检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：雷倩倩西安理工大学

学位级别：博士

近年来无线通信经历了快速的发展，各种结构的射频通信系统不断出现。直接变频结构顺应了高集成度，低功耗以及低成本的发展趋势，成了射频收发机追逐的体系结构。然而直流失调，载波泄漏以及IQ失配等直接变频体系存在的周有问题，限制... 详细信息

近年来无线通信经历了快速的发展，各种结构的射频通信系统不断出现。直接变频结构顺应了高集成度，低功耗以及低成本的发展趋势，成了射频收发机追逐的体系结构。然而直流失调，载波泄漏以及IQ失配等直接变频体系存在的周有问题，限制了其性能的提高和在实际中的应用。\n 此外，随着集成电路的高速发展，功耗已成为芯片设计中除速度、面积之外最重要的一个因素，如何设计一个低功耗的芯片对于现代移动通信系统非常重要。另外由于接收的信号强度可能在很大范围内变化，因此需要在保证误码率的前提下控制信号的强度。所以，一方面接收机中需要引入自动增益控制环路，以达到稳定输出信号大小的目的;另一方面接收机中需要一个信号能量指示器，根据传输信号自身的能量来调节芯片内部电流大小，以便降低电路功耗，控制内部增益和功率。\n 因此，本论文就无线射频收发机中的自动增益控制与矫正技术做了深入的讨论，针对其中的技术难题提出了一些新颖的解决办法，并通过了流片测试验证。论文的主要创新性研究成果总结如下:\n 1、对模拟基带低频可变增益放大器(VGA)的研究，首先采用指数构造法，在CMOS工艺下，实现了两种具有指数增益特性的连续VGA;其次，提出了两种应用于无线局域网中的高线性度离散VGA;并在现有离散VGA结构的基础上，通过一种新颖的控制方法，实现了增益的连续可调，解决了连续VGA中线性度不高的难题。测试结果表明，三种不同类型的VGA均提供了很大的增益范围;连续VGA经过温度补偿后，很好地改善了此放大器增益随温度剧烈变化的缺点。\n 2、对直接变频接收机中直流失调问题的研究，针对应用于无线局域网中的不同VGA结构，提出了两种直流失调消除方案。通过创新性的设计，此矫正系统一方面解决了高通截止频率随着增益变化而改变的缺点，另一方面在保证信号完整性的同时，满足了快速环路稳定时间的要求，与传统方案相比，将滤波电容集成在片内，节省了芯片成本。此外，针对数字电视中要求的极低高通截止频率，在直流失调的设计中，分别采用了线性区MOS管和密勒效应实现等效大电阻和大电容，并采用电阻自校准技术，减小了线性区电阻随工艺和温度的变化。测试结果表明，三种直流失调消除方案均起到了很好的失调消除效果，使得输出端剩余的失调量小于2mV。\n 3、对模拟基带自动增益控制(AGC)环路的研究，提出了一种基于电荷泵的AGC结构，此结构复用模数转换器(ADC)电路，不仅实现了自动增益控制的功能，同时也实现了模数转换的功能，降低了系统的功耗。与传统反馈结构最大的不同在于它既不需要峰值检测电路，也不需要环路滤波器，这使得设计简化的同时，也使电路性能受工艺及温度变化的影响减小了。测试结果表明，AGC可处理的输入动态范围大于50dB，且具有温度不敏感性，整个AGC环路和ADC电路的电流消耗仅有3.2mA。\n 4、对低功耗系统中接收信号强度指示(RSSI)电路的研究，提出了一种基于RSSI的数字AGC环路。在AGC环路中，RSSI使用分段线性对数放大器检测接收信号的能量，根据检测的强度来控制链路中射频低噪声放大器(LNA)的增益，实现了功率强度控制，得到了稳定的输出信号强度，提高了系统的动态范围。此外，在环路的设计中引入温度、工艺补偿电路来抑制RSSI的输出电压随温度和工艺的变化;将比较器的滞洄宽度做为可调节的，以满足系统工艺角的要求。流片的测试结果表明，限幅器的单端输出幅度为460mV，不随温度的变化而改变;RSSI的输出线性电压为0.2V～1V，可检测的输入线性范围大于60dB;数字AGC环路根据RSSI的检测结果实现了自动增益调节。\n 5、对发射机中载波泄漏问题的研究，提出了基于数字基带的载波泄漏矫正方案。与传统方案相比，无需引入功率检测器和AD、DA模块，降低了设计的复杂度，节省了芯片的面积和功耗。仿真结果表明，基于数字基带矫正系统的矫正误差为1.4％;测试结果表明，此矫正方案中的矫正链路是可用的。\n 6、对收发机中IQ幅度和相位失配问题的研究，提出了基于数字基带的IQ失配矫正方案。此方案与发射机中基于数字基带的载波泄漏矫正方案共用同一条矫正通路。仿真结果表明，I/Q幅度的矫正误差为4.5％，I/Q相位的矫正误差为6.2％。\n 本论文的研究成果已经成功应用于多款无线射频芯片中，如GPS、WLAN及CMMB等，大大改善了这些无线通信系统的性能。

关键词：可变增益放大器自动增益控制无线射频收发系统低功耗芯片设计流片测试

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55V沟槽型功率场效应管设计

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电子器件 2015年第1期38卷 23-26页

作者：汪德波冯全源陈晓培西南交通大学微电子研究所成都610031

设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。... 详细信息

设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。

关键词：沟槽功率器件元胞终端流片测试

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用于穿戴式设备的纳米CMOS低功耗LNA研究

用于穿戴式设备的纳米CMOS低功耗LNA研究

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作者：嵇彦斌东南大学

学位级别：硕士

经济的发展带动了物联网和移动互联网的兴起,也带来了新的发展热点。穿戴式设备,在生活智能化这一背景下,形成高速发展的趋势。但是,穿戴式设备由于自身特性,电池的容量得到限制。因此,系统自身的功耗问题一直制约穿戴式设备发展,影响... 详细信息

经济的发展带动了物联网和移动互联网的兴起,也带来了新的发展热点。穿戴式设备,在生活智能化这一背景下,形成高速发展的趋势。但是,穿戴式设备由于自身特性,电池的容量得到限制。因此,系统自身的功耗问题一直制约穿戴式设备发展,影响其应用前景。在目前的市场背景下,纳米CMOS工艺是穿戴式设备的首选工艺。因此,针对穿戴式设备,使用纳米CMOS工艺进行低噪声放大器的设计,具有重要的意义。本课题基于SMIC 55nm CMOS工艺,对适用于低功耗蓝牙标准的低噪声放大器(LNA, Low Noise Amplifier)进行设计。采用了具有源极电感负反馈的共源极低噪声放大器,该结构为经典的低噪声放大器结构。基于该结构,在55nm CMOS这一工艺节点上,进行了一系列的验证和优化,使得该低噪声放大器在提供合理增益的同时,噪声系数与线性度指标均满足低功耗蓝牙标准的应用需求。针对设计需求,该LNA将匹配网络全部进行了集成。在Cadence软件环境下实现电路的前端设计、版图设计以及后仿验证,并进行了流片测试。结果表明：本课题设计的低噪声放大器在1.2V电源电压下,在2.4GHz的工作频带上,输入匹配特性良好。增益为10dB,噪声系数实测为4dB,输入1dB压缩点为-3dBm,输入三阶截点为7dBm。本课题设计的低噪声放大器的测试结果基本满足设计指标的需求,经过进一步优化可以集成到符合低功耗蓝牙的射频接收机芯片中。

关键词：可穿戴设备低噪声放大器纳米工艺流片测试

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功率集成器件的设计与优化

功率集成器件的设计与优化

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作者：邢晓萍北京大学

学位级别：硕士

随着功率器件的不断发展及其应用领域的不断扩大，BCD工艺所受的关注度也日益增加。相对于低压CMOS器件来说，高压器件的设计与优化更具挑战性。高压器件的击穿电压和特征导通电阻是器件设计者们需要考虑的两个重要性能，但是这二者之... 详细信息

随着功率器件的不断发展及其应用领域的不断扩大，BCD工艺所受的关注度也日益增加。相对于低压CMOS器件来说，高压器件的设计与优化更具挑战性。高压器件的击穿电压和特征导通电阻是器件设计者们需要考虑的两个重要性能，但是这二者之间存在折中矛盾，为了提高器件的性能，必须寻找新的器件结构以及优化技术来减小这种矛盾。\n 本文基于0.35μm BCD工艺，运用美国SILVACO公司的工艺与器件模拟软件对器件进行模拟仿真，并结合流片测试结果，对该工艺中的高压LDNMOS和HVPMOS器件进行设计与优化，最终确定器件结构和工艺基准。\n 在设计与优化期间，我们主要运用降低表面电场以及场极板等当今成熟的功率器件优化技术，来使高压器件达到我们的性能要求。在整个优化过程中，器件的性能主要是通过器件尺寸和结构的微小调动来实现的，并没有增加任何掩模板以及工艺的复杂度，降低了生产成本。\n 最终流片测试结果表明，高压LDNMOS与HVPMOS的各项指标均满足目标值，很好的达到了设计与优化的目的。\n 为了提高工艺的应用范围，我们将High-Side LDNMOS集成在该工艺中，目前正在进一步优化中，本文也提出了有效地解决方案。

关键词：功率集成器件结构设计工艺基准优化技术流片测试

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CMOS高分辨率宽带锁相环电路设计

CMOS高分辨率宽带锁相环电路设计

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作者：胡远冰电子科技大学

学位级别：硕士

集成电路的发展普及,集成电路芯片应用的环境变得复杂。锁相环电路是很多电子系统的重要组成部分,因而锁相环芯片的应用环境也变得严苛,部分应用在极低温的环境。极低温的恶劣环境,一方面,芯片的可靠性降低;另一方面在芯片设计时工艺库... 详细信息

集成电路的发展普及,集成电路芯片应用的环境变得复杂。锁相环电路是很多电子系统的重要组成部分,因而锁相环芯片的应用环境也变得严苛,部分应用在极低温的环境。极低温的恶劣环境,一方面,芯片的可靠性降低;另一方面在芯片设计时工艺库不支持极低的温度范围。因此,针对于极低温的设计与应用尚处于空白的,目前极低温的设计也是迫切需要的。虽然工艺库不支持极低温设计,但是在设计电路时可通过温度外延的方式去预测芯片在极低温下的工作情况,同时在电路和版图设计时,添加可调电路,用于调节低温下电路的工作状态。宽带锁相环由于能够输出宽频率范围的时钟信号在高速宽带数据传输接口等应用中是至关重要的,提供精确、高质量的时钟信号。锁相环中的振荡器采用环形振荡器,可以达到宽带输出,但导致环形振荡器的增益变大,众所周知,较大的振荡器增益会恶化锁相环的噪声性能。本文中采用电流控制振荡器,用分档位电流的方式控制电流控制振荡器振荡,达到宽带输出的目的,同时减小了振荡器的增益。锁相环中分频器是锁相环中工作速度最快的模块之一。对于宽带高频输出的锁相环,可编程分频器要实现高速、宽范围分频是一个难题,传统的分频器结构受限于异步复位逻辑使得工作频率不高,另外要实现宽范围的分频电路结构非常复杂。本文提出了一种基于移位寄存器结构的分频器结构,其能够工作于较高的频率并且可以完成宽范围的连续分频。本论文在0.18μm CMOS工艺下,采用温度外延和可调电路的方式,设计一个应用于宽温度范围的异步高速数据接口的锁相环电路,具有宽范围、高分辨率等特点,输入3～24MHz时钟,Step为3MHz的低频时钟信号,输出54MHz1GHz时钟,占空比为50±5%,周期性抖动（Periodic Jitter）小于20ps的时钟信号。在锁相环电路完成电路设计仿真后（Pre-Simulation）,完成版图实现和后仿真验证（PostSimulation）,测试PCB设计及芯片测试。锁相环芯片测试结果满足指标的要求,在-26℃下测得周期性抖动仅为7.31ps,为极低温电路设计提供一定的参考。

关键词：极低温度宽带锁相环时钟抖动版图设计流片测试

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雪崩光电二极管的电流检测电路设计

雪崩光电二极管的电流检测电路设计

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作者：奚水清东南大学

学位级别：硕士

基于单光子检测的高灵敏性，单光子检测技术被广泛应用于生物学、物理学、化学、天文学等领域。在众多波段的单光子探测技术当中，近红外单光子探测技术由于其应用的广泛性和重要性引起了更多的关注。其中单光子探测器是红外检测技术的... 详细信息

基于单光子检测的高灵敏性，单光子检测技术被广泛应用于生物学、物理学、化学、天文学等领域。在众多波段的单光子探测技术当中，近红外单光子探测技术由于其应用的广泛性和重要性引起了更多的关注。其中单光子探测器是红外检测技术的核心，其由两部分组成，一部分是铟镓砷雪崩光电二极管，另一部分是雪崩光电二极管的电流检测电路即淬火恢复电路。淬火恢复电路是单光子探测器的重要组成部分，并对系统的可靠性和精度产生重要的影响。它的主要作用是在合理的时间为传感器提供合适的工作状态。当传感器工作在盖革模式时，它可以迅速检测传感器输出的雪崩电流的上升沿，并且输出标准的脉冲信号。在需要时，还可以立即复位传感器，使其恢复到初始状态。在最新的3D成像应用中，随着SPAD阵列规模越来越大，这对淬火恢复电路的功耗、面积、检测精度提出了更高的要求。\n 本文设计了一种简单而快速的脉冲检测电路，它综合了主动淬火电路和门控淬火电路的主要优点，并改进了两种电路结构存在的不足。本文对其流片结果进行了详细测试。测试结果显示单传感器常温和低温下都可以正常工作，并且其暗计数率很低（10％以下），性能基本达到测试要求。但是，大传感器阵列中，偏压不变的情况下，可以检测暗电流，而无法检测光电流。本文对结果进行分析，指出可能原因，并提出了淬火电路的改进思路。在测试结果的基础上，本文改进了原有方案电路结构，提出双门控方案解决了复位时间和检测延迟相矛盾的问题;简化了控制逻辑，节省了控制电路的面积;降低了电流检测闽值，提高了探测器的精度。\n 在华润上华0.5微米CMOS工艺下，采用精确的InGaAs SPAD SPICE模型，对原有方案进行SPICE仿真。前仿真结果表明:它在各种复杂的控制时序下可以正常工作，检测延迟为3.78ns，淬灭时间为9.93ns，复位时间为4.89ns。改进电路使用和原有方案相同的工艺和仿真条件下仿真。前仿真结果表明:检测延迟为1.24ns，淬灭时间为7.64ns，复位时间为1.44ns，性能获得有效的提升。

关键词：单光子探测器控制逻辑复位时间流片测试电路设计

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BCD工艺下高压器件的设计与优化

BCD工艺下高压器件的设计与优化

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作者：徐帆北京大学

学位级别：硕士

随着功率集成电路应用领域的不断扩大,BCD工艺所受的关注度日益增加。相对于低压CMOS部分,高压DMOS的研发与设计更具挑战性,而DMOS的击穿电压和导通电阻则是器件设计者考虑的关键因素,但是传统的DMOS结构无法突破这二者之间的折中矛盾,... 详细信息

随着功率集成电路应用领域的不断扩大,BCD工艺所受的关注度日益增加。相对于低压CMOS部分,高压DMOS的研发与设计更具挑战性,而DMOS的击穿电压和导通电阻则是器件设计者考虑的关键因素,但是传统的DMOS结构无法突破这二者之间的折中矛盾,为了进一步提高器件性能,必须寻找新的器件结构和优化技术来降低甚至消除这种折中矛盾。\n 本文基于标准的0.35um BCD工艺,运用美国SILVACO公司的工艺与器件模拟软件,并结合实验结果,对现有的高压140V VDNMOS和LDPMOS进行设计与优化并最终确定器件结构和工艺基准。另外为了提高高压器件的应用范围,运用降低表面电场、场极板、漂移区线性掺杂等当今成熟的功率器件优化技术,在140V器件基础上设计优化出100V、170V两种不同耐压值的器件结构。整个优化过程中,主要是通过器件尺寸和结构的微调来实现,并没有大幅度提高工艺的复杂度,降低了生产成本。\n 最终流片测试结果表明,所有器件的各项指标均满足预期目标值,很好的达到了设计与优化的目的。

关键词：高压器件功率集成电路击穿电压导通电阻流片测试

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高效率降压型同步整流DC/DC变换器设计研究

高效率降压型同步整流DC/DC变换器设计研究

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作者：赵汗青北京大学

学位级别：硕士

随着电子信息技术的进步,消费类电子产品的市场爆发式增长,电源管理芯片产业得到迅速的发展,DC/DC变换芯片是电源管理芯片中使用最广泛的类别之一。开关DC/DC变换器是一种高效率的电源变换形式,具有体积小、重量轻、集成度高、转换效率... 详细信息

随着电子信息技术的进步,消费类电子产品的市场爆发式增长,电源管理芯片产业得到迅速的发展,DC/DC变换芯片是电源管理芯片中使用最广泛的类别之一。开关DC/DC变换器是一种高效率的电源变换形式,具有体积小、重量轻、集成度高、转换效率高等优点。\n 本文从开关电源在便携电子设备中的实际应用需求出发,通过系统设计和电路设计,自主完成一款降压型同步整流DC/DC变换芯片的设计,并经过流片测试和验证。在本文中,作者对DC/DC变换器的工作原理、关键技术和设计方法进行了系统的分析和研究,为整体电路设计提供了理论依据。\n 在理论分析的基础上,本文选用了电流控制的工作方式,以PWM作为主要调制方式,并能够在轻载时切换为PFM调制方式,提高轻载时的转换效率。采用从上至下的设计方法,首先对系统的环路控制稳定性进行设计,确定关键模块的参数要求,再对各电路模块的进行合理设计,逐步加入各保护逻辑,最后完成整个系统的搭建。\n 本文的创新点有:\n 1)PFM调制方式利用对检测信号判断的结果,无需振荡器调制,完全用数字逻辑实现,因此PFM模式下可将振荡器、PWM比较器、误差放大器等模拟模块关闭,能够大大节省功耗,提高轻载时的转换效率;\n 2)在环路设计中,本文设计的电流检测电路与斜波补偿振荡器能够直接相连合并,先通过对输出电压采样放大,得到电流值的相对大小,该部分的输出接在振荡器电容极板的一端,与补偿波形叠加,得到的信号可直接用于产生环路控制信号,不再需要对电流/电压或电压/电流进行转换和运算,电路结构大大简化,降低了电路的复杂度,从而降低功耗提高转换效率,同时减小面积降低成本。\n 3)Rail-to-Rail输入范围的比较器,采用限制电压将输入范围分段分别比较,将结果用逻辑电路合并,避免传统结构若两个比较器输出不一致而导致的在输出产生较大的电流,并影响所连接的反相器的情况。

关键词：脉宽调制频率调制电流检测斜波补偿电源管理芯片流片测试同步整流 DC/DC变换器

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基于ARM Cortex--MO的32位双核MCU的设计

基于ARM Cortex--MO的32位双核MCU的设计

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作者：王新君北京工业大学

学位级别：硕士

本课题系统研究了MCU的设计流程及方法，对MCU的整体架构、设计流程、仿真流程、逻辑综合、布局布线及流片测试做了分析和介绍。使用VerilogHDL语言编写源代码，基于IP复用技术完成了一款基于ARM Cortex-M0的32位双核MCU的设计并于TSMC0... 详细信息

本课题系统研究了MCU的设计流程及方法，对MCU的整体架构、设计流程、仿真流程、逻辑综合、布局布线及流片测试做了分析和介绍。使用VerilogHDL语言编写源代码，基于IP复用技术完成了一款基于ARM Cortex-M0的32位双核MCU的设计并于TSMC0.18umCMOS工艺下完成流片。论文主要涉及的工作内容有:\n 1，介绍MCU的发展过程及现状，研究了MCU的设计方法、流程，应用ARM核芯及AMBA总线体系设计MCU并介绍了本课题所设计的MCU的架构;\n 2，通过研究基于IP技术的设计方法，分析实际需求，设计了SPI Flash控制器模块，通过前端设计、综合及仿真验证过程，搭建FPGA验证平台等步骤，完成了此模块的单模块功能验证及芯片整合后的芯片功能验证;\n 3，剖析设计过程中的物理设计部分，完成MCU设计的后端设计部分，包括布局布线、时钟树综合等并对设计进行了优化;\n 4，分析讨论芯片设计的验证与测试，并对芯片进行了功能仿真验证，包括单模块仿真、整体模块仿真测试、FPGA验证等;\n 5，进行流片及流片后测试，通过对比产品分析讨论设计的不足与缺点，提出改进方法;\n 本课题设计的MCU方案已经通过仿真测试验证、FPGA测试验证及整个后端设计，并已流片成功，通过流片后测试。课题中设计的IP模块能够实现预计功能，并申请国家发明专利。通过IP复用技术，本课题所涉及的诸多IP模块都可应用于后续产品中。

关键词：数字前端设计芯片验证流片测试微控制单元

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应用于工业无线传感网（WIA）的高性能小数频率综合器的研究与设计

应用于工业无线传感网（WIA）的高性能小数频率综合器的研究与设计

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作者：陈华中国科学院大学

学位级别：硕士

本文就应用于工业无线传感网(WIA)节点芯片中的频率综合器展开研究，实现了一款220MHz-1100MHz的低噪声低功耗∑△锁相型小数频率综合器。该频率综合器由鉴频鉴相器(PFD)、电荷泵(CP)、压控振荡器(VCO)、可配置正交分频器、双模预分频... 详细信息

本文就应用于工业无线传感网(WIA)节点芯片中的频率综合器展开研究，实现了一款220MHz-1100MHz的低噪声低功耗∑△锁相型小数频率综合器。该频率综合器由鉴频鉴相器(PFD)、电荷泵(CP)、压控振荡器(VCO)、可配置正交分频器、双模预分频器、程控分频器及∑△调制器组成，采用TSMC0.18um RF CMOS工艺实现，芯片面积为1.2mm2。本论文完成了该频率综合器的系统设计、电路仿真、版图设计及流片测试，其主要贡献有:\n 1)针对WIA节点芯片的低功耗要求，设计了一款低功耗、宽频带∑△小数频率综合器。\n 2)设计了一款调谐范围为1.3GHz-2.2GHz(51％)、低增益、小增益抖动的低噪声低功耗VCO。\n 3)设计了一款工作范围为1GHz-4GHz，输出占空比为严格50％的可配置正交分频器。\n 4)设计了一款低相位跳动步长，低量化噪声的无毛刺相位切换小数预分频器。\n 5)针对频率综合器的快速锁定要求，设计了一个带鉴相效率提升模块的PFD。当输入信号相位差大于2π时，该模块激活，加速PLL锁定过程。\n 6)针对频率综合器的低杂散要求，设计了一个带自校准技术的CP。通过合理设计降低PFD/CP的非理想因素，从而提高充放电流匹配，降低杂散。\n 芯片的测试结果表明，该频率综合器能在220MHz-1100MHz频率范围内锁定。环路带宽设为200kHz，10kHz处最低相位噪声为-106dBc/Hz，1MHz处最低相位噪声为-131 dBc/Hz。该频率综合器的功耗为23.7mW，电源电压为1.8V，锁定时间为13.2us，参考杂散为-62dBc。

关键词：工业无线传感网频率综合器压控振荡器正交分频器相位切换预分频器 ∑△调制器流片测试

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