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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程(可...
    • 2 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 2 篇 三角阱近似
  • 2 篇 量子电容
  • 2 篇 漏电压引起的阈值...
  • 2 篇 电荷控制模型
  • 2 篇 类mesfet模拟
  • 2 篇 漏电压引起的势垒...
  • 2 篇 漏电压引起的能带...
  • 2 篇 电荷控制中的量子...

机构

  • 2 篇 南京电子器件研究...

作者

  • 2 篇 陈堂胜
  • 2 篇 杨乃彬
  • 2 篇 孔月婵
  • 2 篇 kong yuechan
  • 2 篇 xue fangshi
  • 2 篇 薛舫时
  • 2 篇 chen tangsheng
  • 2 篇 yang naibin

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"主题词=漏电压引起的阈值电压移动"
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排序:
GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2021年 第5期41卷 337-342页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 孔月婵 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果... 详细信息
来源: 评论
GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续)
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2021年 第6期41卷 425-431页
作者: 薛舫时 杨乃彬 陈堂胜 孔月婵 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016
从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果... 详细信息
来源: 评论