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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

18 篇 专利

馆藏范围

18 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

11 篇 力旺电子股份有限...
2 篇 旺宏电子股份有限...
1 篇 微米技术有限公司
1 篇 联华电子股份有限...
1 篇 法国矿业电信学校...
1 篇 柰米闪芯积体电路...
1 篇 美光科技公司

作者

9 篇 陈纬仁
4 篇 黎俊霄
4 篇 徐德训
3 篇 李文豪
2 篇 赖宗沐
2 篇 曹沐潆
2 篇 杨青松
2 篇 陈学威
2 篇 景文澔
2 篇 李峰旻
2 篇 陈信铭
2 篇 陈志欣
2 篇 林昱佑
1 篇 许富菖
1 篇 徐徳训
1 篇 陈自平
1 篇 l·福尔贝斯
1 篇 李武开
1 篇 k·y·阿恩
1 篇 有留诚一

语言

18 篇 中文

检索条件"主题词=浮动栅极晶体管"

共 18 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

用于检测电子存储器中的错误的方法

用于检测电子存储器中的错误的方法

引用

作者： J-M·杜特特雷法国帕莱索

本发明涉及一种用于检测非易失性半导体存储器中由光电或辐射效应引起的至少一个故障的方法，所述存储器包括多个存储单元(CM)，所述多个存储单元包含MOS晶体管、可能地包括浮动栅极晶体管，每个存储单元位于基本位线(BLE)和字线(WL)的... 详细信息

标准号: CN118043890A

本发明涉及一种用于检测非易失性半导体存储器中由光电或辐射效应引起的至少一个故障的方法，所述存储器包括多个存储单元(CM)，所述多个存储单元包含MOS晶体管、可能地包括浮动栅极晶体管，每个存储单元位于基本位线(BLE)和字线(WL)的交叉点处，在通过所述基本位线和所述字线选择了存储单元之后，通过检测在读取期间流过该存储单元的读取电流(I_read)来读取该存储单元的二进制内容。在该方法种，通过将流过进行检测的基本位线的总电流与表示存在至少一个故障的预定阈值(I_alarm)比较，来检测在存储单元的读取或编程期间至少一个故障的可能存在。

关键词：存储单元位线读取检测非易失性半导体存储器浮动栅极晶体管二进制内容读取电流读取期间交叉点处字线选择存储器总电流字线编程辐射

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高速高密度以NAND为基础的双晶体管-NOR闪存的新构成

高速高密度以NAND为基础的双晶体管-NOR闪存的新构成

引用

作者：李武开许富菖美国加州

一种双晶体管NOR闪存单元具有由以NAND为基础的制程制造的一对称的源极和漏极结构。该闪存单元包括由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存储晶体管和由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存取晶体管，具有被短路的poly1和poly2的poly1 NMOS... 详细信息

标准号: CN102498475A

一种双晶体管NOR闪存单元具有由以NAND为基础的制程制造的一对称的源极和漏极结构。该闪存单元包括由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存储晶体管和由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存取晶体管，具有被短路的poly1和poly2的poly1 NMOS晶体管，或是单多晶的poly1或poly2 NMOS晶体管。该闪存单元透过使用Fowler-Nordheim信道隧道程序完成编程和抹除。一种以NAND为基础的闪存器件包括平行排列于与字符线垂直的位线和源极线的快闪单元阵列。为闪存器件设计写行译码器和读行译码器，以在页、区块、扇区或芯片中的预先编程验证、抹除验证和编程、读操作中为闪存阵列提供适当电压。

关键词：闪存单元晶体管多晶译码器编程浮动栅极晶体管闪存器件抹除源极验证存储晶体管存取晶体管单元阵列闪存阵列读操作短路漏极区块扇区位线制程信道电压平行芯片排列隧道

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非易失性存储单元结构与阵列结构以及制造方法

非易失性存储单元结构与阵列结构以及制造方法

引用

作者：黎俊霄陈纬仁李文豪中国台湾新竹市

本发明涉及一种非易失性存储单元结构,其包含具有第一导电类型的半导体基底、具有第二导电类型的第一阱区、浮动栅极晶体管以及擦除栅极区。第一阱区设置在半导体基底的第一主动区上。擦除栅极区设置在半导体基底的第二主动区上,且擦除... 详细信息

标准号: CN106952923A

本发明涉及一种非易失性存储单元结构,其包含具有第一导电类型的半导体基底、具有第二导电类型的第一阱区、浮动栅极晶体管以及擦除栅极区。第一阱区设置在半导体基底的第一主动区上。擦除栅极区设置在半导体基底的第二主动区上,且擦除栅极区包括第一掺杂区和至少一具有第二导电类型的第二掺杂区。第一掺杂区设置在半导体基底中,且覆盖第二主动区,第二掺杂区设置在第一掺杂区中。第一掺杂区包覆第二掺杂区,且第二掺杂区的掺杂浓度大于第一掺杂区的掺杂浓度。

关键词：掺杂区半导体基底擦除栅极主动区导电类型阱区掺杂非易失性存储单元浮动栅极晶体管第一导电类型包覆覆盖

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半导体元件

半导体元件

引用

作者：李峰旻林昱佑中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

本发明公开了一种半导体元件，依据可编程阈值晶体管和并联电阻的可变电阻单元阵列，包括三维和分离栅极的变化。施加到晶体管的一输入电压和晶体管的可编程阈值可以表示乘积和运算的变化。在可变电阻单元中的可编程阈值晶体管包括电荷... 详细信息

标准号: CN110047542A

本发明公开了一种半导体元件，依据可编程阈值晶体管和并联电阻的可变电阻单元阵列，包括三维和分离栅极的变化。施加到晶体管的一输入电压和晶体管的可编程阈值可以表示乘积和运算的变化。在可变电阻单元中的可编程阈值晶体管包括电荷俘获储存晶体管，比如浮动栅极晶体管或介电电荷俘获晶体管。可变电阻单元中的电阻可包括连接至可编程阈值晶体管的载流终端(例如，源极和漏极)的一埋藏式注入电阻。一电压感测放大器被配置为感测由可变电阻单元产生的电压当作一施加电流和可变电阻单元的电阻的函数。

关键词：可变电阻单元可编程阈值晶体管晶体管电阻电荷俘获浮动栅极晶体管半导体元件储存晶体管感测放大器并联电阻分离栅极施加电流输入电压和运算埋藏式感测介电漏极源极载流三维施加终端配置

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非易失性存储单元结构与阵列结构以及制造方法

非易失性存储单元结构与阵列结构以及制造方法

引用

作者：黎俊霄陈纬仁李文豪中国台湾新竹市

标准号: CN106952923B

关键词：掺杂区半导体基底擦除栅极主动区导电类型阱区掺杂非易失性存储单元浮动栅极晶体管第一导电类型包覆覆盖

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半导体元件

半导体元件

引用

作者：李峰旻林昱佑中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

标准号: CN110047542B

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具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器

具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器

引用

作者：徐德训陈信铭杨青松景文澔陈纬仁中国台湾新竹市

一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器，包括：一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域；以及一擦除栅区域，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域；其中，该栅极氧化层... 详细信息

标准号: CN103311252A

一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器，包括：一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域；以及一擦除栅区域，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域；其中，该栅极氧化层包括一第一部份位于该通道区域上方，以及一第二部份位于该擦除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部份的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部份的厚度。

关键词：栅极氧化层擦除浮动栅极通道区域非易失性存储器浮动栅极晶体管多晶硅编程延伸

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半导体存储器元件

半导体存储器元件

引用

作者：陈自平中国台湾新竹市

本发明公开一种半导体存储器元件，包含选择晶体管和浮动栅极晶体管，设置在基底上。选择晶体管包含选择栅极、选择栅极氧化层和漏极掺杂区。浮动栅极晶体管包含浮动栅极、浮动栅极氧化层、源极掺杂区、在浮动栅极下方的第一隧穿区掺杂... 详细信息

标准号: CN114446974A

本发明公开一种半导体存储器元件，包含选择晶体管和浮动栅极晶体管，设置在基底上。选择晶体管包含选择栅极、选择栅极氧化层和漏极掺杂区。浮动栅极晶体管包含浮动栅极、浮动栅极氧化层、源极掺杂区、在浮动栅极下方的第一隧穿区掺杂、第二隧穿区掺杂、在第一隧穿区掺杂上的第一隧穿氧化层、在第二隧穿区掺杂上的第二隧穿氧化层。浮动栅极氧化层介于第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层之间。淡掺杂扩散区围绕源极掺杂区和第二隧穿区掺杂。

关键词：隧穿区掺杂隧穿氧化层浮动栅极氧化层浮动栅极晶体管选择晶体管源极掺杂区选择栅极半导体存储器元件漏极掺杂区扩散区基底

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可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元

可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元

引用

作者：徐德训黎俊霄陈学威中国台湾新竹市

本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包括半导体衬底；第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；隔离区域，分隔第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；PMOS选择晶体管设于第一氧化物定义区上；PMOS浮动栅极晶体管设于第一氧化物... 详细信息

标准号: CN105244352A

本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包括半导体衬底；第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；隔离区域，分隔第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；PMOS选择晶体管设于第一氧化物定义区上；PMOS浮动栅极晶体管设于第一氧化物定义区上并与PMOS选择晶体管串联；PMOS浮动栅极晶体管包括一浮动栅极；存储器P型阱区位于半导体衬底中；存储器N型阱区位于存储器P型阱区中；存储器P型阱区与第一氧化物定义区及第二氧化物定义区重叠；存储器P型阱区的接合深度比隔离区域的沟渠深度深；存储器N型阱区的接合深度比隔离区域的沟渠深度浅。

关键词：氧化物存储器隔离区域浮动栅极晶体管半导体衬底选择晶体管沟渠深度接合深度非易失性存储单元单层多晶硅浮动栅极一种分隔串联重叠公开

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具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构

具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构

引用

作者：曹沐潆陈纬仁中国台湾新竹市

本发明公开了一种具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构，包括一半导体衬底，其上设有一N型井区和一P型井区；一第一氧化层定义区和一第二氧化层定义区设于所述N型井区内；一PMOS选择晶体管设于所述第一氧化层定义区上；一PMOS浮动栅... 详细信息

标准号: CN106206591A

本发明公开了一种具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构，包括一半导体衬底，其上设有一N型井区和一P型井区；一第一氧化层定义区和一第二氧化层定义区设于所述N型井区内；一PMOS选择晶体管设于所述第一氧化层定义区上；一PMOS浮动栅极晶体管与所述PMOS选择晶体管串联，其中PMOS浮动栅极晶体管另包含一覆盖于第一氧化层定义区上的浮动栅极；一辅助栅极，自浮动栅极一末端凸出至第二氧化层定义区的一边，使辅助栅极与第二氧化层定义区及N型井区电容耦合。选择晶体管、浮动栅极晶体管以及辅助栅极均同样位于N型井区中。

关键词：氧化层辅助栅极浮动栅极晶体管选择晶体管浮动栅极非易失性存储器单元电容耦合凸出衬底半导体串联覆盖

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