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  • 1 篇 期刊文献

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  • 1 篇 电子文献
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学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 阈值电压模型
  • 1 篇 漏致势垒降低
  • 1 篇 环栅肖特基势垒金...
  • 1 篇 二维泊松方程

机构

  • 1 篇 西安电子科技大学

作者

  • 1 篇 许立军
  • 1 篇 张鹤鸣

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管"
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排序:
环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管漏致势垒降低效应研究
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理学报 2013年 第10期62卷 434-439页
作者: 许立军 张鹤鸣 西安电子科技大学微电子学院 宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071
结合环栅肖特基势垒金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)结构,通过求解圆柱坐标系下的二维泊松方程得到了表面势分布,并据此建立了适用于低漏电压下的肖特基势垒NMOSFET阈值电压模型.根据计算结果,分析了漏电压、沟道半径和沟道长度... 详细信息
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