于GaAs pHEMT工艺的毫米波功率放大器研究与设计

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作者：姚润卿安徽大学

学位级别：硕士

砷化镓(GaAs)基赝晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是从高电子迁移率晶体管(HEMT)衍生而来，具有高效能、低噪声的特点。GaAspHEMT因具有高电子迁移率，同时在高频率与大功率应用场景中具有优异表现,成为了毫米波动率放大器设计的首选。　... 详细信息

砷化镓(GaAs)基赝晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)是从高电子迁移率晶体管(HEMT)衍生而来，具有高效能、低噪声的特点。GaAspHEMT因具有高电子迁移率，同时在高频率与大功率应用场景中具有优异表现,成为了毫米波动率放大器设计的首选。　　本研究针对V波段功率放大器输出功率提升进行研究设计，使用了安捷伦公司的高级设计系统(AdvancedDesignSystem,ADS)仿真软件，基于GaAspHEMT工艺设计了一款工作频段位于58-62GHz的毫米波功率放大器。该放大器设计采用了二路三级放大结构，使用了不同栅宽、栅指数的0.15umGaAspHEMT作为输入级、级间级、输出级晶体管。输入级采用2×75umpHEMT,级间级采用4×50umpHEMT,输出级采用4×75umpHEMT，通过级联放大与并联匹配型功率合成网络，有效的提升了放大器在高频工作条件下的增益与输出功率。设计采取了将偏置电路、合成网络与输入、输出匹配电路相结合进行设计这一创新做法，显著的减小了版图面积。各级偏置电路均采用1/4波长线替代传统绕线电感，减小了高频下器件之间的耦合效应，提升了整体性能。在版图布局中根据不同尺寸的pHEMT晶体管模型，采用不同的Mtaper元件使晶体管输出与微带线匹配度更高，减少了信号传输时的反射，取得了提升整体阻抗匹配的效果。　　经过电磁仿真与流片测试，结果显示该放大器在58-62GHz频段内小信号增益S21大于15.6dB。输入回波损耗S11与输出回波损耗S22均在-12dB以下。在关键频点60GHz处1dB压缩点输出功率达到17.5dbm,同时，饱和输出功率达到22dBm。实现了高频率工作条件下高增益、高输出功率。芯片尺寸1.02×1.92mm2,这一紧凑的设计非常适用于高度集成的接收/发射模块，进一步推动了毫米波功率放大器在小型化和集成应用领域的发展，同时，突破了高频波段放大器难以实现高功率输出这一难题。

关键词：毫米波功率放大器赝晶高电子迁移率晶体管并联匹配型功率合成

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毫米波功率放大器

毫米波功率放大器

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作者：李章春陶追宇袁亚坤姜亮 210012 江苏省南京市雨花台区铁心桥街道大周路34号B3幢1501

本实用新型涉及毫米波技术领域，尤其涉及毫米波功率放大器，包括功率放大器、散热器与拆卸机构，所述散热器内侧开设有放置槽，所述拆卸机构设置于放置槽内侧，所述拆卸机构包括：托架，所述托架设置于放置槽内侧，所述放置槽内壁开设... 详细信息

标准号: CN217607781U

本实用新型涉及毫米波技术领域，尤其涉及毫米波功率放大器，包括功率放大器、散热器与拆卸机构，所述散热器内侧开设有放置槽，所述拆卸机构设置于放置槽内侧，所述拆卸机构包括：托架，所述托架设置于放置槽内侧，所述放置槽内壁开设有滑槽，所述滑槽内侧设置有卡块，所述卡块表面套设有弹簧，所述托架表面开设有限位槽，所述托架内侧设置有风扇，所述风扇表面开设有卡槽，所述卡块一端贯穿滑槽与限位槽并处于卡槽内侧；通过设置了拆卸机构，在清理风扇灰尘时，风扇可以被拆下清洗，提高散热效果，安装拆卸操作简单，提高工作效率。

关键词：拆卸机构放置槽风扇滑槽卡块散热器卡槽托架毫米波功率放大器本实用新型功率放大器毫米波技术风扇表面工作效率散热效果托架表面限位槽拆下弹簧内壁位槽拆卸清洗架设贯穿

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毫米波功率放大器

毫米波功率放大器

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作者： S·林 Y·丁 C-W·李美国加利福尼亚州

公开了一种毫米波功率放大器。在示例性实施例中，MM波功率放大器(300)包括耦合在一起以接收MM波输入信号并产生经放大的MM波输出信号的多个放大器级(302、304、306、308)，以及跨各放大器级(302、304、306、308)耦合的一个或多个反馈元... 详细信息

标准号: CN103999359B

公开了一种毫米波功率放大器。在示例性实施例中，MM波功率放大器(300)包括耦合在一起以接收MM波输入信号并产生经放大的MM波输出信号的多个放大器级(302、304、306、308)，以及跨各放大器级(302、304、306、308)耦合的一个或多个反馈元件(310、312)，每一反馈元件(310、312)跨奇数个放大器级(302、304、306、308)耦合以增加功率放大器(300)的工作带宽。

关键词：放大器级耦合功率放大器反馈元件毫米波功率放大器奇数工作带宽输出信号输入信号示例性一种放大接收公开产生

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毫米波功率放大器电路

毫米波功率放大器电路

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作者：李苗 710065 陕西省西安市高新区高新路86号领先时代广场(B座)第2幢1单元22层12202号房51号

本发明公开了一种毫米波功率放大器电路，包括：处理模块，用于接收射频信号，将射频信号处理成两路信号，其中一路信号为放大路信号，另一路信号为检测路信号；控制模块，用于将检测路信号中的至少一个特征量生成调节控制信号，调节控... 详细信息

标准号: CN112491374A

本发明公开了一种毫米波功率放大器电路，包括：处理模块，用于接收射频信号，将射频信号处理成两路信号，其中一路信号为放大路信号，另一路信号为检测路信号；控制模块，用于将检测路信号中的至少一个特征量生成调节控制信号，调节控制信号用于调节放大路信号到达调节模块的时间；调节模块，用于对放大路信号中的至少一个特征量进行调整；延时模块，用于延后放大路信号的输出时间；开关模块，用于接收放大路信号包括耦合电感电路以及晶体管控制电路；功率放大模块组，用于对放大路信号进行功率放大；输出模块组，用于输出放大后的信号。本发明提供的毫米波功率放大器电路能够满足适用范围广且低插入损耗、高隔离度。

关键词：放大毫米波功率放大器控制信号一路信号电路晶体管控制电路功率放大模块接收射频信号射频信号处理耦合电感电路特征量生成插入损耗处理模块高隔离度功率放大开关模块控制模块两路信号输出放大输出模块信号到达延时模块特征量检测输出

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一种宽带高增益平坦度射频/毫米波功率放大器

一种宽带高增益平坦度射频/毫米波功率放大器

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作者：桂小琰郭宽田袁刚耿莉 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

本发明公开了一种宽带高增益平坦度射频/毫米波功率放大器，功率放大器为三级架构，包括依次连接的第一级stage1电路、第二级stage2电路和输出级stage3电路，第一级stage1电路的频率响应为带内单调递增设置，包括晶体管M1和晶体管M2构... 详细信息

标准号: CN112104330A

本发明公开了一种宽带高增益平坦度射频/毫米波功率放大器，功率放大器为三级架构，包括依次连接的第一级stage1电路、第二级stage2电路和输出级stage3电路，第一级stage1电路的频率响应为带内单调递增设置，包括晶体管M₁和晶体管M₂构成的电流复用共源级；第二级stage2电路包括晶体管M₃构成的共源级，输出级stage3电路包括晶体管M₄构成的共源级，第二级stage2电路和输出级stage3电路的频率响应为带内单调递减设置。本发明采用多级调谐技术，通过栅级电感尖峰技术增加了高频增益，具有更好的带内增益平坦度且避免了引入反馈环路所导致的增益损失。

关键词：电路晶体管共源级输出级频率响应第一级毫米波功率放大器电感调谐功率放大器增益平坦度单调递减单调递增电流复用反馈环路高频增益三级架构依次连接尖峰高增益平坦度宽带射频栅级引入

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一种毫米波功率放大器

一种毫米波功率放大器

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作者：万晶梁晓新 215347 江苏省苏州市昆山市苇城南路1699号工研院综合大楼7层

本申请公开了一种毫米波功率放大器，包括信号输入端，信号输出端，功率匹配单元，功率分配合成匹配单元和集成放大单元，功率匹配单元包括输出匹配单元，输出匹配单元包括第一金属层和包括串联传输线的第二金属层，第一金属层的表面蚀... 详细信息

标准号: CN110277964B

本申请公开了一种毫米波功率放大器，包括信号输入端，信号输出端，功率匹配单元，功率分配合成匹配单元和集成放大单元，功率匹配单元包括输出匹配单元，输出匹配单元包括第一金属层和包括串联传输线的第二金属层，第一金属层的表面蚀刻有第一U型槽、第二U型槽和第三U型槽；第二U型槽与第三U型槽位于第一U型槽内部，第一U型槽的开口分别与第二U型槽、第三U型槽的开口相对，第一U型槽的两个侧边分别与第二U型槽、第三U型槽的一个侧边相接。本申请中的输出匹配单元上的第一U型槽、第二U型槽和第三U型槽的蚀刻结构工作时可抑制谐波，能提升毫米波功率放大器的效率，由于本申请不增加电路尺寸，而且线路简单，具有较高的商业价值。

关键词：输出匹配单元毫米波功率放大器第一金属层功率匹配侧边传输线申请功率分配合成第二金属层信号输出端信号输入端蚀刻表面蚀刻放大单元开口相对匹配单元谐波串联电路开口

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一种毫米波功率放大器芯片谐波抑制技术方法及装置

一种毫米波功率放大器芯片谐波抑制技术方法及装置

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作者：万晶梁晓新 215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇祖冲之南路1699号综合楼北楼910-911室

本发明涉及一种毫米波功率放大器芯片谐波抑制技术方法及装置。属于毫米波通信技术领域。包括信号输入端，输入匹配单元，功率管芯单元，级间匹配单元，输出匹配单元，其特征在于所述的输出匹配单元和信号输出端之间设置谐波抑制单元；... 详细信息

标准号: CN112468096B

本发明涉及一种毫米波功率放大器芯片谐波抑制技术方法及装置。属于毫米波通信技术领域。包括信号输入端，输入匹配单元，功率管芯单元，级间匹配单元，输出匹配单元，其特征在于所述的输出匹配单元和信号输出端之间设置谐波抑制单元；所述谐波抑制单元刻蚀在输出末端传输线上，所述谐波抑制单元由1个、2个或3个谐波抑制子单元组成；当谐波抑制子单元为1个时，谐波抑制点为单频点，当谐波抑制子单元为2个时，谐波抑制点为双频点，当谐波抑制子单元为3个时，谐波抑制点为三频点，可抑制的谐波频带逐级展宽。其工作时可同时抑制二次三次谐波，能提升毫米波功率放大器的效率，由于本方案不增加电路尺寸，而且线路简单，具有较高的商业价值。

关键词：谐波抑制子单元谐波抑制单元毫米波功率放大器输出匹配单元输入匹配单元谐波抑制技术传输线毫米波通信信号输出端信号输入端功率管芯匹配单元三次谐波输出末端谐波频带单频点刻蚀频点双频电路芯片

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