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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

18 篇 专利

馆藏范围

18 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

11 篇 力旺电子股份有限...
2 篇 旺宏电子股份有限...
1 篇 微米技术有限公司
1 篇 联华电子股份有限...
1 篇 法国矿业电信学校...
1 篇 柰米闪芯积体电路...
1 篇 美光科技公司

作者

9 篇 陈纬仁
4 篇 黎俊霄
4 篇 徐德训
3 篇 李文豪
2 篇 赖宗沐
2 篇 曹沐潆
2 篇 杨青松
2 篇 陈学威
2 篇 景文澔
2 篇 李峰旻
2 篇 陈信铭
2 篇 陈志欣
2 篇 林昱佑
1 篇 许富菖
1 篇 徐徳训
1 篇 陈自平
1 篇 l·福尔贝斯
1 篇 李武开
1 篇 k·y·阿恩
1 篇 有留诚一

语言

18 篇 中文

检索条件"主题词=浮动栅极晶体管"

共 18 条记录，以下是11-20 订阅

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详细简洁

排序：

可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元

可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元

引用

作者：徐德训黎俊霄陈学威中国台湾新竹市

本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包括半导体衬底；第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；隔离区域，分隔第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；PMOS选择晶体管设于第一氧化物定义区上；PMOS浮动栅极晶体管设于第一氧化物... 详细信息

标准号: CN105244352A

本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包括半导体衬底；第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；隔离区域，分隔第一氧化物定义区及第二氧化物定义区；PMOS选择晶体管设于第一氧化物定义区上；PMOS浮动栅极晶体管设于第一氧化物定义区上并与PMOS选择晶体管串联；PMOS浮动栅极晶体管包括一浮动栅极；存储器P型阱区位于半导体衬底中；存储器N型阱区位于存储器P型阱区中；存储器P型阱区与第一氧化物定义区及第二氧化物定义区重叠；存储器P型阱区的接合深度比隔离区域的沟渠深度深；存储器N型阱区的接合深度比隔离区域的沟渠深度浅。

关键词：氧化物存储器隔离区域浮动栅极晶体管半导体衬底选择晶体管沟渠深度接合深度非易失性存储单元单层多晶硅浮动栅极一种分隔串联重叠公开

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具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器

具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器

引用

作者：徐德训陈信铭杨青松景文澔陈纬仁中国台湾新竹市

一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器，包括：一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域；以及一擦除栅区域，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域；其中，该栅极氧化层... 详细信息

标准号: CN103311252B

一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器，包括：一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域；以及一擦除栅区域，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域；其中，该栅极氧化层包括一第一部份位于该通道区域上方，以及一第二部份位于该擦除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部份的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部份的厚度。

关键词：栅极氧化层浮动栅极擦除栅通道区域非易失性存储器浮动栅极晶体管多晶硅可编程可擦除相异延伸

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具可编程可抹除的单一多晶硅层非挥发性存储器

具可编程可抹除的单一多晶硅层非挥发性存储器

引用

作者：陈纬仁徐徳训李文豪中国台湾新竹市

本发明公开一种具可编程可抹除的单一多晶硅非挥发性存储器，其包括：一基板结构；一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一沟道区域位于一N型阱区内；以及一抹除栅区域，包括一P型阱区与一n型源/漏... 详细信息

标准号: CN104157652A

本发明公开一种具可编程可抹除的单一多晶硅非挥发性存储器，其包括：一基板结构；一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一沟道区域位于一N型阱区内；以及一抹除栅区域，包括一P型阱区与一n型源/漏区域，该n型源/漏区域连接至一抹除线电压，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该抹除栅区域；其中，该P型阱区与该N型阱区形成于该基板结构中，该栅极氧化层包括一第一部分位于该沟道区域上方，以及一第二部分位于该抹除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部分的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部分的厚度。

关键词：抹除栅极氧化层浮动栅极沟道区域基板结构浮动栅极晶体管挥发性存储器多晶硅线电压编程连接延伸

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非易失性存储器结构

非易失性存储器结构

引用

作者：陈志欣陈纬仁赖宗沐中国台湾新竹

本发明公开了一种非易失性存储器结构，包括有一基底，其中有第一、第二以及第三有源区域沿着第一方向排成一列并通过绝缘区域互相隔开，所述绝缘区域包括第一中介绝缘区，其介于第一与第二有源区域间，第二中介绝缘区，其介于第二与第... 详细信息

标准号: CN104241293A

本发明公开了一种非易失性存储器结构，包括有一基底，其中有第一、第二以及第三有源区域沿着第一方向排成一列并通过绝缘区域互相隔开，所述绝缘区域包括第一中介绝缘区，其介于第一与第二有源区域间，第二中介绝缘区，其介于第二与第三有源区域间；第一选择晶体管，其位于第一有源区域上；浮动栅极晶体管，其位于第二有源区域上并与第一选择晶体管耦接，且包括一浮动栅极，其完全与第二有源区域重叠而与第一、第二中介绝缘区部分重叠；以及第二选择晶体管，其位于第三有源区域上并与浮动栅极晶体管耦接，其中第二选择晶体管具有一字线沿着所述第二方向延伸。

关键词：有源晶体管绝缘浮动栅极晶体管绝缘区域重叠非易失性存储器浮动栅极隔开基底字线延伸

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具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器

具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器

引用

作者：徐德训陈信铭杨青松景文澔陈纬仁中国台湾新竹市

标准号: CN103311252A

关键词：栅极氧化层擦除浮动栅极通道区域非易失性存储器浮动栅极晶体管多晶硅编程延伸

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高速高密度以NAND为基础的双晶体管-NOR闪存的新构成

高速高密度以NAND为基础的双晶体管-NOR闪存的新构成

引用

作者：李武开许富菖美国加州

一种双晶体管NOR闪存单元具有由以NAND为基础的制程制造的一对称的源极和漏极结构。该闪存单元包括由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存储晶体管和由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存取晶体管，具有被短路的poly1和poly2的poly1 NMOS... 详细信息

标准号: CN102498475A

一种双晶体管NOR闪存单元具有由以NAND为基础的制程制造的一对称的源极和漏极结构。该闪存单元包括由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存储晶体管和由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存取晶体管，具有被短路的poly1和poly2的poly1 NMOS晶体管，或是单多晶的poly1或poly2 NMOS晶体管。该闪存单元透过使用Fowler-Nordheim信道隧道程序完成编程和抹除。一种以NAND为基础的闪存器件包括平行排列于与字符线垂直的位线和源极线的快闪单元阵列。为闪存器件设计写行译码器和读行译码器，以在页、区块、扇区或芯片中的预先编程验证、抹除验证和编程、读操作中为闪存阵列提供适当电压。

关键词：闪存单元晶体管多晶译码器编程浮动栅极晶体管闪存器件抹除源极验证存储晶体管存取晶体管单元阵列闪存阵列读操作短路漏极区块扇区位线制程信道电压平行芯片排列隧道

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浮动栅极存储器装置和制造

浮动栅极存储器装置和制造

引用

作者：有留诚一美国爱达荷州

一种包括具有相对于彼此隔离的栅极间介电区域的晶体管的浮动栅极存储器阵列及其制造方法。形成浮动栅极晶体管以使得所述阵列中的所述浮动栅极晶体管中的每一者均具有浮动栅极、控制栅极以及其间的栅极间介电层。每一晶体管的所述栅极... 详细信息

标准号: CN101473429B

一种包括具有相对于彼此隔离的栅极间介电区域的晶体管的浮动栅极存储器阵列及其制造方法。形成浮动栅极晶体管以使得所述阵列中的所述浮动栅极晶体管中的每一者均具有浮动栅极、控制栅极以及其间的栅极间介电层。每一晶体管的所述栅极间介电层与所述阵列中其它晶体管中的每一者的栅极间电介质隔离。还提供制造此类结构的方法。

关键词：晶体管浮动栅极晶体管介电层电介质浮动栅极存储器隔离浮动栅极

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带有超薄垂直体晶体管的快速存储器

带有超薄垂直体晶体管的快速存储器

引用

作者： L·福尔贝斯 K·Y·阿恩美国爱达荷州

提供了具有超薄垂直体晶体管(200)的快速存储器的结构和方法。该快速存储器包括一个存储单元阵列，存储单元包括浮动栅极晶体管(200)。每个浮动栅极晶体管(200)包括从半导体基片(202)向外延伸的柱体(201)。该柱体(201)包括由氧化物层(2... 详细信息

标准号: CN100365768C

提供了具有超薄垂直体晶体管(200)的快速存储器的结构和方法。该快速存储器包括一个存储单元阵列，存储单元包括浮动栅极晶体管(200)。每个浮动栅极晶体管(200)包括从半导体基片(202)向外延伸的柱体(201)。该柱体(201)包括由氧化物层(208)垂直分开的单晶第一接触层(204)和第二接触层(206)。在柱体侧面形成单晶垂直晶体管(210)。该单晶垂直晶体管(210)包括将超薄单晶垂直第一源/漏区(214)和超薄单晶垂直第二源/漏区(216)分开的超薄单晶垂直体区(212)。浮动栅极(212)与超薄单晶垂直体区(212)和由绝缘层(220)从浮动栅极(212)分开的控制栅极(218)相对。

关键词：单晶柱体单晶垂直晶体管浮动栅极晶体管单晶垂直体区快速存储器浮动栅极源/漏区接触层分开绝缘层存储单元阵列半导体基片存储单元晶体管氧化物侧面延伸

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