检索结果-内蒙古大学图书馆

航天器环境工程 2018年第5期35卷 468-472页

作者：董艺沈鸣杰刘岐上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

为深入了解应用NOR Flash工艺的多种器件的总剂量特性,特别是浮栅器件的特殊总剂量效应,开展了浮栅器件和多种NMOS器件总剂量效应的对比试验。基于器件级测试芯片,进行了多种剂量的总剂量试验和高温退火试验,分析了不同器件在总剂量辐... 详细信息

为深入了解应用NOR Flash工艺的多种器件的总剂量特性,特别是浮栅器件的特殊总剂量效应,开展了浮栅器件和多种NMOS器件总剂量效应的对比试验。基于器件级测试芯片,进行了多种剂量的总剂量试验和高温退火试验,分析了不同器件在总剂量辐照下的不同特性,所关注的特性包括器件的漏电流变化和阈值电压变化。通过试验发现浮栅器件受总剂量辐照后会产生弱编程效应且该效应无法通过退火恢复。这一研究成果为抗辐射Flash产品的抗总剂量加固设计提供了依据。

关键词： Flash工艺浮栅器件 NMOS器件总剂量效应漏电流阈值电压

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浮栅器件及其制作方法

浮栅器件及其制作方法

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作者：罗清威李赟周俊 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

本发明涉及浮栅器件及其制作方法，其中，浮栅器件包括设置在半导体衬底中的源极区、第一浮栅、第二浮栅以及控制栅，第一浮栅和第二浮栅的上表面均高于源极区，控制栅设置于第一浮栅和第二浮栅之间，浮栅器件还包括设置于第一浮栅和第... 详细信息

标准号: CN108447866B

本发明涉及浮栅器件及其制作方法，其中，浮栅器件包括设置在半导体衬底中的源极区、第一浮栅、第二浮栅以及控制栅，第一浮栅和第二浮栅的上表面均高于源极区，控制栅设置于第一浮栅和第二浮栅之间，浮栅器件还包括设置于第一浮栅和第二浮栅的上方且位于控制栅两侧的漏极区。该浮栅器件的漏极区和源极区之间构成了纵向的沟道，有利于增加沟道长度，同时抑制短沟道效应以及漏电流，相对于平面结构的浮栅器件，可以在缩小占用半导体衬底表面面积同时避免产生短沟道效应，从而有利于提高存储密度。本发明另外提供了一种浮栅器件的制作方法，可以形成上述结构的浮栅器件。

关键词：浮栅浮栅器件控制栅源极区短沟道效应漏极区沟道半导体衬底表面平面结构漏电流上表面衬底制作半导体存储占用

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浮栅器件及其制作方法

浮栅器件及其制作方法

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作者：罗清威李赟周俊 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号

标准号: CN108447866A

关键词：浮栅浮栅器件控制栅源极区短沟道效应漏极区沟道半导体衬底表面平面结构漏电流上表面衬底制作半导体存储占用

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高电压应用中的浮栅器件

高电压应用中的浮栅器件

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作者： A·扎卡 T·赫尔曼 F·施拉普霍夫吴楠德国德累斯顿

本发明涉及高电压应用中的浮栅器件。本公开涉及半导体结构，更具体地涉及浮栅器件及制造方法。该结构包括：栅极结构，其包括栅极电介质材料和栅电极；以及垂直堆叠的电容器，其位于所述栅电极上方并与所述栅电极电连接。

标准号: CN113782535A

关键词：栅电极浮栅器件栅极电介质材料电容器半导体结构高电压应用垂直堆叠栅极结构电连接制造

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半浮栅器件的制造方法

半浮栅器件的制造方法

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作者：刘珩陆连杨志刚冷江华关天鹏 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明公开了一种半浮栅器件的制造方法，半浮栅器件的栅极结构包括浮栅结构，叠加在浮栅结构顶部的第一控制栅以及跨越浮栅结构和第一控制栅的台阶的第二控制栅，第二控制栅的第二金属栅采用后栅工艺形成，浮栅结构的浮栅多晶硅层会填... 详细信息

标准号: CN113517353A

本发明公开了一种半浮栅器件的制造方法，半浮栅器件的栅极结构包括浮栅结构，叠加在浮栅结构顶部的第一控制栅以及跨越浮栅结构和第一控制栅的台阶的第二控制栅，第二控制栅的第二金属栅采用后栅工艺形成，浮栅结构的浮栅多晶硅层会填充栅极沟槽和介质层窗口，浮栅多晶硅层和后栅工艺中的第三非晶硅伪栅都进行如下平坦化工艺，包括：步骤1、沉积研磨停止层。步骤2、形成研磨层。步骤3、对研磨层进行化学机械研磨工艺研磨并停止在研磨停止层上。步骤4、采用刻蚀工艺对研磨层、研磨停止层和硅不平坦表面底部的浮栅多晶硅层或第三非晶硅伪栅进行刻蚀并停止在所需的高度。本发明能实现具有双控制栅的半浮栅器件从而能使器件实现同时读写，而且能实现很好的平坦化效果。

关键词：浮栅结构控制栅浮栅多晶硅层研磨停止层浮栅器件研磨层后栅工艺非晶硅平坦化伪栅化学机械研磨工艺不平坦表面刻蚀工艺栅极沟槽栅极结构研磨介质层金属栅双控制读写刻蚀沉积填充叠加制造

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一种兼容半浮栅器件和逻辑器件的制备方法

一种兼容半浮栅器件和逻辑器件的制备方法

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作者：刘珩张萌冷江华关天鹏 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本申请提供一种兼容半浮栅器件和逻辑器件的制备方法，包括：提供的衬底包括半浮栅器件区域和逻辑器件区域，衬底中形成有多个浅沟槽隔离结构，在衬底上形成一保护层；去除位于半浮栅器件区域的保护层；在半浮栅器件区域的衬底中形成多... 详细信息

标准号: CN116322047A

本申请提供一种兼容半浮栅器件和逻辑器件的制备方法，包括：提供的衬底包括半浮栅器件区域和逻辑器件区域，衬底中形成有多个浅沟槽隔离结构，在衬底上形成一保护层；去除位于半浮栅器件区域的保护层；在半浮栅器件区域的衬底中形成多个凹槽；在半浮栅器件区域的衬底和凹槽的内壁上形成栅极介质层；刻蚀栅极介质层以露出部分衬底，形成接触窗口；在半浮栅器件区域形成半浮栅结构，其通过接触窗口与衬底直接接触；去除保护层；在衬底上形成多个牺牲栅极结构，位于半浮栅器件区域的牺牲栅极结构覆盖半浮栅结构的两侧侧壁和部分顶部；刻蚀露出的半浮栅结构的中间部分，直至露出凹槽之间的衬底。形成半浮栅结构的过程不会改变逻辑器件区域的形貌。

关键词：衬底浮栅器件浮栅结构保护层逻辑器件区域牺牲栅极结构接触窗口去除浅沟槽隔离结构形貌栅极介质层刻蚀栅极逻辑器件区域形成介质层侧壁刻蚀内壁制备兼容覆盖申请

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半浮栅器件的制造方法

半浮栅器件的制造方法

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作者：刘珩陆连杨志刚冷江华关天鹏 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

标准号: CN113517353B

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半浮栅器件

半浮栅器件

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作者：刘珩冷江华杨志刚关天鹏 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明公开了一种半浮栅器件,浮栅结构覆盖第一阱区的选定区域并用于形成导电沟道。浮栅结构还覆盖轻掺杂漏区表面且在介质层窗口处浮栅材料层和轻掺杂漏区之间接触并形成PN结构。源区和浮栅结构的第一侧面自对准。第一控制栅叠加在浮... 详细信息

标准号: CN115440824A

本发明公开了一种半浮栅器件,浮栅结构覆盖第一阱区的选定区域并用于形成导电沟道。浮栅结构还覆盖轻掺杂漏区表面且在介质层窗口处浮栅材料层和轻掺杂漏区之间接触并形成PN结构。源区和浮栅结构的第一侧面自对准。第一控制栅叠加在浮栅结构的顶部，第一控制栅由第一栅介质层和第一栅极导电材料层叠加而成。第二控制栅设置在漏区和浮栅结构的第二侧面之间的轻掺杂漏区的表面上；第二控制栅由第二栅介质层和第二栅极导电材料层叠加而成。第一控制栅和第二控制栅之间隔离有栅间介质层。第一控制栅用于控制半浮栅器件的读取操作；第二控制栅用于控制半浮栅器件的擦写操作。本发明能实现同时读写和得到更好的信号保持特性。

关键词：控制栅浮栅结构轻掺杂漏区浮栅器件栅极导电材料栅介质层浮栅材料层栅间介质层导电沟道读取操作信号保持选定区域侧面窗口处介质层写操作自对准读写覆盖漏区源区阱区叠加隔离

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一种环形浮栅器件

一种环形浮栅器件

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作者：马国坤钱烽何哲王浩彭小牛桃李段金霞饶毅恒 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号

本发明公开一种环形浮栅器件，涉及半导体技术领域。所述环形浮栅器件包括：衬底、源极、漏极和多个纳米线结构；纳米线结构包括：纳米线沟道以及由内向外依次包裹在纳米线沟道外的隧穿介质层、浮栅层、栅氧化层和栅电极层，纳米线沟道... 详细信息

标准号: CN117174742A

本发明公开一种环形浮栅器件，涉及半导体技术领域。所述环形浮栅器件包括：衬底、源极、漏极和多个纳米线结构；纳米线结构包括：纳米线沟道以及由内向外依次包裹在纳米线沟道外的隧穿介质层、浮栅层、栅氧化层和栅电极层，纳米线沟道的两端均延伸出隧穿介质层、浮栅层、栅氧化层和栅电极层，并分别与源极和漏极相接触；源极和漏极均设置在衬底上，且两极不接触；各纳米线结构由下向上依次设置在两极之间。本发明可以提高浮栅器件的可靠性，解决在沟道内掺杂难以实现与传统常规器件一样均匀的问题，并且也可以解决在源漏施加偏压后两个电极间的平行电场自上而下慢慢减弱，沟道电子注入的难度逐渐增加的问题。

关键词：纳米线沟道纳米线结构浮栅器件漏极源极隧穿介质层栅电极层栅氧化层浮栅层衬底两极半导体技术领域传统常规沟道电子平行电场依次设置由内向外逐渐增加电极不接触沟道源漏掺杂施加延伸

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一种半浮栅器件的制作方法

一种半浮栅器件的制作方法

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作者：杨志刚刘珩冷江华关天鹏 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

本发明提供一种半浮栅器件的制作方法，提供衬底，衬底上设有源区，在有源区中形成N型掺杂深阱；刻蚀N型掺杂深阱形成U型槽；在U型槽中形成第一栅极结构；第一栅极结构包括依附于U型槽内壁的第一栅氧化层以及填充于U型槽中的栅极多晶硅... 详细信息

标准号: CN113948394A

本发明提供一种半浮栅器件的制作方法，提供衬底，衬底上设有源区，在有源区中形成N型掺杂深阱；刻蚀N型掺杂深阱形成U型槽；在U型槽中形成第一栅极结构；第一栅极结构包括依附于U型槽内壁的第一栅氧化层以及填充于U型槽中的栅极多晶硅；第一栅极结构与有源区形成接触口；覆盖多晶硅并平坦化；将平坦化后的衬底进光刻和刻蚀定义出有源区之间的STI区；填充STI区并对其进行表面平坦化。本发明通过先完成半浮柵多晶硅的沉积以及平坦化后，再进行有源区的曝光及隔离工艺。有效解决了嵌入式半浮柵工艺对逻辑工艺STI高度的影响，确保半浮柵工艺的隔离与逻辑工艺STI隔离的有效兼容。在现有的28LP/28HK工艺平台基础上开发制造嵌入式半浮柵器件产品。

关键词：源区栅极结构平坦化衬底多晶硅嵌入式刻蚀深阱填充表面平坦化栅极多晶硅浮栅器件隔离工艺工艺平台逻辑工艺器件产品有效解决栅氧化层接触口与逻辑沉积光刻依附兼容隔离曝光覆盖制作制造开发

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