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  • 1 篇 工学
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主题

  • 1 篇 漂移区
  • 1 篇 氧化柱体硅
  • 1 篇 击穿电压
  • 1 篇 电场分布
  • 1 篇 横向双扩散金属氧...

机构

  • 1 篇 南京邮电大学

作者

  • 1 篇 黄示
  • 1 篇 郭宇锋
  • 1 篇 姚佳飞
  • 1 篇 徐光明

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=氧化柱体硅"
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漂移区部分氧化柱体硅LDMOS
漂移区部分氧化柱体硅LDMOS
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中国电子学会电路与系统学会第二十四届年会
作者: 黄示 郭宇锋 姚佳飞 徐光明 南京邮电大学 电子科学与工程学院 南京 210003
本文提出了一种漂移区部分氧化柱体硅LDMOS.此结构将N型漂移区用N型柱和氧化柱相互交替来代替,利用氧化柱对漂移区电场的调制作用改善电场分布,从而提高器件击穿电压.三维器件仿真软件Davinci仿真结果表明在漂移区厚度为0.5μm时,该... 详细信息
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