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  • 1 篇 导电类型可调
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  • 1 篇 浮动栅极

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作者

  • 13 篇 陈纬仁
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  • 291 篇 中文
检索条件"主题词=浮动栅极"
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垂直存储器中的浮动栅极存储器单元
垂直存储器中的浮动栅极存储器单元
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作者： 查尔斯·H·丹尼森 合田晃 约翰·霍普金斯 法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 克里希纳·K·帕拉 美国爱达荷州
本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部... 详细信息
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基于双晶体管鳍式场效晶体管的分裂栅极非易失性浮动栅极闪存存储器及其制造方法
基于双晶体管鳍式场效晶体管的分裂栅极非易失性浮动栅极闪存存储...
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作者： S·乔尔巴 C·德科贝尔特 Z·冯 J·金 X·刘 N·多 美国加利福尼亚州
本发明公开了一种非易失性存储器单元，该非易失性存储器单元形成在半导体衬底上，该半导体衬底具有上表面，该上表面具有向上延伸的鳍片，该向上延伸的鳍片具有相对的第一侧表面和第二侧表面。第一电极和第二电极与该鳍片的第一部分和... 详细信息
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位于衬底上的浮动栅极存储单元及其制造方法
位于衬底上的浮动栅极存储单元及其制造方法
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作者： S·方 T·瑟盖特 K-T·张 R·法斯托 A·T·许 K·水谷 K·高 H·木下 Y·孙 H·小川 美国加利福尼亚州
依据其中一项例示性的实施例，浮动栅极存储单元(202)包括位于衬底(204)上及位于该衬底(204)内的沟道区域(222)上方的堆叠的栅极结构(208)。该浮动栅极存储单元(202)更包括形成在邻接该堆叠的栅极结构(208)之衬底(204)内的凹槽(228)，... 详细信息
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对浮动栅极耦合具有补偿的非易失性存储装置的读取操作
对浮动栅极耦合具有补偿的非易失性存储装置的读取操作
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作者： 尼玛·穆赫莱斯 美国加利福尼亚州
由于基于相邻浮动栅极(或其它相邻电荷存储元件)中所存储的电荷的电场耦合，可能发生非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上所存储的表观电荷的移位。所述问题最显著发生于已在不同时间编程的若干组相邻存储器单元之间。... 详细信息
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非对称浮动栅极与非型快闪存储器
非对称浮动栅极与非型快闪存储器
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作者： 施彦豪 何家骅 吕函庭 赖二琨 谢光宇 中国台湾新竹科学工业园区
一种与非型(NAND)快闪存储器元件，包含覆盖在各个字线的非对称浮动栅极。透过此一特定浮动栅极与其各自的字线有效耦合，可使用一大的栅极(如字线)偏压将浮动栅极耦合到具有一电压，可将浮动栅极下方的沟道反向。在浮动栅极下方的反向... 详细信息
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浮动栅极存储单元
浮动栅极存储单元
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作者： S·方 K-T·常 P·法斯坚科 Z·王 美国加利福尼亚州
依据一个例示性的实施例，用于在衬底(204)上制造浮动栅极存储单元(202)的方法包括形成(172)间隔壁(230)邻接至层叠的栅极结构(208)的源极侧壁(234)的步骤，其中该层叠的栅极结构(208)为位在该衬底(204)内的沟道区域(226)的上方。该方... 详细信息
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垂直存储器中的浮动栅极存储器单元
垂直存储器中的浮动栅极存储器单元
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作者： 查尔斯·H·丹尼森 合田晃 约翰·霍普金斯 法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 克里希纳·K·帕拉 美国爱达荷州
本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部... 详细信息
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浮动栅极之间的耦合效应减小的NAND电可擦除可编程只读存储器
浮动栅极之间的耦合效应减小的NAND电可擦除可编程只读存储器
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作者： 方玉品 丹尼尔·C·古特曼 美国加利福尼亚州
对于非易失性存储器系统来说，将擦除阈值电压分布压缩为最低阈值电压状态将减小有效数据阈值电压窗口。减小所述有效数据阈值电压窗口会减小浮动栅极之间的耦合效应。可将所述压缩执行为擦除过程的一部分或编程操作的一部分。
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浮动栅极存储器装置和制造
浮动栅极存储器装置和制造
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作者： 有留诚一 美国爱达荷州
一种包括具有相对于彼此隔离的栅极间介电区域的晶体管的浮动栅极存储器阵列及其制造方法。形成浮动栅极晶体管以使得所述阵列中的所述浮动栅极晶体管中的每一者均具有浮动栅极、控制栅极以及其间的栅极间介电层。每一晶体管的所述栅极... 详细信息
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具有在编程期间的耦合补偿的浮动栅极存储器
具有在编程期间的耦合补偿的浮动栅极存储器
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作者： 李彦 美国加利福尼亚州
非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上存储的表观电荷的偏移可能因基于相邻浮动栅极(或其它相邻电荷存储元件)中存储的电荷的电场耦合而发生。为了补偿此耦合，对给定存储器单元的读取或编程过程可考虑到相邻存储器单元... 详细信息
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