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检索条件"主题词=氮化镓异质结"
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氮化镓异质结功率二极管及其制备方法
氮化镓异质结功率二极管及其制备方法
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作者： 敖辉 韩甲俊 王敏 刘新科 庄文荣 523000 广东省东莞市企石镇科技工业园
本发明提供一种氮化镓异质结功率二极管及其制备方法，制备方法包括：在衬底的第一面上形成n型掺杂的GaN漂移层；在衬底的第二面上形成阴极；在GaN漂移层上沉积绝缘介质层，在绝缘介质层中形成显露GaN漂移层的器件窗口；在器件窗口中形... 详细信息
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氮化镓异质结场效应晶体管、制造方法和电子设备
氮化镓异质结场效应晶体管、制造方法和电子设备
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作者： 张紫淇 陈昌禧 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道红荔西路8089号深业中城6号楼A单元3401
本申请实施例提供一种氮化镓异质结场效应晶体管、制造方法和电子设备，涉及半导体技术领域。氮化镓异质结场效应晶体管解决了适当的阈值电压和低导通电阻不可兼得的问题，以及栅极漏电流较大的问题。氮化镓异质结场效应晶体管包括：沟... 详细信息
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一种氮化镓异质结材料及其外延生长方法
一种氮化镓异质结材料及其外延生长方法
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作者： 彭大青 李忠辉 李传皓 杨乾坤 210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号
本申请公开了一种氮化镓异质结材料及其外延生长方法，涉及半导体单晶薄膜技术领域。所述材料结构自下而上包括：SiC衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、δ掺杂层、InGaN插入层、GaN沟道层、AlGaN势垒层；所述材料采用金属有机物化学气相沉积... 详细信息
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氧化镓/氮化镓异质结双紫外波段探测器及其制备方法
氧化镓/氮化镓异质结双紫外波段探测器及其制备方法
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作者： 施政 高翔 高绪敏 210023 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
本发明公开了氧化镓/氮化镓异质结双紫外波段探测器及其制备方法，本发明属于第三代半导体紫外光电探测器技术领域。本发明的探测器包括硅衬底、氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层以及p型氮化镓层；n型氧化镓层和p型金属电极层设置于p型氮... 详细信息
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一种多孔氧化镓/氮化镓异质结及其制备方法和应用
一种多孔氧化镓/氮化镓异质结及其制备方法和应用
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作者： 贾伟 任恒磊 贾凯达 翟光美 董海亮 许并社 030024 山西省太原市万柏林区迎泽西大街79号
本发明提供了一种多孔氧化镓/氮化镓异质结及其制备方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明以蓝宝石衬底生长的p‑GaN层作为基底，经超声清洗以去除表面有机污染物，基于高温下GaN分解的性质，在含有氢气和氮气的混合气中，通过热... 详细信息
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一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法
一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法
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作者： 张东国 李忠辉 杨乾坤 李传皓 彭大青 210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号
本发明公开了一种金刚石衬底氮极性氮化镓异质结材料及其制备方法。本发明在镓极性氮化镓上采用沉积或者键合的方式与金刚石结合，再将镓极性氮化镓衬底载片及氮化物缓冲层去除，形成适于氮极性氮化镓外延生长用的具有一定偏角的金刚石... 详细信息
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一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法
一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法
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作者： 彭大青 李忠辉 李传皓 杨乾坤 陈韬 210016 江苏省南京市秦淮区中山东路524号
一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法，涉及半导体单晶薄膜技术领域。所述材料结构自下而上包括：SiC衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、InAlGaN插入层、AlGaN势垒层；所述材料采用金属有机物化学气相沉积方法在衬底上外延制备。... 详细信息
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基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器
基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器
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作者： 李炳生 王月飞 刘益春 130024 吉林省长春市南关区人民大街5268号
本发明涉及一种基于氧化镓/阻挡层/氮化镓异质结的紫外光电探测器，所述异质结包括：衬底（1）、缓冲层（2）、GaN层（3）、阻挡层（4）、本征Ga2O3层（5）和n型重掺杂Ga2O3层（6）；衬底（1）、缓冲层（2）、GaN层（3）、阻挡层（4）... 详细信息
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基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法
基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法
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作者： 卢红亮 陈丁波 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
本发明公开了一种基于氮化镓异质结薄膜的双极型光电二极管及其制备方法。氮化镓异质结薄膜的主体结构为SiN/GaN/AlyGa1‑yN/AlN/GaN。阴极与异质结界面的二维电子气形成欧姆接触，在SiN介电层上的半透明金属阳极与氮化镓异质结形成金属... 详细信息
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氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件
氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件
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作者： 周弘 杨慧玲 党魁 张进成 霍树栋 郝跃 710071 陕西省西安市太白南路2号
本发明公开了一种氮化镓异质结PIN与SBD对管集成器件，主要解决现有技术分立式PIN、SBD二极管用于多级限幅电路时功率容量受限的问题。本发明在碳化硅衬底(1)的上方并列设置第一级氮化镓异质结PIN对管和第二、三级SBD对管，对管之间设... 详细信息
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