检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：邢琨梁华国欧阳一鸣 230009 安徽省合肥市包河区屯溪路193号

本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化... 详细信息

标准号: CN106952988B

本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上，所述脉冲供应高温氮化铝层镀在所述高温氮化铝多孔层上，高温氮化铝成核层的厚度为15nm，高温氮化铝多孔层的厚度为100nm，脉冲供应高温氮化铝层的厚度为80nm。本发明提供了一种新型复合氮化铝缓冲层，使得利用MOCVD方法制备高晶体质量的氮化镓材料，进而大幅提升LED的发光效率。

关键词：高温氮化铝成核层高温氮化铝多孔层高温氮化铝层脉冲供应复合缓冲层氮化铝制备氮化镓基半导体器件氮化铝缓冲层氮化镓材料蓝宝石发光效率高晶体衬底复合

学校读者我要写书评

暂无评论

作者：林科闯房育涛刘波亭毛张文李健张恺玄杨健 361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

本申请提供一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，该氮化镓基半导体器件包括衬底、基于衬底一侧形成的氮化物半导体层以及基于氮化物半导体层远离衬底一侧形成的复合势垒层。其中，该复合势垒层包括至少两组层叠设置的超晶格势垒层，每... 详细信息

标准号: CN110600547B

本申请提供一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，该氮化镓基半导体器件包括衬底、基于衬底一侧形成的氮化物半导体层以及基于氮化物半导体层远离衬底一侧形成的复合势垒层。其中，该复合势垒层包括至少两组层叠设置的超晶格势垒层，每组超晶格势垒层包括层叠设置的第一势垒层和第二势垒层，该第一势垒层中的Al组分含量高于第二势垒层中的Al组分含量。如此，通过较高Al组分含量的第一势垒层保证沟道的二维电子气浓度，以改善器件导通特性，并利用较低Al组分含量的第二势垒层降低超晶格势垒层的等效压电极化系数，从而减小器件高压下的逆压电形变，以提高器件的可靠性。

关键词：势垒层超晶格衬底氮化镓基半导体器件氮化物半导体层层叠设置复合势垒二维电子气导通特性压电极化逆压电形变沟道减小两组申请制作保证

学校读者我要写书评

暂无评论

作者：蔡文必孙希国刘胜厚 361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。该氮化镓基半导体器件包括衬底、依次形成于衬底上的氮化镓基外延层和介质层。其中，介质层上形成有沉积孔，沉积孔内填充有正面金属层，衬底上形成有背面通孔，背面通孔... 详细信息

标准号: CN111883590A

一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。该氮化镓基半导体器件包括衬底、依次形成于衬底上的氮化镓基外延层和介质层。其中，介质层上形成有沉积孔，沉积孔内填充有正面金属层，衬底上形成有背面通孔，背面通孔贯穿氮化镓基外延层；衬底远离氮化镓基外延层的一侧及背面通孔内沉积有背面金属层，背面通孔内的背面金属分别与正面金属层和介质层接触连接。该氮化镓基半导体器件能够改善背面金属的粘附性，从而提高器件的可靠性。

关键词：背面氮化镓基半导体器件衬底通孔氮化镓基外延层介质层沉积正面金属层半导体器件技术金属背面金属层接触连接粘附性填充贯穿制作

学校读者我要写书评

暂无评论

作者：李尚俊 519000 广东省珠海市唐家湾镇港湾大道科技一路10号主楼第六层617房B单元

本发明提供一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，氮化镓基半导体器件包括基板，于所述基板上生长的缓冲层，于所述缓冲层上生长的非有意掺杂氮化镓层，于所述非有意掺杂氮化镓层上生长的通道层，于所述通道层上生长的扩散停止层，于所... 详细信息

标准号: CN107611174B

本发明提供一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，氮化镓基半导体器件包括基板，于所述基板上生长的缓冲层，于所述缓冲层上生长的非有意掺杂氮化镓层，于所述非有意掺杂氮化镓层上生长的通道层，于所述通道层上生长的扩散停止层，于所述扩散停止层上生长的P型掺杂氮化镓帽层。所述扩散停止层用来阻止所述P型掺杂氮化镓帽层中的掺杂物向所述通道层移动，从而保证所述P型掺杂氮化镓帽层中掺杂物的浓度，达到维持氮化镓基半导体器件的增强特性有效。

关键词：氮化镓基半导体器件氮化镓帽层扩散停止层生长通道层掺杂氮化镓层掺杂物缓冲层基板移动制作保证

学校读者我要写书评

暂无评论

一种纵向型氮化镓基半导体器件及制造方法

一种纵向型氮化镓基半导体器件及制造方法

作者：欧阳伟伦梁安杰罗文健中国香港新界沙田火炭坳背湾街2-12号威力工业中心10楼X室

一种纵向型氮化镓基半导体器件及制造方法，所述器件，包括，氮化镓衬底、氮化镓外延层，其中，沟槽底介质层下形成有N型区，正向导通时，电子从源极流经反形层、积累层、沟槽底所述N型区，然后垂直地经N型外延层至底部漏区金属电极。... 详细信息

标准号: CN106952957B

一种纵向型氮化镓基半导体器件及制造方法，所述器件，包括，氮化镓衬底、氮化镓外延层，其中，沟槽底介质层下形成有N型区，正向导通时，电子从源极流经反形层、积累层、沟槽底所述N型区，然后垂直地经N型外延层至底部漏区金属电极。该方法包括，在氮化镓衬底上依次生长GaN外延层、P_—GaN外延层、N+_—GaN外延层；对所述P_—GaN外延层进行刻蚀，形成沟槽；注入N型掺杂剂，使P型区转为N型区；形成栅介质层，并在栅极开空中形成栅极金属；形成层间介质，并在层间介质中形成接触孔掩模开孔；形成发射区金属垫层和终端区场板。本发明的纵向型半导体器件，减少了器件尺寸和制造成本，具有良好的高频、高功率、耐高温以及抗辐射性能，具有更好的性价比。

关键词：氮化镓衬底氮化镓基半导体器件纵向型半导体器件氮化镓外延层接触孔掩模层间介质金属垫层金属电极栅极金属栅介质层正向导通制造成本垂直地发射区高功率积累层介质层抗辐射耐高温终端区场板开孔刻蚀漏区形层源极生长制造

学校读者我要写书评

暂无评论

作者：林科闯房育涛刘波亭毛张文李健张恺玄杨健 361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

标准号: CN110600547A

关键词：势垒层超晶格衬底氮化镓基半导体器件氮化物半导体层层叠设置复合势垒二维电子气导通特性压电极化逆压电形变沟道减小两组申请制作保证

学校读者我要写书评

暂无评论

作者：李尚俊 519000 广东省珠海市唐家湾镇港湾大道科技一路10号主楼第六层617房B单元

标准号: CN107611174A

关键词：氮化镓基半导体器件氮化镓帽层扩散停止层生长通道层掺杂氮化镓层掺杂物缓冲层基板移动制作保证

学校读者我要写书评

暂无评论

氮化镓基半导体器件及其制造方法

氮化镓基半导体器件及其制造方法

作者：卓泳助金在均金峻渊李在垣崔孝枝韩国京畿道

本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及其制造方法。所述氮化镓基半导体器件包括同时掺杂有相对较高浓度的硼（B）和锗（Ge）的硅基衬底、所述硅基衬底上的缓冲层、以及所述缓冲层上的氮化物叠层。硼（B）和锗（Ge）的掺杂浓度可以大于1... 详细信息

标准号: CN103489896B

本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及其制造方法。所述氮化镓基半导体器件包括同时掺杂有相对较高浓度的硼（B）和锗（Ge）的硅基衬底、所述硅基衬底上的缓冲层、以及所述缓冲层上的氮化物叠层。硼（B）和锗（Ge）的掺杂浓度可以大于1×10¹⁹/cm³。

关键词：氮化镓基半导体器件硅基衬缓冲层掺杂氮化物叠层制造

具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法

学校读者我要写书评

暂无评论

具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法

作者：张峰池田昌夫周坤刘建平张书明李德尧张立群杨辉 215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

本发明公开了一种具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法。该器件包含多量子阱结构，所述多量子阱结构包含交替生长的复数铟镓氮层，并且在所述多量子阱结构中不同量子垒层中的平均铟含量由P型侧向N型侧逐渐降低，而至少... 详细信息

标准号: CN105990477B

本发明公开了一种具有复合渐变量子垒结构的氮化镓基半导体器件及其制法。该器件包含多量子阱结构，所述多量子阱结构包含交替生长的复数铟镓氮层，并且在所述多量子阱结构中不同量子垒层中的平均铟含量由P型侧向N型侧逐渐降低，而至少一量子垒层中的铟含量由P型侧向N型侧逐渐升高。本发明器件因采用复合渐变量子垒结构，可以降低量子阱区的极化电场，增加电子和空穴的复合效率，以及改善空穴输运，减小阱间空穴分布不均匀性，并且减小电子泄露，进而可明显提高发光二极管等器件的发光效率，并显著抑制其效率下降等问题，同时，其制备工艺简单可控，易于规模化实施。

关键词：多量子阱结构侧向空穴量子垒层量子垒渐变减小氮化镓基半导体器件分布不均匀性复合发光二极管发光效率发明器件复合效率极化电场交替生长空穴输运量子阱区制备工艺逐渐降低铟镓氮层规模化复数可控制法泄露升高

学校读者我要写书评

暂无评论

一种纵向型氮化镓基半导体器件及制造方法

一种纵向型氮化镓基半导体器件及制造方法

作者：欧阳伟伦梁安杰罗文健中国香港新界沙田火炭坳背湾街2-12号威力工业中心10楼X室

标准号: CN106952957A