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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

18 篇 专利

馆藏范围

18 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

11 篇 力旺电子股份有限...
2 篇 旺宏电子股份有限...
1 篇 微米技术有限公司
1 篇 联华电子股份有限...
1 篇 法国矿业电信学校...
1 篇 柰米闪芯积体电路...
1 篇 美光科技公司

作者

9 篇 陈纬仁
4 篇 黎俊霄
4 篇 徐德训
3 篇 李文豪
2 篇 赖宗沐
2 篇 曹沐潆
2 篇 杨青松
2 篇 陈学威
2 篇 景文澔
2 篇 李峰旻
2 篇 陈信铭
2 篇 陈志欣
2 篇 林昱佑
1 篇 许富菖
1 篇 徐徳训
1 篇 陈自平
1 篇 l·福尔贝斯
1 篇 李武开
1 篇 k·y·阿恩
1 篇 有留诚一

语言

18 篇 中文

检索条件"主题词=浮动栅极晶体管"

共 18 条记录，以下是11-20 订阅

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详细简洁

排序：

半导体存储器元件

半导体存储器元件

引用

作者：陈自平中国台湾新竹市

本发明公开一种半导体存储器元件，包含选择晶体管和浮动栅极晶体管，设置在基底上。选择晶体管包含选择栅极、选择栅极氧化层和漏极掺杂区。浮动栅极晶体管包含浮动栅极、浮动栅极氧化层、源极掺杂区、在浮动栅极下方的第一隧穿区掺杂... 详细信息

标准号: CN114446974A

本发明公开一种半导体存储器元件，包含选择晶体管和浮动栅极晶体管，设置在基底上。选择晶体管包含选择栅极、选择栅极氧化层和漏极掺杂区。浮动栅极晶体管包含浮动栅极、浮动栅极氧化层、源极掺杂区、在浮动栅极下方的第一隧穿区掺杂、第二隧穿区掺杂、在第一隧穿区掺杂上的第一隧穿氧化层、在第二隧穿区掺杂上的第二隧穿氧化层。浮动栅极氧化层介于第一隧穿氧化层和第二隧穿氧化层之间。淡掺杂扩散区围绕源极掺杂区和第二隧穿区掺杂。

关键词：隧穿区掺杂隧穿氧化层浮动栅极氧化层浮动栅极晶体管选择晶体管源极掺杂区选择栅极半导体存储器元件漏极掺杂区扩散区基底

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具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器

具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器

引用

作者：徐德训陈信铭杨青松景文澔陈纬仁中国台湾新竹市

一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器，包括：一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域；以及一擦除栅区域，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域；其中，该栅极氧化层... 详细信息

标准号: CN103311252B

一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器，包括：一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域；以及一擦除栅区域，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域；其中，该栅极氧化层包括一第一部份位于该通道区域上方，以及一第二部份位于该擦除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部份的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部份的厚度。

关键词：栅极氧化层浮动栅极擦除栅通道区域非易失性存储器浮动栅极晶体管多晶硅可编程可擦除相异延伸

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具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构

具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构

引用

作者：曹沐潆陈纬仁中国台湾新竹市

本发明公开了一种具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构，包括一半导体衬底，其上设有一N型井区和一P型井区；一第一氧化层定义区和一第二氧化层定义区设于所述N型井区内；一PMOS选择晶体管设于所述第一氧化层定义区上；一PMOS浮动栅... 详细信息

标准号: CN106206591B

本发明公开了一种具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构，包括一半导体衬底，其上设有一N型井区和一P型井区；一第一氧化层定义区和一第二氧化层定义区设于所述N型井区内；一PMOS选择晶体管设于所述第一氧化层定义区上；一PMOS浮动栅极晶体管与所述PMOS选择晶体管串联，其中PMOS浮动栅极晶体管另包含一覆盖于第一氧化层定义区上的浮动栅极；一辅助栅极，自浮动栅极一末端凸出至第二氧化层定义区的一边，使辅助栅极与第二氧化层定义区及N型井区电容耦合。选择晶体管、浮动栅极晶体管以及辅助栅极均同样位于N型井区中。

关键词：氧化层辅助栅极浮动栅极晶体管选择晶体管浮动栅极非易失性存储器单元电容耦合凸出衬底半导体串联覆盖

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带有超薄垂直体晶体管的快速存储器

带有超薄垂直体晶体管的快速存储器

引用

作者： L·福尔贝斯 K·Y·阿恩美国爱达荷州

提供了具有超薄垂直体晶体管(200)的快速存储器的结构和方法。该快速存储器包括一个存储单元阵列，存储单元包括浮动栅极晶体管(200)。每个浮动栅极晶体管(200)包括从半导体基片(202)向外延伸的柱体(201)。该柱体(201)包括由氧化物层(2... 详细信息

标准号: CN100365768C

提供了具有超薄垂直体晶体管(200)的快速存储器的结构和方法。该快速存储器包括一个存储单元阵列，存储单元包括浮动栅极晶体管(200)。每个浮动栅极晶体管(200)包括从半导体基片(202)向外延伸的柱体(201)。该柱体(201)包括由氧化物层(208)垂直分开的单晶第一接触层(204)和第二接触层(206)。在柱体侧面形成单晶垂直晶体管(210)。该单晶垂直晶体管(210)包括将超薄单晶垂直第一源/漏区(214)和超薄单晶垂直第二源/漏区(216)分开的超薄单晶垂直体区(212)。浮动栅极(212)与超薄单晶垂直体区(212)和由绝缘层(220)从浮动栅极(212)分开的控制栅极(218)相对。

关键词：单晶柱体单晶垂直晶体管浮动栅极晶体管单晶垂直体区快速存储器浮动栅极源/漏区接触层分开绝缘层存储单元阵列半导体基片存储单元晶体管氧化物侧面延伸

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浮动栅极存储器装置和制造

浮动栅极存储器装置和制造

引用

作者：有留诚一美国爱达荷州

一种包括具有相对于彼此隔离的栅极间介电区域的晶体管的浮动栅极存储器阵列及其制造方法。形成浮动栅极晶体管以使得所述阵列中的所述浮动栅极晶体管中的每一者均具有浮动栅极、控制栅极以及其间的栅极间介电层。每一晶体管的所述栅极... 详细信息

标准号: CN101473429B

一种包括具有相对于彼此隔离的栅极间介电区域的晶体管的浮动栅极存储器阵列及其制造方法。形成浮动栅极晶体管以使得所述阵列中的所述浮动栅极晶体管中的每一者均具有浮动栅极、控制栅极以及其间的栅极间介电层。每一晶体管的所述栅极间介电层与所述阵列中其它晶体管中的每一者的栅极间电介质隔离。还提供制造此类结构的方法。

关键词：晶体管浮动栅极晶体管介电层电介质浮动栅极存储器隔离浮动栅极

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可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元

可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元

引用

作者：徐德训黎俊霄陈学威中国台湾新竹市

本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包括半导体衬底；第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；隔离区域，分隔第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；PMOS选择晶体管设于第一氧化物定义区上；PMOS浮动栅极晶体管设于第一氧化物... 详细信息

标准号: CN105244352B

本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包括半导体衬底；第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；隔离区域，分隔第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；PMOS选择晶体管设于第一氧化物定义区上；PMOS浮动栅极晶体管设于第一氧化物定义区上并与PMOS选择晶体管串联；PMOS浮动栅极晶体管包括一浮动栅极；存储器P型阱区位于半导体衬底中；存储器N型阱区位于存储器P型阱区中；存储器P型阱区与第一氧化物定义区及第二氧化物定义区重叠；存储器P型阱区的接合深度比隔离区域的沟渠深度深；存储器N型阱区的接合深度比隔离区域的沟渠深度浅。

关键词：氧化物存储器隔离区域浮动栅极晶体管选择晶体管接合沟渠衬底半导体非易失性存储单元浮动栅极多晶硅单层分隔串联

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非易失性存储器结构

非易失性存储器结构

引用

作者：陈志欣陈纬仁赖宗沐中国台湾新竹

本发明公开了一种非易失性存储器结构，包括有一基底，其中有第一、第二以及第三有源区域沿着第一方向排成一列并通过绝缘区域互相隔开，所述绝缘区域包括第一中介绝缘区，其介于第一与第二有源区域间，第二中介绝缘区，其介于第二与第... 详细信息

标准号: CN104241293A

本发明公开了一种非易失性存储器结构，包括有一基底，其中有第一、第二以及第三有源区域沿着第一方向排成一列并通过绝缘区域互相隔开，所述绝缘区域包括第一中介绝缘区，其介于第一与第二有源区域间，第二中介绝缘区，其介于第二与第三有源区域间；第一选择晶体管，其位于第一有源区域上；浮动栅极晶体管，其位于第二有源区域上并与第一选择晶体管耦接，且包括一浮动栅极，其完全与第二有源区域重叠而与第一、第二中介绝缘区部分重叠；以及第二选择晶体管，其位于第三有源区域上并与浮动栅极晶体管耦接，其中第二选择晶体管具有一字线沿着所述第二方向延伸。

关键词：有源晶体管绝缘浮动栅极晶体管绝缘区域重叠非易失性存储器浮动栅极隔开基底字线延伸

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非易失性存储器结构

非易失性存储器结构

引用

作者：陈志欣陈纬仁赖宗沐中国台湾新竹

标准号: CN104241293B

关键词：源区域选择晶体管绝缘区浮动栅极晶体管绝缘区域耦接中介非易失性存储器方向延伸浮动栅极互相隔开一字线基底

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