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一种过流保护用熔断器及其制作方法
一种过流保护用熔断器及其制作方法
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作者： 李永清 410003 湖南省长沙市开福区四方坪科大佳园银杏苑17-502
本发明涉及一种过流保护用熔断器及其制作方法，该熔断器包括由高介电常数介质制成的基板及设置在基板上下两侧的第一电极和第二电极；第一电极包括隔开并列设置的两部分；熔断体的两端分别连接在第一电极的两部分上，或者熔断体与第一... 详细信息
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半导体器件和用于制造半导体的方法
半导体器件和用于制造半导体的方法
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作者： 加布里埃莱·贝蒂纳施 迈克尔·舍雷克 乌韦·赛德尔 沃尔夫冈·沃尔特 于贝尔·维尔特曼 德国瑙伊比贝尔格市
本发明涉及半导体器件和用于制造半导体的方法，其中该半导体器件包括：半导体基底、在半导体基底上的无机隔离层和在无机隔离层上的金属化层。金属化层包括熔断器结构。至少在熔断器结构的区域，金属化层和无机隔离层具有公共界面。
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