检索结果-内蒙古大学图书馆

工业控制计算机 2025年第1期38卷 146-148页

作者：盛旭阳林敏上海大学特种光纤与光接入网重点实验室上海200444

由于工作在射频频段的环形振荡器(Ring Oscillator,RO)存在漏电大和相噪性能差的问题,使其难以应用于高性能低功耗的片上电子系统中,提出了一种低漏电的射频环形振荡器电路架构,并利用亚谐波注入锁定(Subharmonic Injection Locking,SIL... 详细信息

由于工作在射频频段的环形振荡器(Ring Oscillator,RO)存在漏电大和相噪性能差的问题,使其难以应用于高性能低功耗的片上电子系统中,提出了一种低漏电的射频环形振荡器电路架构,并利用亚谐波注入锁定(Subharmonic Injection Locking,SIL)技术提升其相噪性能。仿真结果表明,所提出的电路设计能确保环形振荡器在任意PVT变化下频率覆盖6.5~9 GHz,且亚谐波注入锁定后的相噪可降低至理论下限,最大漏电流与基准漏电流分为13μA与2.1μA,验证了所提电路架构的高性能与鲁棒性。

关键词：环形振荡器亚谐波注入锁定低漏电高鲁棒性

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基于可重配置环形振荡器的TSV诊断方法

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微电子学与计算机 2025年第3期42卷 92-99页

作者：陈田章云飞刘军鲁迎春吴大平陈炜坤邵宇寒合肥工业大学计算机与信息学院安徽合肥230009 合肥工业大学微电子学院安徽合肥230009

硅通孔(Through Silicon Via,TSV)是堆叠形成三维芯片(Three-Dimensional Chips,3D ICs)的关键部件,因此在制造过程中检测出TSV故障是十分重要的。目前的测试方法存在测试成本较高、难以使用同一结构对TSV键合的全过程进行测试以及无法... 详细信息

硅通孔(Through Silicon Via,TSV)是堆叠形成三维芯片(Three-Dimensional Chips,3D ICs)的关键部件,因此在制造过程中检测出TSV故障是十分重要的。目前的测试方法存在测试成本较高、难以使用同一结构对TSV键合的全过程进行测试以及无法分辨TSV故障的类型等问题。为此,提出了一种基于可重配置的环形振荡器结构的TSV检测方法。该方法能够在TSV制造的各个阶段同时测试多个TSV,并且根据键合前和键合后振荡周期的变化,判断TSV故障的类型,定位发生故障的TSV。HSPICE的仿真结果表明,所提结构可以有效检测并定位TSV各阶段的故障。

关键词：三维集成电路硅通孔环形振荡器

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偶数级差分环形振荡器的稳定平衡态分析

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电子与信息学报 2011年第8期33卷 1969-1974页

作者：张辉杨海钢周发标刘飞高同强中国科学院电子学研究所北京100190 中国科学院研究生院北京100049

与具有奇数增益级的差分环形振荡器不同,偶数级振荡器除了具有能够起振的非稳定平衡态,还有可能在起振前处于一种稳定平衡状态从而使电路锁定不能起振。该文主要分析了这种稳定平衡状态存在的原理,同时为了避免振荡器设计中的这种风险,... 详细信息

与具有奇数增益级的差分环形振荡器不同,偶数级振荡器除了具有能够起振的非稳定平衡态,还有可能在起振前处于一种稳定平衡状态从而使电路锁定不能起振。该文主要分析了这种稳定平衡状态存在的原理,同时为了避免振荡器设计中的这种风险,提出了一种振荡器起振电路,使得电路在起振前处于接近非稳定平衡态的状态,从而能够快速起振。在0.13μm 1P8M标准CMOS工艺下流片实现的4级差分环形压控振荡器(VCO)及其改进版本很好地验证了该文提出的理论和解决方法。经测试发现,第1款不带起振电路的4级VCO芯片锁定于稳定平衡态,不能起振;两种改进版本3级VCO和带起振电路的4级VCO都能够正常输出振荡信号。

关键词：环形振荡器压控振荡器起振偶数级

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以环形振荡器作为敏感单元的加速度传感器

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清华大学学报（自然科学版） 2004年第1期44卷 81-84页

作者：张兆华岳瑞峰刘理天清华大学微电子学研究所北京100084

为了解决传感器的数字化,提出了一种新的数字加速度传感器。它是由两个环形振荡器和一个混频器组成的频率输出型加速度传感器,其敏感元件是做在硅梁上的MOS环形振荡器。该传感器具有准数字输出、灵敏度高、温度系数低以及制作工艺简单... 详细信息

为了解决传感器的数字化,提出了一种新的数字加速度传感器。它是由两个环形振荡器和一个混频器组成的频率输出型加速度传感器,其敏感元件是做在硅梁上的MOS环形振荡器。该传感器具有准数字输出、灵敏度高、温度系数低以及制作工艺简单等特点,其灵敏度可达到6.91kHz/g。分析了环形振荡器的频率特性,以及环形振荡器谐振频率和加速度的关系,设计并分析了加速度传感器的电路及物理结构,最后给出了试验结果。这种加速度传感器在军事和民用领域有广阔的应用前景。

关键词：环形振荡器敏感单元数字加速度传感器混频器

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低电压环形振荡器设计

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通信学报 2007年第6期28卷 62-65,73页

作者：江金光李天望武汉大学卫星导航定位技术研究中心湖北武汉430079

提出了一种新的两级环形振荡器结构,通过控制PMOS的衬底电压,来降低PMOS管的阈值电压,从而使新的环形振荡器可以在低电压下工作到很高的频率。仿真结果表明,在电源电压为1V,调节电压在0～1V范围内变化时,振荡器的频率为300MHz～4GHz。

关键词：低电压环形振荡器调节范围

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多沟道碳纳米晶体管SPICE模型与环形振荡器设计

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固体电子学研究与进展 2011年第4期31卷 354-358页

作者：张旭琛戴庆元张亚非彭敏杜涛上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200240

针对多沟道碳纳米晶体管(MC-CNTFET)越来越接近实用化的发展现状,提出了一种多沟道碳纳米晶体管的集成电路仿真SPICE(Simulation program with integrated ciruit emphasis)模型,并基于此模型,对用多沟道碳纳米晶体管构成的环形振荡器... 详细信息

针对多沟道碳纳米晶体管(MC-CNTFET)越来越接近实用化的发展现状,提出了一种多沟道碳纳米晶体管的集成电路仿真SPICE(Simulation program with integrated ciruit emphasis)模型,并基于此模型,对用多沟道碳纳米晶体管构成的环形振荡器进行了分析。结果表明,该模型能够很好地模拟多沟道碳纳米晶体管的电学特性,进一步分析表明,基于50 nm多沟道碳纳米晶体管环形振荡器的振荡频率可达90 GHz,显示出多沟道碳纳米晶体管电路具有很大的性能优势。

关键词：碳纳米管多沟道碳纳米晶体管环形振荡器

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环形振荡器的分析与仿真研究

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实验技术与管理 2015年第10期32卷 115-118页

作者：熊熙烈涂虬上饶师范学院物理与电子信息学院江西上饶334001

在分析环形振荡器电路的基础上,提出了基于Multisim的环形振荡器仿真实验方法。通过修改仿真设置,使带RC延迟电路的环形振荡器仿真实验可行,仿真结果与理论值和实际电路实验结果也较为吻合。进一步对变形的带RC延迟电路的环形振荡器(osc... 详细信息

在分析环形振荡器电路的基础上,提出了基于Multisim的环形振荡器仿真实验方法。通过修改仿真设置,使带RC延迟电路的环形振荡器仿真实验可行,仿真结果与理论值和实际电路实验结果也较为吻合。进一步对变形的带RC延迟电路的环形振荡器(oscillator RC)进行了理论分析和实验设计,使Multisim仿真实验可不修改仿真设置,并经过仿真实验和实际电路实验,验证了该电路仿真实验的可行性。

关键词：环形振荡器仿真实验 Multisim

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环形振荡器延迟仿真

环形振荡器延迟仿真

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作者：彭兴伟上海交通大学

学位级别：硕士

在环形振荡器仿真中,影响其延迟的因素有器件的DC参数(如迁移率μ0,开启电压Vth),也有器件和互连的AC参数(如栅氧厚度tox,栅与源漏重叠部分的电容cgso/cgdo)。对深亚微米器件来说,AC参数对延迟的影响正越来越大。由于器件的同比例缩小,... 详细信息

在环形振荡器仿真中,影响其延迟的因素有器件的DC参数(如迁移率μ0,开启电压Vth),也有器件和互连的AC参数(如栅氧厚度tox,栅与源漏重叠部分的电容cgso/cgdo)。对深亚微米器件来说,AC参数对延迟的影响正越来越大。由于器件的同比例缩小,器件的延迟是在减小的。但是随着半导体器件线宽的不断缩小,器件层间介质越来越薄,互连密度越来越大,导致电路中的互连线延迟在迅速变大。因此器件延迟在整个电路延迟中所占的比重在减小,而互连在集成电路延迟中所占的比重在变大。这就意味着互连的寄生电阻电容对延迟的影响越来越大。在现在的电路仿真中,器件和互连的寄生电阻电容分别用器件模型和电路网表加以描述。但是由于通常器件和互连的寄生电阻电容没有得到正确的计算和区分,容易导致重算或漏算了器件和互连结合处的互连寄生电阻电容。由于这一部分寄生电阻电容在电路中所占的比重随着器件尺寸的缩小在逐渐变大,给电路仿真造成了越来越大的误差。本文着重研究如何区分并计算器件部分和互连部分的寄生电阻电容,其中区分本地互连寄生电阻电容和器件寄生电阻电容是关键。本文以90nm器件为例,通过提取器件和互连不同部分的寄生电阻电容,对环形振荡器进行延迟仿真,得到了它们对延迟的影响。通过设计不同的测试结构达到精确计算器件寄生电阻电容的目的,并且提取了包含精确寄生参数的电路网表,最终实现了对环形振荡器的精确仿真。

关键词： SPICE模型网表延迟环形振荡器

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正交输出、双调谐、高性能4.488GHz环形振荡器设计

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复旦学报（自然科学版） 2008年第6期47卷 743-748,754页

作者：邓晶晶李宁李巍陈丹凤任俊彦复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计了一个4级延迟单元的环形振荡器,通过采用2条辅助通路结构,实现了振荡器的双调谐功能和高的FOM(figure of merit)值.设计采用Jazz 0.18μm CMOS工艺,在1.6 V电源电压下的电流消耗为18.98mA.后仿真结果显示,VCO输出中心频率和增益分... 详细信息

设计了一个4级延迟单元的环形振荡器,通过采用2条辅助通路结构,实现了振荡器的双调谐功能和高的FOM(figure of merit)值.设计采用Jazz 0.18μm CMOS工艺,在1.6 V电源电压下的电流消耗为18.98mA.后仿真结果显示,VCO输出中心频率和增益分别为4.488 GHz和147 MHz/V,频率粗调谐范围为1.42GHz.频偏1 MHz处的相位噪声为-104.3 dBc/Hz.在频偏1 MHz和5 MHz处FOM值分别为169.1和173.39.

关键词：环形振荡器双调谐辅助前馈通路

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基于高速环形振荡器的皮秒量级事件计时测量

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电子测量与仪器学报 2022年第5期36卷 47-56页

作者：卜朝晖毛涛梁志强陈之纯江贤峰上海理工大学上海200093 中国科学院上海天文台上海200030

研究设计基于高速环形振荡器的皮秒量级事件计时器。利用代表事件的信号上升沿去触发高速环形振荡器,产生与事件同步的时钟脉冲信号,对正弦参考信号采样,再通过全相位FFT算法处理,大幅提高事件计时测量的精度。实验结果表明,在正弦参考... 详细信息

研究设计基于高速环形振荡器的皮秒量级事件计时器。利用代表事件的信号上升沿去触发高速环形振荡器,产生与事件同步的时钟脉冲信号,对正弦参考信号采样,再通过全相位FFT算法处理,大幅提高事件计时测量的精度。实验结果表明,在正弦参考信号中心频率f=10 MHz,全相位FFT运算点数N=8192,ADC的量化位数b=14 bits,采样频率f=140 MHz的情况下,事件计时器能够获得约3.16 ps rms的单次测量精度,时间稳定性优于±0.31 ps/h,实验结果与基于理论分析的误差范围一致,达到皮秒量级事件计时测量。

关键词：事件计时环形振荡器全相位FFT 计时模糊度

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