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机构

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作者

  • 1 篇 xue fangshi
  • 1 篇 薛舫时

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=氮化镓异质结中的屏蔽效应"
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异质结构控制GaN阴极电子发射
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固体电子学研究与进展 2012年 第6期32卷 517-523,560页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化。发现异质结量子阱能把外电场屏蔽异质界面以外。利用这种异质结量子阱的屏蔽效应,可以使外电场都降落在异质结表面来控制表面势。为了把表面电... 详细信息
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