咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程(可...
    • 2 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 2 篇 截止频率
  • 2 篇 t形栅
  • 2 篇 渐变组分高迁移率...

机构

  • 1 篇 单片集成电路与模...
  • 1 篇 南京电子器件研究...

作者

  • 2 篇 康耀辉
  • 2 篇 gao jianfeng
  • 1 篇 陈堂胜
  • 1 篇 张政
  • 1 篇 朱赤
  • 1 篇 kang yaohu
  • 1 篇 高建峰
  • 1 篇 高剑锋
  • 1 篇 kang yaohui
  • 1 篇 黄念宁
  • 1 篇 cheng tangsheng
  • 1 篇 zhu chi
  • 1 篇 zhang zhen
  • 1 篇 huang nianning

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=渐变组分高迁移率晶体管"
2 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
具有136GHz的0.18m GaAs Metamorphic HEMT器件
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2009年 第2期29卷 167-169页
作者: 康耀辉 张政 朱赤 高剑锋 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的I... 详细信息
来源: 评论
156GHz 0.15μm GaAs Metamorphic HEMT器件研制
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2010年 第1期30卷 51-53,128页
作者: 康耀辉 高建峰 黄念宁 陈堂胜 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
应用电子束直写技术成功制作了栅长0.15μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件源漏间距,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al... 详细信息
来源: 评论