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主题

  • 1 篇 氮化镓基高电子迁...
  • 1 篇 渐变组分背势垒结...
  • 1 篇 短沟道效应
  • 1 篇 二维电子气限域性

机构

  • 1 篇 南京信息工程大学

作者

  • 1 篇 徐佳闰
  • 1 篇 徐儒
  • 1 篇 张瑞浩
  • 1 篇 万发雨
  • 1 篇 李月华
  • 1 篇 xu ru
  • 1 篇 宋润陶
  • 1 篇 xu jiarun
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  • 1 篇 zhang ruihao

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=氮化镓基高电子迁移率晶体管器件"
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排序:
渐变组分背势垒GaN HEMT器件特性研究
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微波学报 2025年 第1期41卷 26-31页
作者: 张瑞浩 万发雨 徐儒 徐佳闰 李月华 宋润陶 南京信息工程大学电子与信息工程学院 南京210044
高频氮化镓微波功器件的短沟道效应是限制其射频性能的重要原因,通常采用背势垒结构来提高二维电子气的限域性,抑制短沟道效应。然而背势垒层的加入会增加寄生电阻与栅极电容,使电流增益截止频f_(t)与最大震荡频f_(max)降低。因此... 详细信息
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