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  • 2 篇 期刊文献

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  • 2 篇 电子文献
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  • 2 篇 工学
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主题

  • 2 篇 4h-sic
  • 2 篇 汞探针c-v
  • 1 篇 mesfet
  • 1 篇 同质外延
  • 1 篇 sims
  • 1 篇 迁移率
  • 1 篇 xrd
  • 1 篇 sem
  • 1 篇 afm

机构

  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 专用集成电路国家...

作者

  • 1 篇 陈昊
  • 1 篇 陈堂胜
  • 1 篇 li zheyang
  • 1 篇 dong xun
  • 1 篇 chen chen
  • 1 篇 chen gang
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语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=汞探针C-V"
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4H-Sic MESFET结构外延生长技术
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Journal of Semiconductors 2007年 第Z1期28卷 379-381页
作者： 李哲洋 董逊 柏松 陈刚 陈堂胜 陈辰 南京电子器件研究所 单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016
利用热壁式cvD技术生长4H-Sic MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针c-v用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂... 详细信息
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4H-Sic同质外延层的质量表征
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引用
微纳电子技术 2009年 第9期46卷 535-539页
作者： 李佳 冯志宏 陈昊 蔡树军 专用集成电路国家级重点实验室 石家庄050051
在高纯半绝缘4H-Sic偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射、原子力显微镜(AFM)、汞探针c-v以及霍尔效应等测试方法,对样品的结晶质量、表面粗糙度、掺杂浓度以及电子迁移率进行了分析测试,证实外延层的结晶... 详细信息
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