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主题

  • 1 篇 浮动结-结势垒肖特...
  • 1 篇 外延结构
  • 1 篇 4h-sic
  • 1 篇 功率优值

机构

  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 谢思亮
  • 1 篇 张玉明
  • 1 篇 汤晓燕
  • 1 篇 孙腾飞
  • 1 篇 袁昊

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=浮动结-结势垒肖特基二极管"
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排序:
4H-SiC浮动JBS器件的设计方法
收藏 引用
太赫兹科学与电子信息学报 2019年 第4期17卷 721-725页
作者: 孙腾飞 汤晓燕 谢思亮 袁昊 张玉明 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室
研究了4H-SiC浮动(FJ)势垒肖特基(JBS)二极管的设计方法。提出在上外延层厚度一定的情况下得到外延层最佳掺杂浓度,然后以器件的功率优值(BFOM值)为依据确定出最佳下外延层厚度,进而设计出浮动和表面的最佳构参数。否定了文... 详细信息
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