检索结果-内蒙古大学图书馆

化学学报 1998年第2期56卷 160-165页

作者：侯文华王南平郭灿雄马军颜其洁傅献彩陈静南京大学化学系亚微观固态化学研究所南京210093 南京化工大学应用化学系南京210009

通过先将K_(0.8)Fe_(0.8)Ti_(1.2)O_4与n-C_6H_(13)NH_3Cl反应得到正己铵离子柱撑的层状铁钛酸盐,然后再与NH_2(CH_2)_3Si(OC_2H_5)_3反应,最后将所得产物在空气中焙烧可得到氧化硅柱层状铁钛酸盐.采用XRD,IR,TG/DTA,M(?)ssbauer谱,X荧光分析以及比表面和孔径大小分布测定等手段对所得新材料进行了表征.结果表明:所得二个氧化硅柱层状铁钛酸盐均具有较高的热稳定性(>650℃)和比表面(98.0m^2/g和163.8m^2/g),平均孔径为1.82nm和1.90nm.

关键词：层状铁钛酸盐氧化硅柱撑

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氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆的制备(英文)

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新型炭材料 2013年第1期28卷 8-13页

作者：张艳丽侯鹏翔刘畅中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室辽宁沈阳110016

采用氢电弧放电法直接制备了无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管同轴纳米电缆。纳米电缆的长度为几微米到数十微米,直径约为10～30 nm。纳米电缆的外包覆层为无定形氧化硅,每根电缆的芯部包含1根到几根单壁碳纳米管。单壁碳纳米管具有较高的... 详细信息

采用氢电弧放电法直接制备了无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管同轴纳米电缆。纳米电缆的长度为几微米到数十微米,直径约为10～30 nm。纳米电缆的外包覆层为无定形氧化硅,每根电缆的芯部包含1根到几根单壁碳纳米管。单壁碳纳米管具有较高的结晶度,其直径主要集中在2.2 nm和1.8 nm。基于实验研究结果,提出了一种纳米电缆的生长机制。所制备的无定形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆可望用于场效应晶体管等纳电子器件的构建。

关键词：同轴纳米电缆单壁碳纳米管氧化硅电弧放电

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氧化硅对金红石相纳米TiO_2微结构的影响

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无机化学学报 2003年第12期19卷 1311-1316页

作者：姚超吴凤芹林西平汪信南京理工大学化工学院南京210094 江苏工业学院化工系常州213016

通过硅酸钠水解生成的无定形氧化硅对金红石相纳米TiO2进行修饰,利用红外光谱、紫外-可见漫反射光谱、X射线衍射、透射电镜和比表面仪对纳米TiO2进行了表征。结果表明,氧化硅沉积在纳米TiO2的表面和颗粒之间形成一个空间网络体系,有效... 详细信息

通过硅酸钠水解生成的无定形氧化硅对金红石相纳米TiO2进行修饰,利用红外光谱、紫外-可见漫反射光谱、X射线衍射、透射电镜和比表面仪对纳米TiO2进行了表征。结果表明,氧化硅沉积在纳米TiO2的表面和颗粒之间形成一个空间网络体系,有效地抑制了TiO2晶粒尺寸和原始粒径的长大。当热处理温度低于700℃时,经氧化硅处理的纳米TiO2的晶粒尺寸、原始粒径和比表面积几乎不变;当热处理温度高于700℃时,经氧化硅处理的纳米TiO2的晶粒尺寸和原始粒径开始缓慢变大,比表面积快速下降,在900℃下煅烧2h,经氧化硅处理的纳米TiO2原始粒径仍为20～40nm。氧化硅的存在使纳米TiO2吸收紫外线的能力增强并使其平均孔径变小。

关键词：氧化硅金红石纳米TiO2 微结构晶粒尺寸氧化钛原始粒径比表面积孔径光催化剂

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氧化硅内核结构对核/壳包覆型SiO_2/CeO_2复合颗粒抛光性能的影响

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材料研究学报 2017年第6期31卷 429-436页

作者：陈爱莲李泽锋陈杨常州大学机械工程学院常州213164 常州大学材料科学与工程学院常州213164

设计合成了以具有放射状介孔孔道(孔径约2.6 nm)的介孔氧化硅(mSiO_2)微球(粒径约300 nm)为内核、以CeO_2纳米颗粒为包覆层(壳厚为15~20 nm)的m SiO_2/CeO_2复合颗粒(粒径在330~340 nm),使用场发射扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、傅里... 详细信息

设计合成了以具有放射状介孔孔道(孔径约2.6 nm)的介孔氧化硅(mSiO_2)微球(粒径约300 nm)为内核、以CeO_2纳米颗粒为包覆层(壳厚为15~20 nm)的m SiO_2/CeO_2复合颗粒(粒径在330~340 nm),使用场发射扫描电镜、透射电镜、X射线衍射、傅里叶转换红外光谱和氮气吸脱附等手段表征了样品的结构。结果表明,使用以实心氧化硅(sSiO_2)为内核的sSiO_2/CeO_2复合颗粒抛光的热氧化硅片其表面粗糙度均方根值(Root-mean-square roughness,RMS)为0.309 nm,材料的去除率(Material removal rate,MRR)为24 nm/min)。mSiO_2/CeO_2复合颗粒有利于得到更低的氧化硅片抛光表面粗糙度(RMS=0.267 nm)和更高的抛光速率(MRR=45 nm/min),且能避免出现划痕等机械损伤。SiO_2/CeO_2复合颗粒中的氧化硅内核结构,对其抛光特性有明显的影响。

关键词：无机非金属材料氧化硅氧化铈核壳结构复合颗粒抛光

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氧化硅掺杂对硫酸化氧化锆酸性中心浓度和强度的提高

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催化学报 2007年第7期28卷 622-626页

作者： S. Tajammul HUSSAIN Muhammad MAZHAR Sheraz GUL 真纳大学化学系

用氧化硅掺杂硫酸化氧化锆可以增强硫酸化氧化锆的酸性. 以413～453 K下甲醇液相脱水为模型反应考察了改进催化剂的性能. 结果表明,在掺杂和未掺杂氧化硅的硫酸化氧化锆催化剂上甲醇均相继脱水生成二甲醚和乙烯. 在掺杂了氧化硅的催化... 详细信息

用氧化硅掺杂硫酸化氧化锆可以增强硫酸化氧化锆的酸性. 以413～453 K下甲醇液相脱水为模型反应考察了改进催化剂的性能. 结果表明,在掺杂和未掺杂氧化硅的硫酸化氧化锆催化剂上甲醇均相继脱水生成二甲醚和乙烯. 在掺杂了氧化硅的催化剂上还有一定量的丙烯生成,而未掺杂氧化硅的催化剂上则没有丙烯生成.

关键词：硫酸化氧化锆氧化硅甲醇脱水二甲醚乙烯丙烯

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氧化硅组装纳米Nafion酸催化合成α-生育酚

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化学学报 2003年第10期61卷 1667-1670页

作者：王海徐柏庆清华大学化学系一碳化学与化工国家重点实验室北京100084

以自制的Nafion溶液、正硅酸乙酯为原料 ,通过溶胶 -凝胶方法 ,将Nafion纳米颗粒分散组装到多孔性SiO2 中 ,制得高比表面积纳米复合物Nafion/SiO2 固体酸催化剂 ,大大提高了Nafion所含酸性中心 (即磺酸基 )的暴露率和可接近程度 .在非... 详细信息

以自制的Nafion溶液、正硅酸乙酯为原料 ,通过溶胶 -凝胶方法 ,将Nafion纳米颗粒分散组装到多孔性SiO2 中 ,制得高比表面积纳米复合物Nafion/SiO2 固体酸催化剂 ,大大提高了Nafion所含酸性中心 (即磺酸基 )的暴露率和可接近程度 .在非极性溶剂正庚烷和甲苯中 ,13 %Nafion/SiO2 固体酸对α 生育酚的合成具有很好的选择催化作用 (产率超过 90 % ) .相对于致密性Nafion树脂而言 ,13 %Nafion/SiO2 纳米复合物单位酸中心的催化活性增加了

关键词：氧化硅组装纳米Nafion酸催化合成 α-生育酚异植醇三甲基氢醌

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(Si,Er)双注入热氧化硅的光致发光

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光谱学与光谱分析 2002年第4期22卷 538-541页

作者：肖志松徐飞张通和程国安顾岚岚北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室北京师范大学低能核物理研究所北京市辐射中心北京100875 南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 ... 详细信息

采用强流金属蒸汽真空弧 (MEVVA)离子源注入机 ,先将Si大束流注入热氧化SiO2 /单晶硅 ,直接形成镶嵌在SiO2 中的纳米晶Si,再小束流注入Er。Er离子在掺杂层中的浓度可达 10 2 1 cm-3 量级 ,大大地提高了作为孤立发光中心的Er3 +浓度。在 77K和室温下 ,观察到了Er3 +的 1 54

关键词：氧化硅离子注入纳米硅铒光致发光半导体材料掺杂稀土

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Ti(IV)在介孔氧化硅MCM-41中的液相移植

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无机材料学报 2001年第1期16卷 87-92页

作者：张文华施剑林陈航榕闫继娜华子乐严东生中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室上海200050

以钛酸丁酯为原料，通过液相移植反应，在介孔氧化硅ＭＣＭ－４１中成功地组装了Ｔｉ（ＩＶ），利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＥＤＳ、ＦＴ－ＩＲ、Ｎ２吸附－脱附、２９ＳｉＭＡＳＮＭＲ等多种实验方法对材料进行了表征，并讨论了液相移植反... 详细信息

以钛酸丁酯为原料，通过液相移植反应，在介孔氧化硅ＭＣＭ－４１中成功地组装了Ｔｉ（ＩＶ），利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＥＤＳ、ＦＴ－ＩＲ、Ｎ２吸附－脱附、２９ＳｉＭＡＳＮＭＲ等多种实验方法对材料进行了表征，并讨论了液相移植反应的机理．实验表明，通过与介孔材料骨架表面Ｑ３硅原子中的硅醇键（Ｓｉ－ＯＨ）的反应而形成钛－氧－硅（Ｔｉ－Ｏ－Ｓｉ）键，Ｔｉ（ＩＶ）被成功地固定到介孔材料的骨架上面；９５０～９６０ｃｍ－１红外共振吸收的加强是Ｓｉ－Ｏ－Ｔｉ键形成的标志．

关键词：介孔材料钛液相移植钛酸丁酯氧化硅

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液固相水热法制备氧化硅纳米线

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高等学校化学学报 2008年第12期29卷 2511-2515页

作者：米刚陈平任楠张亚红唐颐复旦大学化学系上海市分子催化和功能材料重点实验室上海先进材料实验室上海200433

利用液固相水热反应方法,以硅溶胶为硅源,在三价铁辅助下与乙二胺的水溶液在180℃反应4d后生成具有P21212空间群结构的单晶氧化硅纳米线.用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和多晶X射线衍射对制备的样品进行了表征,系统研究了有机胺、金... 详细信息

利用液固相水热反应方法,以硅溶胶为硅源,在三价铁辅助下与乙二胺的水溶液在180℃反应4d后生成具有P21212空间群结构的单晶氧化硅纳米线.用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和多晶X射线衍射对制备的样品进行了表征,系统研究了有机胺、金属盐、反应时间及反应温度等条件对氧化硅纳米线生长的影响.结果表明,随着有机胺碳链的增长,产物形貌逐渐由纳米线转变为纳米片;金属阳离子的存在对纳米线形貌有较大的影响,而阴离子的存在并不影响纳米线的生成;过低的铁含量导致反应进行不完全,而过多的铁盐加入则会导致反应中剩余铁氧化物吸附到氧化硅纳米线表面,进而影响到产物纯度;反应时间延长及反应温度的提高都有利于氧化硅纳米线的生长.最佳反应条件为:有机胺为乙二胺,硝酸铁为铁源,硅溶胶为硅源,硅/铁摩尔比为1∶0.4,乙二胺与水的体积比为8∶5,温度为180℃.

关键词：氧化硅纳米线水热合成乙二胺

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二氧化钛表面包覆氧化硅纳米膜的热力学研究

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高等学校化学学报 2001年第9期22卷 1543-1545页

作者：崔爱莉王亭杰金涌孙牧清华大学化学系清华大学化工系北京100084 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室北京100080

热力学计算结果表明 ,氧化硅的临界成核半径为 2 .8nm.由起伏引起的核胚如果小于 2 .8nm则不会形成晶核而继续生长 .上述热力学分析虽然是半理想化的 ,但是非常有效 .可以找到这样一个体系 ,其溶液条件不发生均匀成核 ,而是异相表面成核 .

关键词：二氧化钛氧化硅热力学表面包覆纳米膜表面处理钛白粉

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