检索结果-内蒙古大学图书馆

您好，读者！请登录

内蒙古大学图书馆

首页
概况
党建
资源
服务
科研支持
- 论文收录引用证明
- 科技查新
知识产权
档案馆
帮助

咨询与建议

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

您的常用邮箱：*

您的手机号码：*

问题描述：

当前已输入0个字，您还可以输入200个字

全部搜索
期刊论文
图书
学位论文
标准
纸本馆藏
外文资源发现
数据库导航
超星发现

高级检索

时间限定

出版年份：

文献类型

图书期刊文献学位论文多媒体

馆藏选择

电子馆藏纸本馆藏

核心期刊

全部期刊 SCI 收录期刊 SSCI 收录期刊 EI 收录期刊 CSCD 收录期刊 CSSCI 收录期刊

语言

中文英文

文献类型

期刊文献图书学位论文标准纸本馆藏

帮助

文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

所选分类

>> <<

限定检索结果

文献类型

123 篇 专利

馆藏范围

123 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

11 篇 三星电子株式会社
10 篇 中芯国际集成电路...
10 篇 惠康有限公司
8 篇 黄路建载
7 篇 泰拉丁公司
5 篇 未来产业株式会社
4 篇 爱思开海力士有限...
3 篇 海力士半导体有限...
3 篇 台湾积体电路制造...
2 篇 爱德万测试公司
2 篇 英飞凌科技奥地利...
2 篇 杰冯微电子科技有...
2 篇 陕西三海测试技术...
2 篇 株式会社鼎新
2 篇 株式会社it&t
2 篇 扬州虹扬科技发展...
2 篇 长江存储科技有限...
2 篇 细美事有限公司
2 篇 西安电子科技大学
2 篇 北京大学

作者

10 篇 黄东源
10 篇 黄裁白
8 篇 黄路建载
3 篇 兰德尔·b·斯廷森
3 篇 宋镐根
3 篇 咸哲镐
3 篇 具岐峰
3 篇 李二范
3 篇 朴龙根
2 篇 徐载奉
2 篇 柳正虎
2 篇 林祐永
2 篇 朴炯硕
2 篇 林俊
2 篇 朴宰佑
2 篇 董帅帅
2 篇 申东彦
2 篇 c.奥斯特迈尔
2 篇 黎莎
2 篇 张庆勋

语言

123 篇 中文

检索条件"主题词=测试半导体器件"

共 123 条记录，以下是71-80 订阅

全选清除本页清除全部题录导出标记到"检索档案"

详细简洁

排序：

半导体器件测试方法

半导体器件测试方法

引用

作者：殷原梓 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种半导体器件测试方法，包括如下步骤：在待测区域的周围形成若干个缓冲垫，所述缓冲垫自下至上包括一介质层和一金属层；将半导体器件置于扫描电镜的样品室中，控制扫描电镜的探针向所述缓冲垫下针，并根据扫描电镜控制系... 详细信息

标准号: CN106206343B

本发明提供一种半导体器件测试方法，包括如下步骤：在待测区域的周围形成若干个缓冲垫，所述缓冲垫自下至上包括一介质层和一金属层；将半导体器件置于扫描电镜的样品室中，控制扫描电镜的探针向所述缓冲垫下针，并根据扫描电镜控制系统中显示的缓冲垫的明暗确定探针是否与缓冲垫接触，所述探针与缓冲垫接触之后，停止下针；将所述探针分别移到邻近的所述接触电极，并分别与相应的所述接触电极接触，在每个所述探针上加不同的偏压，从而测试半导体器件的电学特性。本发明中，使得探针先下针到缓冲垫，可以避免针尖弯曲，保证测试的准确，并且，根据缓冲垫图像的明暗判断探针是否与缓冲垫接触，确定探针下针的位置，便于测试。

关键词：缓冲垫探针下针接触电极扫描电镜明暗半导体器件测试测试半导体器件半导体器件测试待测区域电学特性控制扫描控制系统介质层金属层样品室针尖邻近图像保证

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件、测试方法和包括其的系统

半导体器件、测试方法和包括其的系统

引用

作者：玄相娥沈锡辅李相昊韩国京畿道

公开了一种半导体器件、测试方法和包括该半导体器件的系统，其可以涉及一种用于测试半导体器件的焊盘的开路状态和短路状态的技术。

标准号: CN108962331B

公开了一种半导体器件、测试方法和包括该半导体器件的系统，其可以涉及一种用于测试半导体器件的焊盘的开路状态和短路状态的技术。

关键词：半导体器件测试半导体器件短路状态开路状态焊盘测试

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件、测试方法和包括其的系统

半导体器件、测试方法和包括其的系统

引用

作者：玄相娥沈锡辅李相昊韩国京畿道

公开了一种半导体器件、测试方法和包括该半导体器件的系统，其可以涉及一种用于测试半导体器件的焊盘的开路状态和短路状态的技术。

标准号: CN108962331A

公开了一种半导体器件、测试方法和包括该半导体器件的系统，其可以涉及一种用于测试半导体器件的焊盘的开路状态和短路状态的技术。

关键词：半导体器件测试半导体器件短路状态开路状态焊盘测试

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件泵浦特性分析的方法、装置、设备及存储介质

半导体器件泵浦特性分析的方法、装置、设备及存储介质

引用

作者：肖运昌姜文洁周志刚 415000 湖南省常德市武陵区洞庭大道3150号

本发明公开了一种半导体器件泵浦特性分析的方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：对待测试半导体器件作泵浦调控，获取泵浦调控参数；构建半导体自旋轨道耦合泵浦模型，判断待测试半导体器件的自旋‑电流转换过程是否符合预设情... 详细信息

标准号: CN117010163A

本发明公开了一种半导体器件泵浦特性分析的方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：对待测试半导体器件作泵浦调控，获取泵浦调控参数；构建半导体自旋轨道耦合泵浦模型，判断待测试半导体器件的自旋‑电流转换过程是否符合预设情况；计算待测试半导体器件各区域的波函数，联立预设边界条件求解待测试半导体器件的定态参数；模拟待测试半导体器件的非绝热近似过程，获取待测试半导体器件的量子泵浦输运特性；对获取的待测试半导体器件的量子泵浦输运特性进行数值模拟。本发明对半导体材料器件的量子泵浦输运特性进行分析，可丰富半导体材料器件的调制内容和手段，对半导体材料器件的实践制作和特性分析具有较大的参考意义。

关键词：测试半导体器件泵浦半导体材料输运特性量子特性分析预设自旋轨道耦合半导体器件边界条件存储介质电流转换调控参数近似过程数值模拟波函数非绝热定态构建求解自旋调制半导体参考调控制作分析

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种半导体元器件测试装置

一种半导体元器件测试装置

引用

作者：孙怒涛张剑杨剑罗薇 610041 四川省成都市高新区(西区)新航路4号

本实用新型公开了一种半导体元器件测试装置，它包括测试箱体（1）和盖板（2），所述的测试箱体（1）的一侧设置有支柱（3），盖板（2）固定在支柱（3）上，所述的箱体（1）上端设置有金属板（7），金属板（7）上放置有绝缘垫（4），所... 详细信息

标准号: CN206362891U

本实用新型公开了一种半导体元器件测试装置，它包括测试箱体（1）和盖板（2），所述的测试箱体（1）的一侧设置有支柱（3），盖板（2）固定在支柱（3）上，所述的箱体（1）上端设置有金属板（7），金属板（7）上放置有绝缘垫（4），所述的盖板（2）上设置有压块（5）和针体（6）；所述的箱体（1）内部设置有测试仪、电源和动力装置，动力装置与支柱（3）固定连接，所述的测试仪的测试接口与针体（6）连接，所述的电源分别与测试仪和动力装置连接，金属板（7）与电源的负极连接。该装置通过动力装置驱动盖板下压，探针与引脚接触，实现半导体元器件的测试，不需要人工进行接线，有效减少人力资源浪费。

关键词：盖板金属板半导体元器件电源测试箱体动力装置测试仪针体动力装置连接动力装置驱动本实用新型测试测试接口测试装置负极连接内部设置人力资源有效减少绝缘垫上端接线探针下压引脚有压测试半导体器件半导体元器件测试装置绝缘垫半导体配合

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件组和基板

半导体器件组和基板

引用

作者：王阳阳汤茂亮刘少东 223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

本公开涉及半导体器件组和基板。公开了一种用于测试半导体器件的匹配的半导体器件组，其包括：多个半导体器件，其包括分别在第一方向上延伸的至少一个半导体器件，以及分别在与第一方向不同的第二方向上延伸的至少一个半导体器件，其... 详细信息

标准号: CN110085532A

本公开涉及半导体器件组和基板。公开了一种用于测试半导体器件的匹配的半导体器件组，其包括：多个半导体器件，其包括分别在第一方向上延伸的至少一个半导体器件，以及分别在与第一方向不同的第二方向上延伸的至少一个半导体器件，其中各半导体器件包括控制电极以及第一和第二非控制电极；第一公共电极，各半导体器件共享所述第一公共电极并分别具有所述第一公共电极的一部分作为其控制电极；以及第二公共电极，各半导体器件共享所述第二公共电极并分别具有所述第二公共电极的一部分作为其第一非控制电极。

关键词：半导体器件公共电极控制电极测试半导体器件共享延伸基板匹配

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

用于半导体器件处理机吞吐量优化的方法和系统

用于半导体器件处理机吞吐量优化的方法和系统

引用

作者：霍华德·H·小罗伯茨勒罗伊·格罗特美国纽约州

提供了一种用于优化具有多个阶段的半导体器件处理机的操作吞吐量的方法和系统。该方法包括在输入载体缓冲处接收用于测试的半导体器件并且在测试半导体器件时操作所述处理机。该方法还包括记录用于所述处理机的每个操作阶段的操作吞吐... 详细信息

标准号: CN105917452B

提供了一种用于优化具有多个阶段的半导体器件处理机的操作吞吐量的方法和系统。该方法包括在输入载体缓冲处接收用于测试的半导体器件并且在测试半导体器件时操作所述处理机。该方法还包括记录用于所述处理机的每个操作阶段的操作吞吐量特征，并且分析所记录的用于所述处理机的每个操作阶段的操作吞吐量特征；另外，该方法包括确定所述处理机的哪个操作阶段具有导致最低操作鼓节拍的最大限制约束并调节所述处理机的具有所述最低操作鼓节拍的操作阶段的操作参数以增加该操作鼓节拍。该方法进一步包括重复该方法，直到实现这样的操作状态以致于对操作参数进行进一步调节将导致用于所述半导体器件处理机的所述操作吞吐量下降。

关键词：处理机操作阶段半导体器件节拍吞吐量特征操作参数吞吐量测试半导体器件操作状态最大限制缓冲记录测试重复优化分析

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件栅极底切尺寸是否符合要求的确定方法

半导体器件栅极底切尺寸是否符合要求的确定方法

引用

作者：赵猛 201203 上海市张江路18号

本发明提供了一种半导体器件栅极底切尺寸是否符合要求的确定方法，涉及半导体制造的检测领域。该确定方法首先建立栅极底切图形的模拟模块，其建立过程如下：取底切尺寸为零时半导体器件的电性参数值为标准值；取若干不同的底切尺寸值... 详细信息

标准号: CN101373724B

本发明提供了一种半导体器件栅极底切尺寸是否符合要求的确定方法，涉及半导体制造的检测领域。该确定方法首先建立栅极底切图形的模拟模块，其建立过程如下：取底切尺寸为零时半导体器件的电性参数值为标准值；取若干不同的底切尺寸值，分别测试半导体器件的电性参数值，建立底切尺寸与电性参数值的关系曲线；设定电性参数值的最大允许范围。然后提取蚀刻窗口以及蚀刻工艺数据，输入模拟模块内。接着根据输入数据，模拟模块模拟出底切图形，输出底切尺寸。根据建立的关系曲线，计算电性参数值，确认输出电性参数值是否在电性参数的最大允许范围内。与现有技术相比，采用本发明确定方法，可快速确认栅极底切尺寸是否在规格范围内，提高产品的良率。

关键词：参数值电性模拟模块半导体器件关系曲线测试半导体器件蚀刻半导体制造电性参数规格范围蚀刻工艺标准值良率检测

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件处理机吞吐量优化

半导体器件处理机吞吐量优化

引用

作者：霍华德·H·小罗伯茨勒罗伊·格罗特美国纽约州

标准号: CN105917452A

关键词：处理机操作阶段半导体器件节拍吞吐量特征操作参数吞吐量测试半导体器件操作状态最大限制缓冲记录测试重复优化分析

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体器件的纳米条或纳米片宽度的测量方法

半导体器件的纳米条或纳米片宽度的测量方法

引用

作者：翁文寅 201315 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室

本发明公开了一种半导体器件的纳米条或纳米片宽度的测量方法，包括步骤：步骤一、获取纳米条或纳米片的自热效应产生的温度变化和自热效应指数的关系曲线；步骤二、提供具有纳米条或纳米片的被测试半导体器件；步骤三、采用自热效应测... 详细信息

标准号: CN110411392A

本发明公开了一种半导体器件的纳米条或纳米片宽度的测量方法，包括步骤：步骤一、获取纳米条或纳米片的自热效应产生的温度变化和自热效应指数的关系曲线；步骤二、提供具有纳米条或纳米片的被测试半导体器件；步骤三、采用自热效应测试被测试半导体器件的纳米条或纳米片的温度变化；步骤四、结合被测试半导体器件的纳米条或纳米片的温度变化和关系曲线获得被测试半导体器件的纳米条或纳米片的自热效应指数并从而获得被测试半导体器件的纳米条或纳米片的宽度。本发明具有非破坏性，能提高测量速度和降低测试复杂性，能进行多面测量，能进行多样品测量并形成分布图，与电性良率连结高。

关键词：纳米片测试半导体器件自热效应关系曲线测量半导体器件测试复杂性多面测量非破坏性多样品分布图电性良率连结测试

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

没有更多数据了...

全选清除本页清除全部题录导出标记到“检索档案”

共13页 << < 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 > >>

检索报告对象比较合并检索0

隐藏清空

合并搜索

回到顶部

执行限定条件

内容：

评分：

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

订阅名称：

通借通还

温馨提示：

图书名称：

借书校区：

取书校区：

手机号码：

邮箱地址：

一卡通帐号：

电话和邮箱必须正确填写，我们会与您联系确认。

联系人：

所在院系：

联系邮箱：

联系电话：

内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区大学西街235号邮编: 010021

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：