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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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27 篇 期刊文献
22 篇 学位论文
9 篇 会议

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2 篇 社交焦虑
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4 篇 深圳大学
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2 篇 北京师范大学
2 篇 西安电子科技大学
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1 篇 邯郸学院
1 篇 认知与人格教育部...
1 篇 临沂师范学院
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1 篇 学生心理发展与学...
1 篇 上海师范大学
1 篇 华南师范大学

作者

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2 篇 李勇
2 篇 gong ding
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1 篇 he yilin
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58 篇 中文

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详细简洁

排序：

持续性疼痛对注意偏向的影响及其机制研究

持续性疼痛对注意偏向的影响及其机制研究

引用

作者：吕笑寒深圳大学

学位级别：硕士

疼痛本身是一种威胁性信息,而威胁能引起并维持注意,因此人们往往选择性地优先注意到疼痛和疼痛相关的信息,表现为对疼痛相关信息的注意偏向。对威胁刺激的注意偏向能够促进个体迅速、准确地探测危险,并规避环境中的潜在危险,是一种适... 详细信息

疼痛本身是一种威胁性信息,而威胁能引起并维持注意,因此人们往往选择性地优先注意到疼痛和疼痛相关的信息,表现为对疼痛相关信息的注意偏向。对威胁刺激的注意偏向能够促进个体迅速、准确地探测危险,并规避环境中的潜在危险,是一种适应性行为。但慢性疼痛患者的疼痛注意偏向是适应不良的,他们偏向于对疼痛相关信息表现出过度警觉,从而导致他们尽量避免一切可能引起疼痛的活动,甚至是合理且有助于恢复的运动,恶化慢性疼痛患者的病症,引发一系列心理和生理功能障碍。然而慢性疼痛患者的注意偏向特点存在较大的异质性,这可能与慢性疼痛的复杂性和注意偏向的评估方法有关。本研究将辣椒素诱发的持续性疼痛模型运用于健康人群,通过结合脑电和计算建模刻画健康人群在疼痛状态下的注意偏向特点,最后验证于临床疼痛患者。研究一采用被试内实验设计,通过涂抹辣椒素或护手霜诱发疼痛或非疼状态,以疼痛相关的图片或文字作为实验材料,采用改良版的点探测范式考察了健康人群在疼痛或非疼状态下的注意偏向特点。计算机每次向受试者呈现一对线索刺激(疼痛-中性材料、中性-中性材料),持续时间为500ms,随后探测点(目标刺激)随机出现在其中一个刺激的位置,任务要求受试者在探测点出现后尽快判断其位置。我们采用漂移扩散模型拟合实验过程中的反应时和准确率,分离出反应决策过程中的漂移率、非决策时间和阈限。在文字点探测任务中,相比于中性试次(探测点出现在中性-中性线索刺激的中性刺激位置),处于疼痛状态下的健康个体在非一致性试次(探测点出现在疼痛-中性线索刺激的中性刺激位置)的漂移率更低且目标刺激诱发的P3波幅更大,而非疼状态下没有表现出这些差异。这表明持续性疼痛影响了注意维持阶段的注意模式,即将注意从疼痛线索中转移出来时其信息积累的速度更慢且需要消耗更多的认知资源。在图片点探测任务中,健康个体在疼痛和非疼状态下的注意偏向特点无显著差异,表明持续性疼痛对注意偏向的影响可能与刺激材料有关。研究二将微状态分析运用于健康个体在疼痛和非疼状态下的自发脑电,然后采用相关分析刻画了疼痛状态下的大尺度脑网络对注意偏向特点的预测。我们成功提取了四种典型的微状态(A-D),分别与听觉网络、视觉网络、突显网络和注意网络有关。相比于非疼状态,健康个体在疼痛状态下微状态C的活动频率更低,而微状态D的活动频率更高,这表明了持续性疼痛对突显网络和注意网络功能的影响。相关分析进一步表明疼痛状态下微状态D的平均持续时间可以预测漂移率的注意解除困难效应。这表明了持续性的疼痛会通过延长注意网络活动的持续时间,使得个体将注意从疼痛线索中转移出来时其信息积累的速度更慢,注意解除困难效应更强。为验证来自于实验性疼痛的研究结果,研究三进一步对比了临床疼痛患者与健康对照人群在文字点探测任务中的注意偏向特点。通过漂移扩散模型拟合实验过程中的反应时和准确率,分离出临床疼痛患者与健康对照人群在反应决策过程中的漂移率、非决策时间和阈限。相对于中性试次,临床疼痛患者在一致性试次(探测点出现在疼痛-中性线索刺激的疼痛刺激位置)的漂移率更大、非决策时间更短,但阈限更大。这表明临床疼痛患者在注意初始定向阶段表现出不同于健康人群的注意偏向特点,即对疼痛线索更快的信息积累速度以及更短的信息编码时间,但倾向于选择更为保守的决策模式。综上,来自实验性诱发疼痛和临床自发疼痛的研究结果表明了持续性疼痛会影响个体对疼痛相关信息的注意偏向特点。实验性疼痛增强了在注意晚期阶段个体对疼痛信息的解除困难,表现为从无效的疼痛预测线索中转移出来时其信息积累的速度更慢以及需要消耗更多的认知资源,且这一模式的改变与疼痛状态下注意网络功能的增强有关。然而,临床疼痛增强了在注意早期阶段个体对疼痛信息的初始定向,表现为被有效的疼痛线索预测的决策中信息积累速度更快且信息编码时间更短,而决策模式更为保守。相关研究结果不仅促进我们理解了疼痛与注意的交互作用模式,拓展了疼痛心理机制相关的理论,还为基于注意偏向矫正的疼痛管理提供了理论基础,帮助预防和治疗疼痛相关疾病。

关键词：疼痛注意偏向点探测任务漂移扩散模型微状态

来源：评论

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过程中不使用睡眠剥夺的疲劳判定方法

过程中不使用睡眠剥夺的疲劳判定方法

引用

作者：江昱晟

学位级别：硕士

在侦测疲劳的实验中，目前最主流的方法是使用部分睡眠剥夺或是完全睡眠剥夺。本论文提出使用模拟驾驶来替代睡眠剥夺的过程，透过让受试者在这段期间集中於耗费精神的事项，以缩短受试者进入疲劳状态的时间，并分析在这种情况下各个疲... 详细信息

在侦测疲劳的实验中，目前最主流的方法是使用部分睡眠剥夺或是完全睡眠剥夺。本论文提出使用模拟驾驶来替代睡眠剥夺的过程，透过让受试者在这段期间集中於耗费精神的事项，以缩短受试者进入疲劳状态的时间，并分析在这种情况下各个疲劳分类标准之间的优劣。在本文中使用精神运动警觉性任务(Psychomotor Vigilance Test)以及卡罗林斯卡嗜睡量表(Karolinska sleepiness scale)来测量受试者的状态，并且在驾驶过程与PVT测试中同时量测心电图(Electrocardiography)讯号。为了从PVT测试中提取特徵值，使用了漂移扩散模型(Drift-Diffusion model)，将PVT测试的特徵值提取成漂移率(Drift rate)与非决定时间(Non-decision time)。使用了KSS、失误次数、ΔRT>250ms次数、漂移率、非决定时间作为疲劳分类参数。将上述参数的资料分成两组，并使用魏克生等级和检定(Wilcoxon rank sum test)来寻找疲劳阈值。用上述阀值将ECG讯号的分类後作为支持向量机(support vector machine)的输入，分析各项疲劳分类标准的差异。我们计算出的疲劳分类阈值与其余使用睡眠剥夺的实验做比对後十分相似，证明了不使用睡眠剥夺的实验流程确实可以使受试者进入疲劳状态。其中非决策时间、失误次数与漂移率的准确率分别为95.83%、94.64%与91.27%，显示出DDM的模拟参数是优於单纯客观测量与主观测量。

关键词：疲劳驾驶心率变异性精神运动警觉性任务卡罗林斯卡嗜睡量表漂移扩散模型魏克生等级和检定

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VDCFET的数值分析

VDCFET的数值分析

引用

作者：郭慧民北京师范大学

学位级别：硕士

该文讨论的垂直偶载场效应管(VDCFET)是近几年提出的一种新型器件.该文从基本半导体方程出发,采用漂移扩散模型(DDM)描述载流子的输运,用Matlab语言作为编程工具,通过数值模拟方法对VDCFET做数值分析.采用有限差分的方法离散化半导体方... 详细信息

该文讨论的垂直偶载场效应管(VDCFET)是近几年提出的一种新型器件.该文从基本半导体方程出发,采用漂移扩散模型(DDM)描述载流子的输运,用Matlab语言作为编程工具,通过数值模拟方法对VDCFET做数值分析.采用有限差分的方法离散化半导体方程中的耦合非线性偏微分方程组,分别采用牛顿迭代法和牛顿-SLOR法求解离散后的一维和二维方程组.工作结果表明,基于以上模型和方法,计算编程的复杂性、计算结果的准确性和计算的费用都是可以接受的.通过计算,得到了VDCFET内部的电场分布,载流子浓度分布和输出特性.并基于此对VDCFET的器件物理和工作原理作了较详细的探讨.

关键词：垂直偶载场效应管漂移扩散模型数值模拟 VDCFET

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半导体器件的三维有限元模拟研究

半导体器件的三维有限元模拟研究

引用

作者：倪宇晖桂林电子科技大学

学位级别：硕士

漂移扩散模型描述了半导体中载流子的运动规律,本文使用有限元法对三维漂移扩散模型进行研究,数值模拟半导体器件的部分电学特性.　　对于一类简化的三维漂移扩散模型,使用边平均有限元法进行求解,得到了相比于标准有限元更好的求解效率... 详细信息

漂移扩散模型描述了半导体中载流子的运动规律,本文使用有限元法对三维漂移扩散模型进行研究,数值模拟半导体器件的部分电学特性.　　对于一类简化的三维漂移扩散模型,使用边平均有限元法进行求解,得到了相比于标准有限元更好的求解效率.在适当网格条件下,边平均有限元的离散形式对应的总刚度矩阵是M-矩阵,这保证了载流子浓度数值解的非负性.数值结果表明,边平均有限元法耗费的CPU时间仅为标准有限元法的一半,且误差更小.　　对于一类带有辐照损伤效应的三维漂移扩散实际问题,利用倒数平均有限元法进行求解,给出了辐照损伤效应下两种半导体器件的计算结果,并对结果进行电学特性分析.首先,对间断的掺杂浓度参数进行连续化处理,避免高电压环境时易出现的求解不收敛现象.其次,考虑SPNP型晶体管和LPNP型晶体管的辐照损伤效应,计算出两种晶体管在辐照环境中出现的总剂量效应.最后,使用倒数平均有限元法对辐照效应下的漂移扩散实际问题进行离散求解,结果表明两种晶体管在辐照损伤效应下会出现基极电流增大现象和电流增益退化现象,并得出SPNP型晶体管对辐照的敏感程度更高.　　基于上述倒数平均有限元法求解半导体器件的工作基础上,利用三维并行自适应有限元平台ParallelHierarchicalGrid,研制了一款三维半导体器件辐照损伤模拟软件Semi-Simu.软件采取客户端-服务端架构,即Client/Server架构,用户可以通过软件的客户端得到半导体器件辐照损伤的模拟结果.该软件的求解器分为辐照损伤求解模块和漂移扩散求解模块,求解器模块均可以在服务端中进行基于分布式内存的高性能并行计算,而商用半导体工艺模拟与器件模拟软件通常不支持分布式内存下的并行计算.

关键词：半导体器件漂移扩散模型辐照损伤边平均有限元

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基于眼动注视点地图的概要因子的构建与探究

基于眼动注视点地图的概要因子的构建与探究

引用

作者：靳志勇华东师范大学

学位级别：硕士

人类在物体搜寻过程中会有多个心理活动共同参与。我们希望通过眼动衡量在众多心理活动中,人类对搜寻物体所在场景的记忆能力以及搜寻过程中人类的元认知能力的情况。因此我们设计了一个实验,基于物体搜寻时被试的注视点地图构建了一个... 详细信息

人类在物体搜寻过程中会有多个心理活动共同参与。我们希望通过眼动衡量在众多心理活动中,人类对搜寻物体所在场景的记忆能力以及搜寻过程中人类的元认知能力的情况。因此我们设计了一个实验,基于物体搜寻时被试的注视点地图构建了一个概要因子,通过分析场景再认任务中的数据以验证该因子的有效性。实验分为两个阶段,在实验第一阶段中,被试需要完成一项物体搜寻任务,我们提出了两种假设,通过将被试的实际注视点地图、显著性地图及理想注视点地图三者经过数学建模,构建出了概要因子;实验第二阶段中,被试需要完成一项新旧场景再认任务,并报告其信心程度。我们通过分层漂移扩散模型得到了能够衡量被试对旧场景记忆程度的漂移率,同时通过分层贝叶斯模型得到了能够衡量被试元认知能力的元认知效率,我们将两种假设下的概要因子以及基于显著性地图得到的概要因子分别与漂移率、元认知效率进行相关性分析,分析结果后得到,两种假设下的概要因子都能够一定程度上反应被试对场景的记忆强度及元认知能力的高低。综上所述,本研究创新地设计了一项眼动实验,根据被试在物体搜寻任务时的注视点地图构建了概要因子,并在之后的场景再认任务中验证了该因子的有效性,结果指出,基于注视点地图构建出的概要因子能够一定程度上反应被试在物体搜索任务状态下对场景的记忆强度以及元认知的能力。

关键词：视觉搜寻显著性地图概要因子再认漂移扩散模型元认知

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双极半导体流体动力学模型的大时间行为

双极半导体流体动力学模型的大时间行为

引用

作者：李靖山东师范大学

学位级别：硕士

本文主要研究双极半导体流体动力学模型的大时间行为,其中(x,t) ∈(0,1) × R+.本文分成四章,第一章主要介绍了半导体流体动力学模型的物理背景,并综述了国内外关于该类模型的研究现状.第二章我们证明了双极半导体流体动力学模型稳... 详细信息

本文主要研究双极半导体流体动力学模型的大时间行为,其中(x,t) ∈(0,1) × R+.本文分成四章,第一章主要介绍了半导体流体动力学模型的物理背景,并综述了国内外关于该类模型的研究现状.第二章我们证明了双极半导体流体动力学模型稳态解的存在性和唯一性,并给出了稳态解的有界性估计.在本章中,我们给出了两种证明方法—不动点方法和变分方法,对比变分方法,不动点方法给出的定理条件要求更强一些.第三章我们得到了当掺杂函数的振幅足够小时,流体动力学模型小初值光滑解指数收敛到稳态解,同时也得到了漂移扩散模型小初值光滑解指数收敛到同一稳态解,最后利用三角不等式得到两类模型的密度函数间的指数收敛关系.第四章利用能量方法和熵不等式,我们建立了双极半导体流体动力学模型弱熵解大时间行为的一般框架,得到了一般本质有界弱熵解指数收敛到稳态解.相比于光滑解的结果,弱熵解没有任何小性及正则性的要求,而且掺杂函数也无振幅的小性要求.

关键词：双极流体动力学模型漂移扩散模型稳态方程稳态解光滑解弱熵解大时间行为

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细长圆管内低气压直流放电中等离子体特性的数值研究

细长圆管内低气压直流放电中等离子体特性的数值研究

引用

作者：赵彦霞大连理工大学

学位级别：硕士

近年来,等离子体材料表面改性技术在许多领域中被广泛需求,但是对圆管内壁进行这样的处理遇到了一定的困难,特别是对细长圆管内壁进行表面改性变得更加困难。为了使等离子体材料表面改性技术能够在细长圆管内壁有效进行,需要研究的物理... 详细信息

近年来,等离子体材料表面改性技术在许多领域中被广泛需求,但是对圆管内壁进行这样的处理遇到了一定的困难,特别是对细长圆管内壁进行表面改性变得更加困难。为了使等离子体材料表面改性技术能够在细长圆管内壁有效进行,需要研究的物理问题是细长圆管内等离子体的产生机制及产生的等离子体物理性质。对于这些问题的研究,数值模拟是一个方便、经济的途径。本文对细长圆管内等离子体的产生机制和产生的等离子体的物理性质进行了数值模拟研究,研究结果将对细长圆管内壁的材料表面改性具有很好的理论指导意义。本文以细长圆管内低气压直流放电产生的等离子体为研究对象,采用一维柱坐标系下的漂移扩散近似建立了数学模型,利用有限差分法进行数值计算,得到了在0.15torr气压下、在给定尺寸的圆管中直流放电所产生等离子体中电子密度、离子密度、电子温度、电离程度、电势分布和电场分布随时间演化的数值结果,分析了在稳态下,改变外加电压、气体压强、电极半径和圆管半径对产生等离子体及等离子体特性的影响。同时,我们更关心圆管内壁附近等离子体的性质,于是分析了在不同的圆管半径下改变外加电压、气体压强、电极半径对圆管内壁附近0.1cm范围内等离子体特性的影响。数值模拟结果表明： (1)在我们的研究参数下,放电达到稳态。在给定的参数下电子密度和离子密度在圆管中的分布几乎相同,都是不均匀的。电子和离子密度达到稳态后,在电极和圆管内壁的中间形成一个高密度等离子体区域。 (2)在圆管轴线中心处的电极区域,可以看到明显的电势降,形成等离子体鞘层区域；在等离子体鞘层区域外,电子密度和离子密度是相同的,电势和电场为常数。电离主要发生在电极和圆管内壁的中间区域。 (3)外加电压、气体压强、电极半径和圆管半径对等离子体特性有重要影响。在其他参数不变的情况下,分别改变外加电压、气体压强、电极半径和圆管半径可以看到,对高密度等离子体区域有显著的影响。 (4)不同的圆管半径下,在圆管内壁附近等离子体特性的分布是不同的。

关键词：细长圆管低气压直流放电漂移扩散模型数值模拟

来源：评论

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自我评价中的效价差异：积极-消极不对称性

自我评价中的效价差异：积极-消极不对称性

引用

作者：王楠西南大学

学位级别：硕士

自我评价指的是个体对自身生理特征和心理特质等方面的判断。个体在面对积极、消极的信息时具有不同的加工过程和心理机制,其不仅有积极信息的偏好性,同样也存在消极偏向。因而有研究提出,在自我评价等自我相关加工中也存在相似的效价差... 详细信息

自我评价指的是个体对自身生理特征和心理特质等方面的判断。个体在面对积极、消极的信息时具有不同的加工过程和心理机制,其不仅有积极信息的偏好性,同样也存在消极偏向。因而有研究提出,在自我评价等自我相关加工中也存在相似的效价差异,即“积极-消极不对称性”。自我评价包括两个成分,第一个是对自身人格特质等方面的认知决策;第二是对自身心理状态(情绪等)的判断,即与自我相关的情绪体验。以往研究中大多只关注自我评价的认知决策结果,即使用自我参照任务中的反应时和符合度从侧面探索自我评价的加工过程,但较少研究关注自我评价的决策过程和情感体验。本研究将从认知决策、情感体验、及两者关系三个方面对自我评价的效价差异进行考察。漂移扩散模型(DDM)是一种可以量化认知决策过程的模型,它自身的统计优势有利于探索复杂决策过程的决策过程,它能够考察反应偏向(z)、加工速率(v)、非决策时间(t)等多项决策过程因素。因此本研究将使用DDM对自我评价的认知决策过程进行探索。在研究一中,64人参加了实验,使用DDM和双选制的自我参照任务探究自我评价决策过程的效价差异。为了探究自我评价的认知决策过程,v、z、t等坐标皆被纳入到DDM的模型构建中。各坐标的效价差异,以及不同效价框架下各坐标和自我评价决策结果之间的关系也会被纳入考察。本实验发现:(1)个体对积极自我相关的特质存在接受偏向(v>0,z>0.5),对消极自我相关的特质存在拒绝偏向(v<0,z<0.5),且这种偏向不仅存在于刺激出现前也出现于信息加工时;(2)个体对积极特质的反应偏向(z)显著高于消极特质;(3)相比于积极特质,个体在消极特质上的非决策时间(t)显著更长;(4)积极自我评价中,个体对积极特质评价的符合度越高,其加工速率越快,反应偏向更强,非决策时间更短。在消极自我评价中,个体对消极特质评价的符合度越高,其加工速率越慢,非决策时间更长,反应偏向更强。(5)消极自我评价中,能够建立起z为预测变量,v为中介变量,符合度为结果变量的中介模型。这说明,个体对不同特质词评价的符合度是由刺激前的反应偏向和加工速率一步一步决定的。研究二引入了自我评价中的情绪体验,分为两个实验。实验二a使用大样本问卷调查的方法(635人)初步探索自我评价决策结果、情感体验及其关系上的效价差异。基于认知和情感的关系,本实验采用改进版的自我参照范式,补充自我意识情绪(自豪感、羞耻感)的测量条目。自我评价符合度的结果代表自我评价的认知决策结果,自豪感和羞耻感的强度作为自我评价的情感体验。结果发现:(1)个体会认为积极特质更符合自身,消极特质更不符合自身;(2)个体在积极自我评价时的自豪感更高,在消极自我评价时的羞耻感更高;(3)当个体认为积极特质更符合自身时,他们拥有更强的自豪感和更低的羞耻感,当个体认为消极特质更符合自身时,会拥有更强的羞耻感和自豪感。实验二b将自我评价的认知决策和情感体验综合起来,共有50人参加实验。重复验证了研究一和实验二a的假设和结果,并探索认知、情感两个系统间关系的效价差异。被试在实验中既需要完成双选制的自我参照任务(同实验二a),也需要完成补充情感测量的自我参照任务(同研究一)。本实验发现了以下新结果:在积极自我评价中,能够建立起反应偏向、加工速率、决策结果和自豪感之间的链式中介模型。刺激出现前越倾向于接受积极特质,其在随后的评价决策过程中加工速率就越高,最终评定的符合度越高,所产生的自豪感就越高。而在消极自我评价中,能够构建起羞耻感的链式中介模型。刺激前个体拒绝消极特质的反应偏向越低,其随后的加工速率越低,最终评价的符合度越高,所产生的羞耻感就越高。同时,消极自我评价中,自豪感的产生是反应偏向直接通过加工速率影响的。刺激前个体拒绝消极特质的反应偏向越低,其随后的加工速率越低,评价所产生的自豪感就越高。这都说明,自我评价中的情绪体验和认知决策之间存在密切联系。并且,消极自我评价情境下的自豪感存在复杂性,其和羞耻感产生的过程机制差异性较大。

关键词：自我评价漂移扩散模型自我积极偏向自豪羞耻

来源：评论

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典型NBTI效应和带偏置NBTI效应的数值模拟研究

典型NBTI效应和带偏置NBTI效应的数值模拟研究

引用

作者：刘毅深圳大学

学位级别：硕士

近年来,随着大数据、深度学习等互联网技术的高速发展,人们对处理器的性能要求越来越高,从而推动了集成电路的蓬勃发展。随着集成电路特征尺寸的进一步减小,可靠性问题变得越来越突出,其中最主要的因素就包括NBTI(Negative Bias Tempera... 详细信息

近年来,随着大数据、深度学习等互联网技术的高速发展,人们对处理器的性能要求越来越高,从而推动了集成电路的蓬勃发展。随着集成电路特征尺寸的进一步减小,可靠性问题变得越来越突出,其中最主要的因素就包括NBTI(Negative Bias Temperature Instability)效应。在微纳米尺度(沟道长度小于90nm),NBTI效应比沟道热载流子效应引发的pMOS器件退化更为突出,严重威胁着器件和电路的可靠性,因此,对NBTI效应的研究就成为了可靠性研究的一个新热点。然而,在器件实际工作时,沟道界面电荷来源复杂,无法单一确定NBTI效应对器件本身造成的影响,因此使用TCAD数值模拟实验的方法就显得更加重要。但是目前的TCAD数值模拟软件大多被国外一些大型商业公司垄断,无法对根据人们自身的需求进行软件的二次开发,当需要研究如典型NBTI、带偏置NBTI效应等时,则没有办法进行相应的数值模拟研究,妨碍了人们对这些问题的科学认识和创新。作者研究生论文抓住这一机会,从研究NBTI效应机理出发,通过对已有的器件仿真软件进行二次开发,构建了新的算法和工具,建立了界面电荷退化模型,结合NBTI退化氢分子的漂移扩散模型、反应扩散模型、二维半导体器件数值模拟软件进行联合计算,然后利用已有的科研成果和器件物理规律,简要的分析了典型NBTI、带偏置NBTI退化效应的规律。在进行研究上论文期间,作者主要进行了以下几个部分的工作:(1)通过查阅相关文献,对pMOS器件NBTI效应机理进行了详细地分析与研究,并根据已有的内部和外部资料,推导出一个典型NBTI效应的计算模型。(2)在数值模拟软件Genius-Open中加入典型NBTI的漂移扩散模型,设计NBTI退化算法,结合二维器件模拟软件对NBTI效应进行模拟,完成了一套软件SZU-NBTI,用于计算退化产生的电荷及其对器件性能的影响。(3)利用利用SZU-NBTI效应模拟软件,研究典型NBTI效应对器件的参数的影响,以及其产生的机理,分析影响典型NBTI效应的器件因素,给出适当建议,以便在实际生产器件过程中,尽量减少器件NBTI效应对器件的影响。(4)分析带偏置NBTI效应的漂移扩散模型,将其移植到数值模拟软件Genius-Open中,研究带偏置NBTI效应对器件性能的影响,探究带偏置NBTI效应的一些规律。

关键词：负偏压温度不稳定性(NBTI) 器件模拟(TCAD) 漂移扩散模型典型NBTI效应带偏置NBTI效应

来源：评论

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基于有限体积法的半导体器件数值模拟

基于有限体积法的半导体器件数值模拟

引用

作者：丁红梅电子科技大学

学位级别：硕士

从20世纪中期开始,电子工业取得了长足的进步,目前已成为世界上最大的产业,而其基础是半导体器件。为了适应电子工业的巨大需求,半导体器件也取得了突飞猛进的发展。对半导体器件进行分析设计具有重要的应用价值。自从Shockley奠定了半... 详细信息

从20世纪中期开始,电子工业取得了长足的进步,目前已成为世界上最大的产业,而其基础是半导体器件。为了适应电子工业的巨大需求,半导体器件也取得了突飞猛进的发展。对半导体器件进行分析设计具有重要的应用价值。自从Shockley奠定了半导体器件的理论基础以来,人们习惯于用解析技术来分析半导体器件。解析技术是通过一定的分析和假设,给出在一定条件下的数学表达式来描述器件的物理和电学特性。解析技术虽然使用方便,同时己被大量实验证明是有效的,但是因为解析求解的困难,通常只能用来处理一维问题,并且需要做很多的假设,所以其精度不够高,有的时候甚至难以反映出有关的物理效应。随着大规模集成电路(VLSI)器件发展得越来越精密、复杂,其二维、三维效应也越来越来明显,因此对半导体器件模拟的要求也越来越高。这种一维分析越来越不能满足需要,我们需要研究其二维、三维效应,正是在这种需求下产生了数值模拟技术。半导体器件数值模拟技术是从半导体器件所满足的基本方程出发,根据器件的几何结构建立严格的数学模型,对其进行求解,得到器件的特性参数。根据上述分析,我们可以很清晰地认识到,数值模拟技术比解析技术精确的多,当然其求解过程也要复杂些。对于小尺寸器件,一般都采用数值模拟技术,这样才能满足器件的分析与设计的基本需要。本论文是以有限体积法为理论基础,对半导体器件进行数值模拟的。主要内容有： 1、首先分析半导体器件的一些特性概要,让我们对半导体器件有一定程度的认识。 2、详细推导了半导体器件的物理模型和数值计算方法,给出了物理模型方程,方程的离散,网格划分,求解方法等。 3、利用C、C++实现了二维半导体器件数值仿真程序编写和调试,并以n-p-n晶体管为例进行了仿真。

关键词：半导体器件数值模拟漂移扩散模型有限体积法 n-p-n晶体管

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