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  • 7 篇 专利

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  • 7 篇 电子文献
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  • 2 篇 旺宏电子股份有限...
  • 1 篇 桑迪士克股份有限...
  • 1 篇 亿而得微电子股份...

作者

  • 2 篇 约翰·霍普金斯
  • 2 篇 克里希纳·k·帕拉
  • 2 篇 法蒂玛·雅逊·席赛...
  • 2 篇 合田晃
  • 2 篇 查尔斯·h·丹尼森
  • 1 篇 黄兰婷
  • 1 篇 尼玛·穆赫莱斯
  • 1 篇 吴柏瑄
  • 1 篇 薛铭祥
  • 1 篇 黄文谦
  • 1 篇 赖二琨
  • 1 篇 杨姈桂
  • 1 篇 刘振钦
  • 1 篇 有留诚一
  • 1 篇 范雅婷
  • 1 篇 林信章
  • 1 篇 施彦豪

语言

  • 7 篇 中文
检索条件"主题词=浮动栅极存储器"
7 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
浮动栅极存储器装置和制造
浮动栅极存储器装置和制造
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作者: 有留诚一 美国爱达荷州
一种包括具有相对于彼此隔离的栅极间介电区域的晶体管的浮动栅极存储器阵列及其制造方法。形成浮动栅极晶体管以使得所述阵列中的所述浮动栅极晶体管中的每一者均具有浮动栅极、控制栅极以及其间的栅极间介电层。每一晶体管的所述栅极... 详细信息
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垂直存储器中的浮动栅极存储器单元
垂直存储器中的浮动栅极存储器单元
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作者: 查尔斯·H·丹尼森 合田晃 约翰·霍普金斯 法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 克里希纳·K·帕拉 美国爱达荷州
本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间,其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部... 详细信息
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垂直存储器中的浮动栅极存储器单元
垂直存储器中的浮动栅极存储器单元
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作者: 查尔斯·H·丹尼森 合田晃 约翰·霍普金斯 法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 克里希纳·K·帕拉 美国爱达荷州
本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间,其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部... 详细信息
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制造反向T型浮动栅极存储器的方法
制造反向T型浮动栅极存储器的方法
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作者: 赖二琨 施彦豪 薛铭祥 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
本发明公开了一种制造反向T型浮动栅极存储器的方法,因为增加该浮动栅极表面积,而使该浮动栅极存储装置具有一较高的耦合率。本发明还公开了一种具有非矩型横截面浮动栅极存储装置,该非矩型横截面可为一反向T型、一U型、一梯型或... 详细信息
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非易失性存储器及形成非易失性存储器单元阵列的方法
非易失性存储器及形成非易失性存储器单元阵列的方法
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作者: 尼玛·穆赫莱斯 美国加利福尼亚州
为了减小由给定数目的快闪存储器单元的阵列占用的集成电路面积,沿着衬底沟槽(60、61)的侧壁定位浮动栅极电荷存储元件(103、105、111、113),其优选由经掺杂多晶硅间隔物形成。作为一实例,双浮动栅极存储器单元的阵列包含具有此结构... 详细信息
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非自我对准的非挥发性存储器结构
非自我对准的非挥发性存储器结构
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作者: 林信章 黄文谦 范雅婷 中国台湾新竹县
本发明提供一种非自我对准的非挥发性存储器结构,其主要包含有一半导体基底、一左浮动栅极存储器晶胞与一右浮动栅极存储器晶胞、一控制栅极,以及一位于两存储器晶胞与控制栅极之间的栅极绝缘层。此两浮动栅极存储器晶胞的漏极分别接... 详细信息
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增加控制栅极浮动栅极间重叠面积的存储装置及其制法
增加控制栅极与浮动栅极间重叠面积的存储装置及其制法
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作者: 刘振钦 黄兰婷 杨姈桂 吴柏瑄 中国台湾新竹科学工业园区
一种制造浮动栅极存储器装置的方法,包含利用位于浮动栅极之下的掩埋扩散氧化物,从而在浮动栅极与掩埋扩散氧化物之间,制造增加的阶梯高度。增加的阶梯高度可提供更高的GCR,但仍可减低使用虚拟接地阵列设计的存储单元尺寸。
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