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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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37 篇 专利
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作者

22 篇 姚忻
9 篇 焦玉磊
9 篇 郑明辉
8 篇 朱彦涵
7 篇 陈媛媛
7 篇 崔祥祥
7 篇 肖玲
6 篇 郭林山
6 篇 王伟
5 篇 陈尚荣
4 篇 钱俊
4 篇 颜士斌
4 篇 程玲
4 篇 彭波南
4 篇 李昊辰
4 篇 万炎
4 篇 相辉
4 篇 黄思敏
3 篇 李成山
3 篇 任洪涛

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52 篇 中文

检索条件"主题词=熔融织构生长"

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用于REBCO超导体块材再生长的方法

用于REBCO超导体块材再生长的方法

引用

作者：姚忻朱彦涵黄思敏万炎 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明提供一种用于REBCO超导体块材再生长的方法，包括以下步骤：步骤一，将空的管式炉升温到极高温度并保温；步骤二，将低性能的REBCO超导体块材快速放入高温的管式炉内进行热处理；步骤三，对上述热处理后的REBCO超导体块材进行顶... 详细信息

标准号: CN112048766A

本发明提供一种用于REBCO超导体块材再生长的方法，包括以下步骤：步骤一，将空的管式炉升温到极高温度并保温；步骤二，将低性能的REBCO超导体块材快速放入高温的管式炉内进行热处理；步骤三，对上述热处理后的REBCO超导体块材进行顶面磨平处理；步骤四，将顶面磨平处理后的上述REBCO超导体块材置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长，实现低性能REBCO超导体块材的再生长。本发明强调了先对炉体升温后放入块材的热处理工艺步骤，将低性能的REBCO块材预先经过快速升温熔融的处理。该高温不受籽晶热稳定性的限制，可以促进低性能REBCO块材中组分的瞬间分解以及形核，以达到高温相Y₂O₃颗粒细小化的作用，有利于再生长后REBCO块材性能的提高，操作简单，经济高效。

关键词：超导体块材低性能块材再生长热处理管式炉顶面放入磨平热处理工艺步骤熔融织构生长顶部籽晶快速升温炉体升温热稳定性高温相生长炉熔融形核籽晶保温分解

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一种利用组分分层控制法生长REBCO高温超导块材的方法

一种利用组分分层控制法生长REBCO高温超导块材的方法

引用

作者：姚忻黄思敏尹伊倩万炎钱俊朱彦涵 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明公开了一种利用组分分层控制，生长REBCO(RE＝Sm,Nd，La)高温超导块材的方法，包括如下工序：a)制备富钡组分的RE123SS、RE211SS相以及普通组分的RE123、RE211粉末；b)制备分层组分的前驱体；c)将籽晶放置在前驱体的上表面；d)将... 详细信息

标准号: CN110373717A

本发明公开了一种利用组分分层控制，生长REBCO(RE＝Sm,Nd，La)高温超导块材的方法，包括如下工序：a)制备富钡组分的RE123_SS、RE211_SS相以及普通组分的RE123、RE211粉末；b)制备分层组分的前驱体；c)将籽晶放置在前驱体的上表面；d)将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长。本发明采用顶部籽晶熔融织构法，制备高性能REBCO高温超导块材，在块体的上层采用常规组分，下层部分采用富钡组分，顶部籽晶首先快速将上层普通组分ab面长满，然后上层已长满的部分充当一个大籽晶可将下层富钡组分粉体的ab面长满，获得大c畴的LREBCO块材，提高磁悬浮力、冻结磁场等性能。

关键词：前驱体高温超导块材顶部籽晶上层籽晶下层制备熔融织构生长熔融织构法制备高性能磁悬浮力分层控制上表面生长炉大籽分层粉体块材块体磁场冻结生长

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REBCO高温超导块体材料的制备方法

REBCO高温超导块体材料的制备方法

引用

作者：姚忻颜士斌程玲李天宇 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明涉及一种REBCO高温超导块体材料的制备方法，特别涉及REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法。REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法，包括以下工序：a)原料的配料混合；b)研磨、煅烧处理，得到超导材料粗坯；c)压片；d)... 详细信息

标准号: CN102584250A

本发明涉及一种REBCO高温超导块体材料的制备方法，特别涉及REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法。REBCO高温超导块体材料的熔融织构生长方法，包括以下工序：a)原料的配料混合；b)研磨、煅烧处理，得到超导材料粗坯；c)压片；d)灼烧；e)冷却，得到REBCO高温超导块体材料；工序e)冷却包括以下步骤：e₁)降温至缓冲温度区间，保温；e₂)降温至生长温度，保温；e₃)淬火。本发明解决了现有的熔融织构生长方法从最高温降温至生长温度时产生自发形核，导致REBCO高温超导块体材料生长失败的技术问题。

关键词：高温超导熔融织构生长降温生长温度保温冷却超导材料材料生长温度区间制备方法自发形核煅烧处理研磨最高温淬火缓冲压片

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一种铁掺杂的REBCO高温超导准单晶体的制备方法

一种铁掺杂的REBCO高温超导准单晶体的制备方法

引用

作者：樊文硕李昊辰王伟张乐天崔祥祥郭林山相辉姚忻 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明提供了一种铁掺杂的REBCO高温超导准单晶体的制备方法，包括：制备RE123相的粉末；制备前驱体：将RE123相的粉末按RE123+（3~5）mol%Fe2O3+1wt%CeO2的比例均匀混合后，再压制而成的圆柱形前驱体；将籽晶放置在前驱体的上表面；将... 详细信息

标准号: CN104264226A

本发明提供了一种铁掺杂的REBCO高温超导准单晶体的制备方法，包括：制备RE123相的粉末；制备前驱体：将RE123相的粉末按RE123+（3~5）mol%Fe₂O₃+1wt%CeO₂的比例均匀混合后，再压制而成的圆柱形前驱体；将籽晶放置在前驱体的上表面；将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导材料。本发明采用顶部籽晶熔融织构制备铁掺杂的REBCO高温超导准单晶体，在制备工艺过程中，只需要将Fe₂O₃均匀混入前驱体粉末中，压制圆柱状前驱体，方法简单、易于操作、完全重复可控。

关键词：前驱体籽晶高温超导单晶体压制掺杂高温超导材料熔融织构生长制备工艺过程前驱体粉末制备方法制备前驱上表面生长炉圆柱状熔融织构顶部

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用掺杂低温燃烧合成法制备的Gd211相提高GdBaCuO高温超导体性能的方法

用掺杂低温燃烧合成法制备的Gd211相提高GdBaCuO高温超导体性能的...

引用

作者：焦玉磊肖玲郑明辉马小海宿新泰燕青芝葛昌纯 100088 北京市新街口外大街2号

用掺杂低温燃烧合成法制备的Gd211相提高GdBaCuO高温超导体性能的方法，包括：第一步，把Gd2O3与CuO分别用浓硝酸溶解，Ba(NO3)2用去离子水溶解，溶解完毕后将三种溶液混合；第二步，选用柠檬酸(CA)作为主络合剂，乙二胺四乙酸(EDTA)作... 详细信息

标准号: CN101471162B

用掺杂低温燃烧合成法制备的Gd211相提高GdBaCuO高温超导体性能的方法，包括：第一步，把Gd₂O₃与CuO分别用浓硝酸溶解，Ba(NO₃)₂用去离子水溶解，溶解完毕后将三种溶液混合；第二步，选用柠檬酸(CA)作为主络合剂，乙二胺四乙酸(EDTA)作为辅助络合剂，得到混合溶液，并向混合溶液中加入NH₄NO₃；第三步，调节混合溶液的pH＝8.0-8.1，恒温蒸发至胶状，然后在90℃-120℃脱水得到干凝胶；第四步，将干凝胶置于马弗炉中在600-920℃焙烧2小时，得到Gd211粉体；第五步，将Gd211粉体加入到固相法合成的Gd123粉体中，再掺入相对于Gd123与Gd211混合粉体的0.2wt％-0.5wt％的Pt，然后经球磨混合均匀后，用单轴模压成型，再采用顶部籽晶结合熔融织构生长工艺制备单畴GdBaCuO超导块。本发明的方法制备高性能的GdBaCuO高温超导体，其磁悬浮力和临界电流密度均能得到提高，临界电流密度的提高幅度更大。

关键词：混合溶液粉体临界电流密度高温超导体干凝胶低温燃烧合成法焙烧熔融织构生长乙二胺四乙酸柠檬酸辅助络合剂制备高性能磁悬浮力工艺制备混合粉体模压成型去离子水硝酸溶解固相法络合剂马弗炉单畴单轴胶状球磨籽晶脱水顶部蒸发掺杂

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一种利用腐蚀籽晶诱导生长REBCO高温超导块材的方法

一种利用腐蚀籽晶诱导生长REBCO高温超导块材的方法

引用

作者：姚忻钱俊相辉刘艳 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明公开了一种利用腐蚀籽晶诱导生长REBCO高温超导块材的方法，涉及高温超导体材料；包括1）制备RE123相与RE211相的粉末；2）将RE123和RE211混合，并添加CeO2压制成圆柱体前驱体；3）将籽晶放置在工序2）所述前驱体的圆形面的表面... 详细信息

标准号: CN106087034A

本发明公开了一种利用腐蚀籽晶诱导生长REBCO高温超导块材的方法，涉及高温超导体材料；包括1）制备RE123相与RE211相的粉末；2）将RE123和RE211混合，并添加CeO₂压制成圆柱体前驱体；3）将籽晶放置在工序2）所述前驱体的圆形面的表面上；且所述籽晶的诱导结晶面与所述前驱体的圆形面的表面相接触；所述籽晶的诱导结晶面包括被腐蚀部分和未腐蚀部分，所述被腐蚀部分为将正方形的薄膜籽晶的四个角利用腐蚀剂腐蚀而成的部分，其中四个角上被腐蚀部分呈大小相同的小正方形；未腐蚀部分呈十字交叉状；4）将工序3）的前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块材。本发明的方法简单、易于操作、完全重复可控。

关键词：籽晶腐蚀前驱体高温超导块材诱导结晶高温超导体材料熔融织构生长十字交叉状小正方形诱导生长腐蚀剂生长炉可控制备薄膜压制重复

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利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法

利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法

引用

作者：姚忻朱彦涵 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明提供一种利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法，包括以下步骤：配制RE123和RE211纯相粉末，按照RE123+30mol％RE211+1wt％CeO2的组分配料，充分碾磨混合均匀，得到前驱粉料；根据模具直径不同，将所述粉料称取合适质... 详细信息

标准号: CN113430646B

本发明提供一种利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法，包括以下步骤：配制RE123和RE211纯相粉末，按照RE123+30mol％RE211+1wt％CeO2的组分配料，充分碾磨混合均匀，得到前驱粉料；根据模具直径不同，将所述粉料称取合适质量，放入模具，压制成圆柱形状的籽晶桥1个、缓冲层2～3个和前驱体1个；将籽晶、籽晶桥、缓冲层、前驱体从上至下依次放置；所述籽晶、所述籽晶桥、所述缓冲层构成单籽晶桥式结构；其中，所述籽晶放置在所述籽晶桥的上表面中心，所述籽晶桥搭设在所述缓冲层上方，所述缓冲层沿所述籽晶[110]晶向排列成一列；将所述放置好的前驱体连同和所述单籽晶桥式结构置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长，以实现(110)∥(110)取向诱导生长REBCO超导块材。

关键词：籽晶缓冲层桥式结构前驱体单籽超导块材模具熔融织构生长上表面中心从上至下顶部籽晶前驱粉料取向诱导诱导生长圆柱形状组分配料生长炉称取放入粉料晶向碾磨桥搭配制压制生长

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一种利用组分分层控制法生长REBCO高温超导块材的方法

一种利用组分分层控制法生长REBCO高温超导块材的方法

引用

作者：姚忻黄思敏尹伊倩万炎钱俊朱彦涵 200240 上海市闵行区东川路800号

标准号: CN110373717B

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一种生长钙掺杂REBCO高温超导准单晶体的方法

一种生长钙掺杂REBCO高温超导准单晶体的方法

引用

作者：姚忻王伟陈媛媛崔祥祥陈尚荣 200240 上海市闵行区东川路800号

本发明公开了一种生长钙掺杂REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相粉末；b）按RE123+（1～15）wt.%CaCO3+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第一前驱体；c）按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO2的配比制备第二前驱体；c）... 详细信息

标准号: CN103882513A

本发明公开了一种生长钙掺杂REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相粉末；b）按RE123+（1～15）wt.%CaCO₃+（0.3～1.5）wt%CeO₂的配比制备第一前驱体；c）按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO₂的配比制备第二前驱体；c）籽晶放置在第一前驱体的上表面，第一前驱体放置在第二前驱体的上表面；d）将工序c）所得样品置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体。本发明操作简单，通过添加第二前驱体，有效抑制高温熔融状态下Ba-Cu-O液体的流失，有利于诱导生长长满的钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体。

关键词：前驱体高温超导单晶体上表面配比掺杂高温熔融状态熔融织构生长有效抑制诱导生长生长炉长满籽晶生长

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用BaCeO₃掺杂提高YBaCuO超导体性能的方法

用BaCeO<Sub>3</Sub>掺杂提高YBaCuO超导体性能的方法

引用

作者：肖玲焦玉磊郑明辉 100088 北京市新街口外大街2号

一种用BaCeO3掺杂提高YBaCuO超导体性能的方法，其特征在于，将平均粒度为1nm～100nm的BaCe1-xGdxO3粉末加入Y1.8Ba2.4Cu3.4Oy粉末中，经球磨混合均匀后，用单轴模压成型，再采用顶部籽晶辅助熔融织构生长工艺(TSMTG)生成单畴结构的YBa... 详细信息

标准号: CN101450859B

一种用BaCeO₃掺杂提高YBaCuO超导体性能的方法，其特征在于，将平均粒度为1nm～100nm的BaCe_1-xGd_xO₃粉末加入Y_1.8Ba_2.4Cu_3.4O_y粉末中，经球磨混合均匀后，用单轴模压成型，再采用顶部籽晶辅助熔融织构生长工艺(TSMTG)生成单畴结构的YBaCuO超导块，其中，BaCe_1-xGd_xO₃粉末加入量为Y_1.8Ba_2.4Cu_3.4O_y粉末的0.25wt％～1.00wt％。用本发明的方法制备的单畴YBaCuO超导块的临界电流密度均高于未掺杂的单畴YBaCuO超导块。掺杂量为0.50wt％的超导块的临界电流密度达到了掺杂0.2wt％贵金属Pt样品的同等水平。

关键词：掺杂临界电流密度单畴熔融织构生长超导体性能单畴结构模压成型平均粒度贵金属单轴球磨籽晶顶部辅助

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