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作者

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  • 13 篇 舒清明
  • 13 篇 许毅胜
  • 13 篇 熊涛
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  • 5 篇 徐江涛
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语言

  • 94 篇 中文
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运算装置和运算方法
运算装置和运算方法
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作者： 段念 焦慧芳 马超 李檀 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
本发明提供了一种运算装置和运算方法。在实施例中，该装置包括多个浮栅器件排成的M列N行的矩阵，矩阵中每列器件的栅极耦合至同一个字线，每行器件的漏极耦合至同一个位线、源极耦合至同一个源极线；对于每个浮栅器件，当连接的字线施... 详细信息
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一种基于半浮栅的7T全局快门像素结构
一种基于半浮栅的7T全局快门像素结构
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作者： 徐江涛 李凤 史兴萍 王瑞硕 夏梦真 266200 山东省青岛市鳌山卫街道青岛蓝色硅谷核心区莱青路2-2号
一种基于半浮栅的7T全局快门像素结构，包含一个半浮栅器件MSFG，六个开关管和两个电容；先对半浮栅MSFG复位，然后曝光，曝光期间完成对电容C的复位，并将复位信号采样保存至电容C1和C2，曝光完成后将光信号采样并保存至电容C1，最后... 详细信息
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闪存读操作的电压控制装置和方法
闪存读操作的电压控制装置和方法
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作者： 杨光军 201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号
本发明公开了一种闪存读操作的电压控制装置，存储单元都采用分离栅浮栅器件。各第一栅极结构的控制栅连接到控制栅线。在读操作时，电压控制装置用于对未选定存储位的控制栅电压进行控制，包括：设置第一时间段，控制栅电压设置为第一... 详细信息
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一种浮栅及其制作方法
一种浮栅及其制作方法
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作者： 刘钊 熊涛 许毅胜 舒清明 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种浮栅及其制作方法。该制作方法可以包括：提供衬底，并在衬底上依次形成浅沟槽氧化层和浮栅层；对浮栅层进行化学机械研磨处理，以去除浅沟槽氧化层上的浮栅；对剩下的浮栅层进行回刻蚀处理... 详细信息
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一种半导体器件及其制作方法
一种半导体器件及其制作方法
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作者： 尹卓 李智睿 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括闪存器件区和浮栅器件区，所述半导体衬底上形成有图案化的硬掩膜层；以所述图案化的硬掩膜层为掩膜在所述半导体衬底中形成若干浅沟槽隔离结... 详细信息
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一种闪存存储单元及制作方法
一种闪存存储单元及制作方法
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作者： 刘钊 熊涛 许毅胜 舒清明 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15
本发明公开了一种闪存存储单元及制作方法，其中方法包括：于衬底中通过制备第一浅沟槽隔离以隔离出有源区，有源区上依次制备有遂穿氧化层和浮栅结构；对第一浅沟槽隔离进行刻蚀，以暴露出浮栅结构；于第一浅沟槽隔离的表面以及浮栅结... 详细信息
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一种浮栅及其制备方法
一种浮栅及其制备方法
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作者： 许毅胜 熊涛 刘钊 舒清明 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15
本发明公开了一种浮栅及其制备方法。所述制备方法包括：在衬底上依次形成衬垫氧化层和保护介质层，对所述保护介质层、所述衬垫氧化层和所述衬底进行图像化处理，形成有源区和浅沟槽隔离区，并对所述浅沟槽隔离区进行氧化层填充；剥离... 详细信息
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一种低隧穿漏电半浮栅晶体管及其制备方法
一种低隧穿漏电半浮栅晶体管及其制备方法
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作者： 张卫 陈琳 孙清清 200433 上海市杨浦区邯郸路220号
本发明属于集成电路器件制造技术领域，具体为一种低隧穿漏电半浮栅晶体管及其制备方法。本发明中，低隧穿漏电半浮栅晶体管的控制栅及其栅介质层采用高K/金属栅结构，能够进一步减小半浮栅器件栅极的漏电流，提高晶体管的开关速度，并... 详细信息
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减少模拟浮栅存储器中的保持损失
减少模拟浮栅存储器中的保持损失
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作者： A·T·米切尔 美国德克萨斯州
对集成电路执行调节过程，所述集成电路包括浮栅器件，例如模拟或其他电路中的浮栅电容器或晶体管，在模拟或其他电路中所述器件被编程到特定电平。在将浮栅器件初始编程(22)到特定编程电平之后，对集成电路进行调节烘烤(24)，然后重新... 详细信息
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一种闪存存储单元及制作方法
一种闪存存储单元及制作方法
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作者： 刘钊 熊涛 许毅胜 舒清明 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路498号1幢502/15
本发明公开了一种闪存存储单元及制作方法，其中方法包括：于衬底中通过制备浅沟槽隔离以隔离出有源区，有源区上依次制备有遂穿氧化层和多个沟槽；于多个沟槽的侧壁和底部制备U形浮栅，U型浮栅的表面与多个沟槽的表面位于同一平面；对... 详细信息
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