检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：潘秀娟北京大学

学位级别：硕士

相变存储器(Phase Change Memory，PCM)具有抗辐射性能好、随机访问速度快、读吞吐率高、存储密度大、数据保持特性好和尺寸缩小能力强等优点，且与传统的CMOS工艺兼容，使其成为最有希望代替NAND Flash的下一代非挥发性存储器之一。但... 详细信息

相变存储器(Phase Change Memory，PCM)具有抗辐射性能好、随机访问速度快、读吞吐率高、存储密度大、数据保持特性好和尺寸缩小能力强等优点，且与传统的CMOS工艺兼容，使其成为最有希望代替NAND Flash的下一代非挥发性存储器之一。但是，随着工艺尺寸逐渐减小，存储器集成度逐渐增大，单元和阵列的可靠性问题越来越突出，特别是寄生电容，寄生电阻以及热串扰效应引起的故障。这些寄生效应引起的故障大大的限制了PCM工艺尺寸的进一步降低。为了推进PCM的发展和应用，对这种新型存储器的测试方法的研究也越来越多。本文就是以PCM中的寄生效应引起的故障为对象，进行了从故障原理到测试算法的一系列研究。\n 寄生电阻故障是在生产过程中的沾污引起的，在PCM单元的相变材料和加热电极的界面处产生了一个与有效编程区并联的寄生导电通路，这个通路的阻值较低，且阻值不随编程电流变化，影响PCM的RESET操作。寄生电容是指来自PCM单元本身或者接触形成的电容，这个电容也是并联在相变材料的二端，由于电容的充放电效应，有效的编程电流减小，编程脉冲的形状发生畸变，退火时间增加，这些都会使PCM的SET和RESET操作产生故障。热串扰效应是指对选中单元编程的时候，其上较高的温度传递到相邻的单元，引起相邻单元的状态发生变化。这种效应引起的故障在PCM器件尺寸进一步减小时是必须要考虑的因素。\n 为了高效地测试这些故障，必须寻找合适的测试矢量。本文的工作如下:首先对已有的PCM HSPICE模型进行验证，说明其对接下来的电路级故障仿真的可用性。然后通过仿真结果定义了以上寄生效应引起故障的故障模型，并提出了与之对应的测试算法，并与以往的测试算法作比较，证明算法的优越性。最后，对本文的课题进行总结和展望。

关键词：寄生效应故障模型测试算法相变存储器

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指令缓存数据阵列的设计与实现

指令缓存数据阵列的设计与实现

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作者：谭全林国防科学技术大学

学位级别：硕士

随着工艺水平的不断进步,集成电路设计复杂度的不断增加,存储器越来越成为处理器频率的瓶颈。因此高速、低功耗的存储器设计是当今微处理器设计的重要研究方向,对它的研发越来越受到广泛的重视。本文采用全定制的设计方法,在0.13μm CMO... 详细信息

随着工艺水平的不断进步,集成电路设计复杂度的不断增加,存储器越来越成为处理器频率的瓶颈。因此高速、低功耗的存储器设计是当今微处理器设计的重要研究方向,对它的研发越来越受到广泛的重视。本文采用全定制的设计方法,在0.13μm CMOS的工艺下,设计实现了一款16.5KB的指令缓存数据阵列（ICD）,其工作频率为1GHz,完成了版图设计和验证。基于本设计,给出了版图后模拟验证的方法、宏模块提取LEF视图的方法、以及宏模块创建时序库和自动插入BIST电路的方法。版图设计完成后,首先要对它进行模拟验证,Nanosim、Xa等工具都提供了做模拟验证的接口。其次,版图设计完成后还要提供LEF视图,创建.lib时序模型。这样才能在以后的工作中做布局布线和静态时序分析。最后,对于全定制设计的宏模块,可能由于本身的设计或者制造过程中存在缺陷,一定要进行测试,MBISTArchitect工具可以提供很多自带的测试算法,每一种测试算法对应不同的缺陷类型。因此它可以针对不同设计产生不同的BIST电路、控制链接电路、以及测试激励和基本的综合脚本,可以很方便的对存储器进行测试。在典型情况下,输入斜率为44ps、输出负载为0.17064pf时,本文所设计的SRAM写入延迟小于720ps,读出延时小于770ps,在1GHz的频率下,平均功耗小于50mW,面积为1021504.256um2,满足设计要求。

关键词：全定制设计指令缓存数据阵列模拟验证 LEF视图时序模型存储器缺陷测试算法内建自测试

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一种SRAM内建自测电路的设计

一种SRAM内建自测电路的设计

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作者：张小波西安电子科技大学

学位级别：硕士

本文主要介绍了一种SRAM内建自测电路的设计与应用。本文设计的SRAMBIST电路具有故障覆盖率高、结构简单和可复用性高等特点。\n 文章首先介绍了SRAM的组成结构与工作原理，借助PSPICE电路仿真软件对SRAM 6管存储单元的工作原理进行... 详细信息

本文主要介绍了一种SRAM内建自测电路的设计与应用。本文设计的SRAMBIST电路具有故障覆盖率高、结构简单和可复用性高等特点。\n 文章首先介绍了SRAM的组成结构与工作原理，借助PSPICE电路仿真软件对SRAM 6管存储单元的工作原理进行了实际分析。然后文章对SRAM的故障模型以及相应的诊断方法进行了说明，并且简要介绍了几种常见的SRAM内建测性算法和常用的BIST结构。详细分析了SRAM内建测试算法中较为优化的MARCH C+算法，阐述了由线形反馈移位寄存器实现地址发生器的可能性与实现方法。\n 文章详细说明了基于MARCH C+算法与LFSR的SRAM BIST电路的设计方法与过程。本章对LFSR理论进行了简要的阐述，对LFSR实现BIST地址发生器的方法做了详细的分析，对比分析了基于计数器与基于LFSR的两种地址发生器，说明了由LFSR实现的地址发生器的优越之处—占用面积小、可复用性高。对MARCH C+算法的实现步骤做了详细的分析，最后给出了以LFSR作为地址发生器的MARCH C+算法有限状态转移图，根据该有限状态机对算法进行了Verilog行为级描述，并完成了仿真与综合。对SRAM BIST电路中的数据发生器和比较器模块进行了分析、Verilog行为级描述、仿真与综合。对SRAM BIST整体电路的设计过程进行了说明，并给出了电路在非测试状态和内测试状态的仿真结果与电路的综合方法。\n 通过一个实际的专用集成电路，给出了本文设计的SRAM BIST电路的嵌入式SRAM内建自测试解决方案，分析了SRAM BIST电路与该ASIC中相关模块接口电路的设计思路，从而从使用角度对电路进行了验证，并且说明了该BIST电路的应用方法。\n 最后文章对SRAM内建自测试的延伸课题——内建自修复技术进行了简单介绍，针对文中所设计的SRAM BIST电路，对BISR电路的实现做了一些大体设想，为后继工作作了铺垫。

关键词： SRAM 内建自测电路测试算法 MARCH C+

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嵌入式Flash存储器内建自测试电路设计

嵌入式Flash存储器内建自测试电路设计

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作者：杨丽婷上海交通大学

学位级别：硕士

嵌入式Flash存储器作为便携式设备的基础,其在存储器市场占据较大的市场份额。由于测试成本是影响芯片成本的重要因素,研究减少Flash存储器测试成本的方法有利于降低Flash存储器的成本。本文作者提出了改进的March-like算法,有效提高了... 详细信息

嵌入式Flash存储器作为便携式设备的基础,其在存储器市场占据较大的市场份额。由于测试成本是影响芯片成本的重要因素,研究减少Flash存储器测试成本的方法有利于降低Flash存储器的成本。本文作者提出了改进的March-like算法,有效提高了故障测试的效率以及故障覆盖率,降低了测试成本,并设计了相应的Flash的内建自测试电路。该算法采用棋盘格向量,使每个存储单元可以最大程度受到周围存储单元编程操作的干扰,有利于激活存储单元的累积故障,从而检测到故障单元。算法在爱万德公司机型为T5781的测试机台上进行了测试验证。验证结果表明,相较于March-like算法,改进的March-like算法有效提升了33%的效率。在对160颗晶片的实测中,在采用March-like算法测试时,并未检测出故障晶片,而在采用改进的March-like算法时,则成功检测出3颗故障晶片,进一步证明了该算法的有效性。本课题是基于改进的March-like算法完成内建自测试电路的设计的。该测试电路主要由三大主要功能模块构成,它们分别是正常工作模式模块、测试工作模式模块和故障测试模式模块。本课题完成了该电路的Verilog设计、综合及完整的物理设计。本设计采用55nm的CMOS工艺,占用芯片面积为15557um2,相较于应用该测试电路的Flash电路,Flash BIST所占用的面积大概占Flash电路的11%左右。本设计已成功应用于一量产芯片,产品即将流片。

关键词：嵌入式闪存测试测试算法 Flash BIST 故障模型

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基于FPGA可移植Flash测试平台设计与实现

基于FPGA可移植Flash测试平台设计与实现

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作者：赵凯西安电子科技大学

学位级别：硕士

作为商用集成电路生产的重要环节,芯片测试在降低芯片生产成本,缩短设计周期,实现利益最大化中发挥着越来越大的作用。随着全球信息化程度的加深,Flash存储器凭借着其高密度、低成本以及高可靠性的特点,在手机、物联网、大数据等行业发... 详细信息

作为商用集成电路生产的重要环节,芯片测试在降低芯片生产成本,缩短设计周期,实现利益最大化中发挥着越来越大的作用。随着全球信息化程度的加深,Flash存储器凭借着其高密度、低成本以及高可靠性的特点,在手机、物联网、大数据等行业发展突飞猛进。SoC技术的不断进步以及半导体工艺的发展使得Flash的种类也越来越多,产品需要在出厂前对其进行批量测试来保证存储器可以有效无误的长期工作。但是随着Flash的功能越来越多,内部逻辑电路规模不断变大,生产工艺不断缩小,给Flash的测试带来了巨大的挑战。如果能设计出一款合适的测试平台,保证Flash测试的故障覆盖率,将会大大提高Flash测试的速度和测试效率,提高Flash成品的良率,降低芯片生产的成本,对整个测试工作带来极大的方便。本论文通过对以往设计的Flash测试平台实现方法的研究,发现很多Flash测试平台只能测试单一型号的Flash而无法兼容其他型号的产品。为了解决这一问题,使测试平台在测试其他Flash时无需重新修改测试平台的代码,本论文通过在测试平台内部设计了大量的配置寄存器,使得测试平台支持外部对平台内部的一些参数进行配置。使用这种设计方法,仅需在芯片测试之前根据待测芯片完成平台的配置,极大地缩短了Flash的开发周期,提高了Flash的测试效率。此外,本测试平台支持使用JTAG协议一次性下载测试指令,极大地简化了测试流程,有效缩短了测试周期。本论文在深入研究了Flash的结构与工作原理以及Flash的功能与故障模型的基础上,分析对比了各种Flash测试算法的优劣,并根据以往Flash测试平台设计的一些经验以及测试操作中的实际需求,提出了本论文可移植Flash测试平台的设计方案。通过使用verilog语言完成了测试平台各模块的功能及内部时序的实现,主要包括测试流程控制模块的设计、接口电路的设计、指令传输和错误信息存储模块的设计以及测试指令和测试平台的可移植性设计。为了保证本论文设计的测试平台的可靠性,本论文严格遵循FPGA应用验证的流程。通过基于UVM验证平台来检测测试平台功能与测试指令是否可以实现,验证结果表明在仿真软件下,测试平台的功能无误且测试指令正确。最后,将测试平台代码烧制到基于VIRTEX5(XC5VLX50T)型号的FPGA中,完成了测试平台的搭建并根据待测台积电90nm工艺的128M bits Nor型Flash的时序要求完成了测试平台的参数配置,最终完成了待测存储器的测试。在整个测试工作中,总计测试了8片128M bits Nor型Flash,其中2片Flash功能完全无误,2片Flash无法正常工作,剩余的Flash均通过实际的测试找到了错误页地址并完成了存储扇区的修复。测试结果表明,本论文设计的测试平台可以实现其功能,测试指令正确,测试平台可以通过参数配置来兼容待测Flash的测试,说明本论文针对Flash可移植性测试平台的设计架构是正确的,设计方案可以实现。

关键词： FPGA Flash存储器故障模型测试算法可移植

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阻变存储器温度特性研究与建模

阻变存储器温度特性研究与建模

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作者：罗文进复旦大学

学位级别：硕士

随着便携式电子产品的普及,非挥发存储器取得了巨大的成功,但当前主流非挥发存储器——Flash,即将因器件尺寸等比缩小而达到物理极限。阻变存储器(RRAM)有望取而代之,而氧化铜体系的MIM结构的RRAM在众多材料体系中,因易集成、低成本、... 详细信息

随着便携式电子产品的普及,非挥发存储器取得了巨大的成功,但当前主流非挥发存储器——Flash,即将因器件尺寸等比缩小而达到物理极限。阻变存储器(RRAM)有望取而代之,而氧化铜体系的MIM结构的RRAM在众多材料体系中,因易集成、低成本、无污染、高速度等各方面优异性能而备受关注。　　本文在系统回顾了RRAM基本特性与当前国际上的主要研究进展后,总结了其从实验室研究走向量产的过程中面临的技术问题,本文重点针对温度稳定性、大量样本测试算法与统计研究的挑战、与客户应用的衔接等重要问题,对1Mbit的CuxSiyORRAM展开研究,具体研究内容如下:　　发展了一套针对大存储阵列、基于统计数据的研究阻变存储器温度可靠性的测试与数据统计方法;研究了温度对Forming软击穿过程、Forming电压、Set/Reset过程的功耗等的影响,总结出其受温度影响的规律;通过变温测试研究高阻态和低阻态随温度变化的稳定性与可操作窗口的变化;基于1Mbit阵列统计数据,实验确定新型CuxSiyORRAM在温度稳定性方面大大优于传统CuxORRAM,并从激活能角度给予解释;设计实验研究了Forming算法对RRAM低阻态稳定性的影响;在实验结果基础上建立了一个热学与电学结合的微观模型,按温度区间分别解释了其转换和导电机制,分析了热学和电学各自所起的作用。最后,在面向应用的重要环节中,建立了一个初步的SPICEModel,并在仿真设计环境中得到验证。　　通过本文对1MBitCuxSiyORRAM性能随温度变化规律、微观机理解释、SPICEModel建立等方面的系统研究,为RRAM走向大规模量产奠定了理论和方法上的基础。

关键词：阻变存储器氧化铜温度特性测试算法开关转换导电机制

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软件内建自测试中模板的设计和实现

软件内建自测试中模板的设计和实现

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作者：徐睿虹上海大学

学位级别：硕士

随着计算机的普及应用，人类对软件的依赖程度愈来愈大，对软件质量的要求也在不断提高。软件测试是保证软件质量的主要手段。可是随着软件规模的不断扩大，复杂度也不断增长，软件测试的难度也进一步提高。以往手工生成测试用例，人为... 详细信息

随着计算机的普及应用，人类对软件的依赖程度愈来愈大，对软件质量的要求也在不断提高。软件测试是保证软件质量的主要手段。可是随着软件规模的不断扩大，复杂度也不断增长，软件测试的难度也进一步提高。以往手工生成测试用例，人为运行程序的测试方法效率太低，成本也很高。越来越多的专家学者开始研究新的测试方法。\n 硬件测试较软件测试更加成熟，已经有一些高效稳定的测试算法。而软硬件测试在思想上有相同之处。如果能够将硬件领域已经成熟的测试方法用于软件测试，一定可以丰富软件测试算法。软件内建自测试就是移植于硬件测试中成熟的技术——内建自测试。软件自测试系统基本结构包括测试点、模板和自测试部分。其基本思想是：首先为程序设计员提供一套预先设计好的模板，这套模板要求程序员在编写程序时必须满足模板中提山的相关条件，并在模板中输入所要求的有关数据。由模板对所编写的程序进行“包装”，然后，由自治测试部分根据模板中信息生成一定的测试用例，并在测试点上进行比较和测试，以完成基本的测试功能。\n 论文讨论了‘种源于硬件测试应用于软件测试的新方法——软件内建自测试中的模板设计和实现。论文首先讨论了模板的概念、模板的作用，模板内容的获取。然后分析了非法计算故障、异常处理不当、内存分配不足、空指针、内存泄露、预编译隐含故障几种故障模型，根据故障模型设计模板，给出检测故障的算法。接着讨论了模板的管理和评价。详细设计了模板的数据结构，模板内容存储最终实现为SQL2000中的数据库。同时介绍了模板在系统中以插件的方式实现，讨论了模板如何与其他模块的进行接口定义实现信息交互，以及整个系统的运行过程。\n 论文的最后给出了软件内建自测试对几种故障进行检测的结果分析。通过对实例的运行，验证了软件内建自测试思想的正确性。

关键词：软件故障模型软件测试软件质量测试算法

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全数字的模数转换器内建自测试方案

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应用科学学报 2004年第3期22卷 356-359页

作者：饶进吴光林凌明胡晨东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心江苏南京210096

提出了一种针对片上模数转换器进行内建自测试的方法.利用斜坡信号作为测试激励,测试电路可以通过对转换器的低位进行测试来获取增益误差、失调误差以及微分非线性和积分非线性误差.该方法测试结构简单,并具有较高的测试速度.

关键词：模数转换器内建自测试测试算法模拟集成电路信号分析器

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ICT在线测试仪软件系统设计

ICT在线测试仪软件系统设计

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作者：廖仪思湖南大学

学位级别：硕士

电路板上元件通常由模拟器件、数字器件、混合器件及接插件等构成,电路板的广泛应用使得对电路板测试的需求日益增加。电路板自动测试是对电路板故障检测、故障定位和故障辨识的总称,在线测试技术是一种用于电子装备生产线上电路板各元... 详细信息

电路板上元件通常由模拟器件、数字器件、混合器件及接插件等构成,电路板的广泛应用使得对电路板测试的需求日益增加。电路板自动测试是对电路板故障检测、故障定位和故障辨识的总称,在线测试技术是一种用于电子装备生产线上电路板各元器件的自动测试技术,在电子产品生产和军事装备的电路测试中得到了广泛应用。本文分析了当前电路测试理论和技术、以及电子产品生产线电路板的特点和测试要求,设计了一种新型的在线测试仪,设计目的在于提高测试效率并降低测试成本。为了实现测试仪的测试功能,本课题将PC机和现场可编程门阵列FPGA相结合,测试系统的硬件部分由FPGA控制板控制信号源板、探针组、开关阵列和测试电路对元件进行测试;软件部分的核心是由Visual C++ 6.0编写的测试软件系统,软件提供人机接口界面,完成了各测试功能模块的设计以及对测试数据和测试结果的分析等。本文对引用的测试算法进行了详细介绍和证明。测试算法是软件系统中非常重要的部分,测试系统对不同的电路选择不同的算法,从而获取最优的测试矢量集,用较少的测试次数对电路板的故障进行检测和诊断。在本文中,系统引入了固定型故障测试矢量生成算法和边界扫描测试矢量生成算法。软件系统选取Windows XP为操作系统,Visual C++ 6.0为软件开发环境,MS Access关系型数据库为系统后台数据库,采用Windows XP环境下基于USB接口的信息交互方式,提高了测试系统的可操控性和可靠性。软件系统的功能由各功能模块程序具体实现,本文将测试系统上位机软件分成八个功能模块,进行独立模块设计,之后,进行系统联调。根据测试系统的设计要求,本文将软件系统划分为权限设置功能模块、系统自诊断功能模块、软件自学习功能模块、程序编辑功能模块、测试信息功能模块、品质异常即时报警功能模块、统计报表功能模块、USB通信模块。测试软件中子功能模块的功能及设计在论文中作了详细说明。本系统经实际测试表明,基本达到设计要求。论文最后对在线测试仪的发展与在电子产品生产中的应用进行了展望。

关键词：在线测试测试算法故障模型系统分析软件设计

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嵌入式SRAM内建自测试的测试实现

嵌入式SRAM内建自测试的测试实现

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作者：许正义复旦大学

学位级别：硕士

本文首先介绍了存储器测试的背景和意义然后介绍了存储器的电路模型图,存储单元,工作原理。在此基础上介绍了存储器的失效模型和测试算法。接下来介绍存储器常用的三种测试方法：存储器直接寻址测试法；嵌入式微处理器测试,存储器内建... 详细信息

本文首先介绍了存储器测试的背景和意义然后介绍了存储器的电路模型图,存储单元,工作原理。在此基础上介绍了存储器的失效模型和测试算法。接下来介绍存储器常用的三种测试方法：存储器直接寻址测试法；嵌入式微处理器测试,存储器内建自测试。比较和这三种方法,得出MBIST测试方法是最新的低成本,高效率的测试方法。还介绍了MBIST的理论和架构,基于移位寄存器的MBIST的实现,设计工具和设计流程。介绍MBIST的设计是为了方便理解MBIST的测试。本文的重点是MBIST的测试实现,包括：自动测试系统(ATE)的资源和配置,测试向量生成,测试程序架构和流程。因为受限于低端测试机的资源配置,我们不得不开发扩展的测试工具帮助测试,取的了很好的效果。最后分析测试数据时,我开发了脚本工具和VBA程序来帮助我们批处理文本文件,大大提高了数据的分析效率。

关键词：存储器内建自测试自动测试系统失效模型测试算法

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