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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

123 篇 专利

馆藏范围

123 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

13 篇 欧司朗光电半导体...
10 篇 武汉智汇芯科技有...
7 篇 深圳市大疆创新科...
4 篇 武汉盛为芯科技有...
4 篇 成都英思嘉半导体...
4 篇 光速株式会社
3 篇 江苏奥雷光电有限...
3 篇 株式会社伏沃
3 篇 湖北冠升光电科技...
3 篇 中国电子科技集团...
3 篇 颖飞公司
2 篇 展晶科技有限公司
2 篇 深圳市利拓光电有...
2 篇 江苏师范大学
2 篇 松山湖材料实验室
2 篇 通快光子学公司
2 篇 天津凯普林光电科...
2 篇 三菱电机株式会社
2 篇 武汉瑞思顿光电科...
2 篇 山东建筑大学

作者

10 篇 金定洙
10 篇 艾尔弗雷德·莱尔
8 篇 森克·陶茨
8 篇 克莱门斯·菲尔海利...
8 篇 乌韦·施特劳斯
7 篇 余凯
5 篇 洪小平
5 篇 刘祥
5 篇 张振峰
4 篇 任永学
4 篇 维卡斯·马南
4 篇 赖人铭
4 篇 鲁晓东
4 篇 董帅
4 篇 卡斯滕·奥恩
3 篇 闫立华
3 篇 杨国良
3 篇 拉德哈克里什南·l...
3 篇 房玉锁
3 篇 杨明

语言

123 篇 中文

检索条件"主题词=激光二极管芯片"

共 123 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

激光二极管芯片

激光二极管芯片

引用

作者：克里斯托夫·艾希勒特雷莎·武尔姆德国雷根斯堡

描述一种激光二极管芯片(10)，所述激光二极管芯片具有n型半导体区域(3)、p型半导体区域(5)和设置在n型半导体区域(3)和p型半导体区域(5)之间的有源层(4)，所述有源层构成为单量子阱结构。单量子阱结构具有量子阱层(43)，所述量子阱层... 详细信息

标准号: CN107394584A

描述一种激光二极管芯片(10)，所述激光二极管芯片具有n型半导体区域(3)、p型半导体区域(5)和设置在n型半导体区域(3)和p型半导体区域(5)之间的有源层(4)，所述有源层构成为单量子阱结构。单量子阱结构具有量子阱层(43)，所述量子阱层设置在第一势垒层(41)和第二势垒层(42)之间，其中第一势垒层(41)朝向n型半导体区域(3)，并且第二势垒层(42)朝向p型半导体区域(5)。量子阱层(43)的电子带隙E_QW小于第一势垒层(41)的电子带隙E_B1并且小于第二势垒层(42)的电子带隙E_B2，并且第一势垒层(41)的电子带隙E_B1大于第二势垒层(42)的电子带隙E_B2。

关键词：势垒层电子带隙量子阱层激光二极管芯片单量子阱结构源层

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激光二极管芯片、封装模块、发射及测距装置、电子设备

激光二极管芯片、封装模块、发射及测距装置、电子设备

引用

作者：刘祥董帅洪小平 518057 广东省深圳市南山区高新南区粤兴一道9号香港科大深圳产学研大楼6楼

本发明提供了一种激光二极管芯片、激光二极管封装模块及发射装置、测距装置、电子设备。所述激光二极管芯片包括：衬底，具有第一表面和第二表面；激光二极管阵列，包括形成在所述衬底上的至少两个激光二极管；其中，每个所述激光二极... 详细信息

标准号: CN112219324A

本发明提供了一种激光二极管芯片、激光二极管封装模块及发射装置、测距装置、电子设备。所述激光二极管芯片包括：衬底，具有第一表面和第二表面；激光二极管阵列，包括形成在所述衬底上的至少两个激光二极管；其中，每个所述激光二极管的P电极均形成在所述衬底的第一表面上，每个所述激光二极管的N电极均形成在所述衬底的第二表面上，每个所述激光二极管的发光区分别形成在所在的激光二极管的P电极和N电极之间；其中，所述激光二极管采用N电极驱动方式，且相邻的所述激光二极管的所述N电极之间彼此隔离。通过本发明所述设置可以利用微纳加工工艺保证多线光源之间相对位置的准确性，同时又能够实现各个光源之间的独立的快速驱动。

关键词：激光二极管衬底激光二极管芯片第二表面第一表面发射装置激光二极管阵列测距装置电子设备多线光源封装模块工艺保证快速驱动驱动方式微纳加工发光区光源隔离

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激光二极管芯片功率检测电极

激光二极管芯片功率检测电极

引用

作者：范文利王传慧焦方方张涵陈继文于复生 250101 山东省济南市临港区凤鸣路1000号

一种激光二极管芯片功率检测电极，是由基座、电极片、驱动电机、减速机、凸轮、绝缘板、螺钉、绝缘垫片、键组成的，其特征在于：电极片由逐渐变窄变薄的金属板材制成，电极片的测头端向下弯折成圆弧状，电极片的另一端通过螺钉、绝缘... 详细信息

标准号: CN202522590U

一种激光二极管芯片功率检测电极，是由基座、电极片、驱动电机、减速机、凸轮、绝缘板、螺钉、绝缘垫片、键组成的，其特征在于：电极片由逐渐变窄变薄的金属板材制成，电极片的测头端向下弯折成圆弧状，电极片的另一端通过螺钉、绝缘垫片与绝缘板一起安装在基座上，驱动电机固定在基座上，减速机安装在驱动电机端面上，使用绝缘材料制作的凸轮通过键安装在减速机的输出轴上。该实用新型的有益之处是：能提高激光二极管芯片功率检测效率，降低激光二极管芯片功率检测时芯片的损坏率。

关键词：电极片激光二极管芯片功率检测驱动电机减速机绝缘垫片螺钉绝缘板金属板材绝缘材料输出轴圆弧状电极头端弯折芯片损坏固定

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激光二极管芯片功率测试夹具

激光二极管芯片功率测试夹具

引用

作者：范明海霍鑫 116600 辽宁省大连市保税区滇池路15号

本实用新型公开一种激光二极管芯片功率测试夹具，包括水平位移台(1)和固定在水平位移台上表面的温控台(2)，其特征在于；所述的温控台(2)上开设有凹槽，与凹槽相配有夹具体(3)，在夹具体(3)的一个侧边均匀设置有多个载体槽(4)，在夹具... 详细信息

标准号: CN201974446U

本实用新型公开一种激光二极管芯片功率测试夹具，包括水平位移台(1)和固定在水平位移台上表面的温控台(2)，其特征在于；所述的温控台(2)上开设有凹槽，与凹槽相配有夹具体(3)，在夹具体(3)的一个侧边均匀设置有多个载体槽(4)，在夹具体(3)的另一个侧边均匀设置有多个芯片槽(5)。这是一种结构简单，成本低廉，可以对激光二极管芯片实现标准化、批量化功率测量的，再现性强，效率高的激光二极管芯片功率测试夹具。

关键词：激光二极管芯片夹具体夹具功率测试水平位移侧边温控量化功率再现性芯片固定

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激光二极管芯片烧结机

激光二极管芯片烧结机

引用

作者：丁宏玉王哲红龙文黄前谭科明 518057 广东省深圳市高新技术产业园南区科技南十二路飞通大厦技术部

本实用新型提供一种激光二极管芯片烧结机，包括：一顶部开口的炉体、一设有芯片烧结观察窗的炉盖、一具有顶盖的炉体内罩、一加热装置、一芯片烧结托盘、一热沉限位板、一压力可调装置。加热装置位于炉体内罩中，芯片烧结托盘平放于炉... 详细信息

标准号: CN2852469Y

本实用新型提供一种激光二极管芯片烧结机，包括：一顶部开口的炉体、一设有芯片烧结观察窗的炉盖、一具有顶盖的炉体内罩、一加热装置、一芯片烧结托盘、一热沉限位板、一压力可调装置。加热装置位于炉体内罩中，芯片烧结托盘平放于炉体内罩顶盖上，热沉限位板悬挂在芯片烧结托盘的上方，该限位板设有多个热沉限位卡槽，卡槽的大小形状与热沉相适配；每个卡槽上方均设有一个压力可调装置，该装置包括一压力杠杆，其上包括一顶针和一调压称砣，顶针的下端指向所述卡槽内热沉上的芯片中心，调压称砣活动设置于压力杠杆的自由端和顶针之间。采用该种结构的激光二极管芯片烧结机，可实现单次多芯片烧结均很牢固，且可实时观察芯片的烧结情况。

关键词：烧结卡槽热沉芯片顶针托盘激光二极管芯片加热装置压力杠杆顶盖调装置烧结机称砣调压顶部开口烧结情况实时观察芯片中心多芯片观察窗自由端单次炉盖炉体平放适配下端悬挂牢固

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激光二极管芯片功率检测电极

激光二极管芯片功率检测电极

引用

作者：范文利王传慧焦方方张涵陈继文于复生 250101 山东省济南市临港区凤鸣路1000号

标准号: CN102590561A

一种激光二极管芯片功率检测电极，是由基座、电极片、驱动电机、减速机、凸轮、绝缘板、螺钉、绝缘垫片、键组成的，其特征在于：电极片由逐渐变窄变薄的金属板材制成，电极片的测头端向下弯折成圆弧状，电极片的另一端通过螺钉、绝缘垫片与绝缘板一起安装在基座上，驱动电机固定在基座上，减速机安装在驱动电机端面上，使用绝缘材料制作的凸轮通过键安装在减速机的输出轴上。该发明的有益之处是：能提高激光二极管芯片功率检测效率，降低激光二极管芯片功率检测时芯片的损坏率。

关键词：电极片激光二极管芯片功率检测驱动电机减速机绝缘垫片螺钉绝缘板金属板材绝缘材料输出轴圆弧状电极头端弯折芯片损坏固定

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一种用于激光二极管芯片高重复性位置识别的方法及装置

一种用于激光二极管芯片高重复性位置识别的方法及装置

引用

作者：鲁晓东余凯 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷三路777号5号电子厂房4层南区

本发明公开了一种用于激光二极管芯片高重复性位置识别的方法，具体包括如下步骤：步骤1：基本定位操作，步骤2：进阶的定位操作，步骤3：装置的基本操作，本发明涉及芯片技术领域。该用于激光二极管芯片高重复性位置识别的方法及装置... 详细信息

标准号: CN112349630B

本发明公开了一种用于激光二极管芯片高重复性位置识别的方法，具体包括如下步骤：步骤1：基本定位操作，步骤2：进阶的定位操作，步骤3：装置的基本操作，本发明涉及芯片技术领域。该用于激光二极管芯片高重复性位置识别的方法及装置，装置能够通过工作人员的手动调整，手动螺杆能够带动显位块移动至精确位置，同时限制块表面开设一定角度，方便工作伸缩杆伸长时，及时芯片掉落在限制块的表面，也能顺着限制块自行降落在限制块表面，通过位置标注装置的设置，装置整体能够通过左右移动水平顶板从而带动定位头移动至相关精确位置，装置中的夹紧板能够被复位弹簧推动与水平顶板表面紧密固定，提高了装置操作时的精确程度。

关键词：激光二极管芯片定位操作高重复性水平顶板位置识别芯片技术领域表面开设复位弹簧基本操作紧密固定手动调整手动螺杆位置标注装置操作左右移动定位头夹紧板伸缩杆掉落伸长移动进阶位块芯片降落

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半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试方法及装置

半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试方法及装置

引用

作者：邱德明张振峰杨国良 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区大学园路20号武汉普天科技园2大楼一层103-2室

本发明公开了半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试方法和装置，方法包括以下步骤：步骤一、对芯片进行直流测试，测试芯片的直流特性指标；步骤二、根据步骤一测得的直流特性指标，计算出芯片在调制状态下的工作电流Iop，按照应... 详细信息

标准号: CN108983064A

本发明公开了半导体激光二极管芯片高速直调动态光谱测试方法和装置，方法包括以下步骤：步骤一、对芯片进行直流测试，测试芯片的直流特性指标；步骤二、根据步骤一测得的直流特性指标，计算出芯片在调制状态下的工作电流I_op，按照应用时的消光比计算出，峰值功率点P₁及峰值功率点P₀的工作电流I₁、I₀；步骤三、将偏置器切换到动态模式，电流源给出脉冲调制电流，调整脉冲调制电流加电的范围为I₀～I₁，测试芯片的动态光谱。本发明在芯片直流测试的基础上，增加调制测试，测试半导体激光二极管芯片的动态调制下的光谱特性，从而筛除未加调制和调制下激射的光谱会发生变化的芯片，从而提供后续续封装阶段的器件的合格率。