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文献类型

  • 18 篇 专利

馆藏范围

  • 18 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

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机构

  • 11 篇 力旺电子股份有限...
  • 2 篇 旺宏电子股份有限...
  • 1 篇 微米技术有限公司
  • 1 篇 联华电子股份有限...
  • 1 篇 法国矿业电信学校...
  • 1 篇 柰米闪芯积体电路...
  • 1 篇 美光科技公司

作者

  • 9 篇 陈纬仁
  • 4 篇 黎俊霄
  • 4 篇 徐德训
  • 3 篇 李文豪
  • 2 篇 赖宗沐
  • 2 篇 曹沐潆
  • 2 篇 杨青松
  • 2 篇 陈学威
  • 2 篇 景文澔
  • 2 篇 李峰旻
  • 2 篇 陈信铭
  • 2 篇 陈志欣
  • 2 篇 林昱佑
  • 1 篇 许富菖
  • 1 篇 徐徳训
  • 1 篇 陈自平
  • 1 篇 l·福尔贝斯
  • 1 篇 李武开
  • 1 篇 k·y·阿恩
  • 1 篇 有留诚一

语言

  • 18 篇 中文
检索条件"主题词=浮动栅极晶体管"
18 条 记 录,以下是11-20 订阅
排序:
可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元
可高度微缩的单层多晶硅非易失性存储单元
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作者: 徐德训 黎俊霄 陈学威 中国台湾新竹市
本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元,包括半导体衬底;第一氧化物定义区及第二氧化物定义区;隔离区域,分隔第一氧化物定义区及第二氧化物定义区;PMOS选择晶体管设于第一氧化物定义区上;PMOS浮动栅极晶体管设于第一氧化物... 详细信息
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具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器
具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器
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作者: 徐德训 陈信铭 杨青松 景文澔 陈纬仁 中国台湾新竹市
一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器,包括:一浮动栅极晶体管,包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域;以及一擦除栅区域,其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域;其中,该栅极氧化层... 详细信息
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具可编程可抹除的单一多晶硅层非挥发性存储器
具可编程可抹除的单一多晶硅层非挥发性存储器
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作者: 陈纬仁 徐徳训 李文豪 中国台湾新竹市
本发明公开一种具可编程可抹除的单一多晶硅非挥发性存储器,其包括:一基板结构;一浮动栅极晶体管,包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一沟道区域位于一N型阱区内;以及一抹除栅区域,包括一P型阱区与一n型源/漏... 详细信息
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非易失性存储器结构
非易失性存储器结构
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作者: 陈志欣 陈纬仁 赖宗沐 中国台湾新竹
本发明公开了一种非易失性存储器结构,包括有一基底,其中有第一、第二以及第三有源区域沿着第一方向排成一列并通过绝缘区域互相隔开,所述绝缘区域包括第一中介绝缘区,其介于第一与第二有源区域间,第二中介绝缘区,其介于第二与第... 详细信息
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具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器
具有可编程可擦除的单一多晶硅层非易失性存储器
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作者: 徐德训 陈信铭 杨青松 景文澔 陈纬仁 中国台湾新竹市
一种具有可编程可擦除的单一多晶硅非易失性存储器,包括:一浮动栅极晶体管,包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一通道区域;以及一擦除栅区域,其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该擦除栅区域;其中,该栅极氧化层... 详细信息
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高速高密度以NAND为基础的双晶体管-NOR闪存的新构成
高速高密度以NAND为基础的双晶体管-NOR闪存的新构成
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作者: 李武开 许富菖 美国加州
一种双晶体管NOR闪存单元具有由以NAND为基础的制程制造的一对称的源极和漏极结构。该闪存单元包括由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存储晶体管和由双多晶NMOS浮动栅极晶体管制造的存取晶体管,具有被短路的poly1和poly2的poly1 NMOS... 详细信息
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浮动栅极存储器装置和制造
浮动栅极存储器装置和制造
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作者: 有留诚一 美国爱达荷州
一种包括具有相对于彼此隔离的栅极间介电区域的晶体管浮动栅极存储器阵列及其制造方法。形成浮动栅极晶体管以使得所述阵列中的所述浮动栅极晶体管中的每一者均具有浮动栅极、控制栅极以及其间的栅极间介电层。每一晶体管的所述栅极... 详细信息
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带有超薄垂直体晶体管的快速存储器
带有超薄垂直体晶体管的快速存储器
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作者: L·福尔贝斯 K·Y·阿恩 美国爱达荷州
提供了具有超薄垂直体晶体管(200)的快速存储器的结构和方法。该快速存储器包括一个存储单元阵列,存储单元包括浮动栅极晶体管(200)。每个浮动栅极晶体管(200)包括从半导体基片(202)向外延伸的柱体(201)。该柱体(201)包括由氧化物层(2... 详细信息
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