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  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 沟道电势
  • 1 篇 碳化硅mesfet
  • 1 篇 漏极引致势垒降低...
  • 1 篇 阈值电压

机构

  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 贾护军
  • 1 篇 杨银堂
  • 1 篇 韩茹

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=漏极引致势垒降低效应"
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短沟道SiC MESFET亚阈值特性
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功能材料与器件学报 2008年 第4期14卷 810-814页
作者: 韩茹 杨银堂 贾护军 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 西安710071
基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性。研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最... 详细信息
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