咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 沟道中的强场峰
  • 1 篇 背势垒
  • 1 篇 电流崩塌
  • 1 篇 氮化镓异质结场效...
  • 1 篇 场板电极
  • 1 篇 短沟道效应
  • 1 篇 源-漏穿通

机构

  • 1 篇 南京电子器件研究...

作者

  • 1 篇 xue fangshi
  • 1 篇 薛舫时

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=氮化镓异质结场效应晶体管"
1 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
GaN HFET沟道中的强场峰和背势垒
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2012年 第3期32卷 203-210,214页
作者: 薛舫时 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键。介绍、分析了目前国外用Silvaco有限元经典模拟软件计算的果,发现... 详细信息
来源: 评论