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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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学科分类号

  • 1 篇 工学
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主题

  • 1 篇 氮化镓鳍式晶体管
  • 1 篇 器件建模
  • 1 篇 asm-高电子迁移率...

机构

  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 杭州电子科技大学

作者

  • 1 篇 liu jun
  • 1 篇 汪流
  • 1 篇 刘军
  • 1 篇 孔月婵
  • 1 篇 wang liu
  • 1 篇 kong yuechan
  • 1 篇 tao hongqi
  • 1 篇 陶洪琪

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=氮化镓鳍式晶体管"
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排序:
基于ASM-HEMT的AlGaN/GaN FinFET 器件建模
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2019年 第4期39卷 245-249,258页
作者: 汪流 刘军 陶洪琪 孔月婵 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室 南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310018
在ASM-HEMT模型的基础上,对GaN FinFET的直流(DC)特性和S参数进行建模.在Keysight ICCAP建模软件中,通过开路和短路去嵌方法对测试结构引入的寄生去嵌.将包含ASM-HEMT模型内核的VA文件导入软件中并调用Keysight ADS仿真器进行仿真.通过... 详细信息
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