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一种干法刻蚀氮化硼薄膜的方法
一种干法刻蚀氮化硼薄膜的方法
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作者： 吴天如 215300 江苏省苏州市昆山开发区春旭路168号帝宝金融大厦2105-23室
本发明涉及一种干法刻蚀氮化硼薄膜的方法，利用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术，引入CHF3，CF4，O2这一刻蚀剂体系，通过流量变化、ICP源功率、RF偏压功率的调控，实现氮化硼薄膜的可控刻蚀。与湿法刻蚀相比较，改方法具有很多优点... 详细信息
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一种磁控溅射制备高质量六方氮化硼薄膜及其晶相调制方法
一种磁控溅射制备高质量六方氮化硼薄膜及其晶相调制方法
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作者： 崔福彬 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼
本发明公开了一种磁控溅射制备高质量六方氮化硼薄膜及其晶相调制方法。铜镍衬底上制得的氮化硼为多层氮化硼薄膜，且氮化硼取向高度一致，同向率最高达到87.79％，并且认为通过此方法可以进一步制得完全取向一致的多层单晶氮化硼薄膜... 详细信息
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一种均质氮化硼薄膜及高效制备氮化硼薄膜的方法
一种均质氮化硼薄膜及高效制备氮化硼薄膜的方法
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作者： 李爱军 海维斌 彭雨晴 江文倩 贺杜炜 王启帆 200444 上海市宝山区上大路99号
本公开涉及一种均质氮化硼薄膜及高效制备氮化硼薄膜的方法，包括：在反应炉的恒温区配置沉积腔室，所述沉积腔室小于反应炉内腔；所述沉积腔室管路连接气相前驱体氮源、气相前驱体硼源、载气源及稀释气源，在所述沉积腔室中，两种气相... 详细信息
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一种制备具有铁电性的AB堆垛的多层氮化硼薄膜的方法
一种制备具有铁电性的AB堆垛的多层氮化硼薄膜的方法
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作者： 万能 施辉 王明渊 田明 束俊鹏 陈若望 211102 江苏省南京市江宁区东南大学路2号
本发明公开了一种通过化学气相沉积法制备具有铁电性的AB/ABC堆垛的多层氮化硼薄膜的方法，通过磁控溅射制备出（111）晶面的镍单晶薄膜，再沉积一层铁，获得（111）晶面的铁镍合金薄膜；将该薄膜作为催化衬底，置于石英舟中，放在管式... 详细信息
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一种基于氮化硼薄膜的锌离子电池负极材料及其制备方法
一种基于氮化硼薄膜的锌离子电池负极材料及其制备方法
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作者： 贾浩 付少海 仇明慧 刘洪岐 214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
本发明公开了一种基于氮化硼薄膜的锌离子电池负极材料及其制备方法，属于锌离子电池技术领域。本发明通过工业级喷涂技术在锌箔表面构建一层氮化硼或磺酸基修饰的氮化硼纳米片薄膜，利用氮化硼纳米片良好的机械韧性、优异的化学惰性以... 详细信息
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一种化学气相沉积制备氮化硼薄膜的方法
一种化学气相沉积制备氮化硼薄膜的方法
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作者： 姚运喜 陈均 冯博民 焦健 杨金华 杨轶飞 郝亚伟 621700 四川省绵阳市江油市华丰新村9号
本发明属于氮化硼薄膜制备技术领域，具体涉及一种化学气相沉积制备氮化硼薄膜的方法。本发明提供的方法：在流动的载气的保护中，将含氮硼前驱体加热进行预处理，将衬底加热，将预处理含氮硼前驱体加热分解，在预热半导体衬底表面生长... 详细信息
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基于硼合金氮化反应的氮化硼原位制备方法及氮化硼薄膜
基于硼合金氮化反应的氮化硼原位制备方法及氮化硼薄膜
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作者： 魏伟 215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号
本申请公开了一种基于硼合金氮化反应的氮化硼原位制备方法及氮化硼薄膜，方法包括控制基底与硼源反应以在所述基底表面形成硼合金，所述基底为金属单晶；控制所述基底表面的硼合金与氮气反应，以在所述基底表面原位生长氮化硼薄膜。本... 详细信息
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一种氮化硼薄膜压延成型的制备方法
一种氮化硼薄膜压延成型的制备方法
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作者： 范维仁 陈国荣 赖佛阳 丘陵 成会明 528200 广东省佛山市南海区大沥镇盐步穗盐路河西路段92号-203号房
本发明公开了一种氮化硼薄膜压延成型的制备方法，使用PET离型膜覆盖在氮化硼流延膜上，然后使用压延机将氮化硼流延膜材进行压缩处理，将氮化硼流延膜膜转移至上层PET离型膜处，排出氮化硼流延膜在流延过程中的因树脂固化成型所密封在... 详细信息
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一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用
一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用
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作者： 胡平安 张欣 苏震 田雨晴 杨红影 杜星颖 刘俊磊 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用。本发明属于二维薄膜材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法获得的氮化硼薄膜尺寸仅能达到微米级以及生长取向不一致的技术问题。本发明采用CVD工艺，将液态生长衬底... 详细信息
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一种促进LED散热的PCB-氮化硼薄膜复合结构
一种促进LED散热的PCB-氮化硼薄膜复合结构
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作者： 王双钰 李宇波 杨杭生 汪小知 董梁 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
本发明公开了一种促进LED散热的PCB‑氮化硼薄膜复合结构。本发明在PCB板上沉积制备一层定制形状的六方氮化硼薄膜，六方氮化硼薄膜上固定有n个并联或串联的LED芯片，LED芯片的两个电极与引出线相连，通过引出线连接到PCB板上的LED供电... 详细信息
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