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主题

  • 1 篇 氮化镓金属-绝缘层...
  • 1 篇 栅介质
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  • 1 篇 静电释放结构

机构

  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 南方科技大学

作者

  • 1 篇 陈堂胜
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  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管"
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栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2021年 第3期41卷 229-234页
作者: 戚永乐 王登贵 周建军 张凯 孔岑 孔月婵 于宏宇 陈堂胜 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 南方科技大学 广东深圳518055
基于CMOS兼容性GaN工艺,研制出具有低压化学气相沉积SiNx栅介质的硅基AlGaN/GaN异质结金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)器件。通过威布尔统计分析,研究了栅介质面积和静电释放(ESD)结构对SiNx的经时击穿(TDDB)特性的影... 详细信息
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