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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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17 篇 专利

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5 篇 台湾积体电路制造...
3 篇 中国科学院微电子...
3 篇 中国科学院上海微...
3 篇 美光科技公司
1 篇 温州核芯智存科技...
1 篇 北京北方华创微电...
1 篇 北方集成电路技术...
1 篇 苏州华太电子技术...

作者

3 篇 长谷川·武裕
3 篇 作井浩司
3 篇 程仲良
3 篇 刘强
3 篇 俞文杰
2 篇 母志强
2 篇 李俊峰
2 篇 程冠伦
2 篇 罗军
2 篇 张家豪
2 篇 游力蓁
2 篇 王志豪
2 篇 黄麟淯
2 篇 庄正吉
1 篇 李俊杰
1 篇 徐忍忍
1 篇 董云鹤
1 篇 魏延钊
1 篇 张耀辉
1 篇 刘恩序

语言

17 篇 中文

检索条件"主题词=环绕栅极晶体管"

共 17 条记录，以下是1-10 订阅

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全环绕栅极晶体管的侧墙的制作方法及半导体工艺设备

全环绕栅极晶体管的侧墙的制作方法及半导体工艺设备

引用

作者：魏昌盛何艳董云鹤 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号

本申请公开了一种全环绕栅极晶体管的侧墙的制作方法及半导体工艺设备，制作方法包括：提供半导体器件，其中，半导体器件包括衬底，以及形成在衬底表面的鳍形结构，鳍形结构由沟道层与牺牲层交替堆叠而成；对牺牲层进行横向刻蚀，以在... 详细信息

标准号: CN118299268A

本申请公开了一种全环绕栅极晶体管的侧墙的制作方法及半导体工艺设备，制作方法包括：提供半导体器件，其中，半导体器件包括衬底，以及形成在衬底表面的鳍形结构，鳍形结构由沟道层与牺牲层交替堆叠而成；对牺牲层进行横向刻蚀，以在鳍形结构的侧面形成凹槽；沉积绝缘层，其中，绝缘层覆盖衬底表面以及鳍形结构的整个表面，以在鳍形结构的侧面形成凹凸起伏的侧壁；对凹凸起伏的侧壁进行刻蚀，以形成平坦化侧壁；对平坦化侧壁进行刻蚀，直至暴露出沟道层的侧面。本申请制作的侧墙可以填满凹槽，厚度更厚，可以防止沟道释放时刻蚀范围向源漏区延伸，能够降低栅极与源漏区之间的寄生电容。由于绝缘层刻蚀由两步组成，工艺存在较大的调节空间。

关键词：鳍形结构侧壁刻蚀绝缘层半导体器件凹凸起伏衬底表面沟道层平坦化牺牲层源漏区侧面侧墙制作半导体工艺设备环绕栅极晶体管绝缘层覆盖横向刻蚀寄生电容交替堆叠整个表面衬底沟道填满沉积申请释放暴露延伸

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全环绕栅极晶体管的制备方法

全环绕栅极晶体管的制备方法

引用

作者：母志强刘强俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种多层悬空的纳米片堆叠结构及全环绕栅极晶体管的制备方法。所述多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法包括：在Si衬底上外延生长Si/Si1‑xGex超晶格与硅间隔层交替层叠的堆叠结构，其中0<x≤1；将氧离子注入到所述堆... 详细信息

标准号: CN113539792B

本发明提供一种多层悬空的纳米片堆叠结构及全环绕栅极晶体管的制备方法。所述多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法包括：在Si衬底上外延生长Si/Si_1‑xGe_x超晶格与硅间隔层交替层叠的堆叠结构，其中0<x≤1；将氧离子注入到所述堆叠结构的图形化区域内的每一Si/Si_1‑_xGe_x超晶格中；对所述堆叠结构进行退火以在每一超晶格中形成局部埋氧层；采用选择性腐蚀工艺去除所述局部埋氧层。所述多层悬空的纳米片堆叠结构的制备方法实现了工艺上的突破，降低了工艺复杂度；多层纳米片作为多层沟道，可以进一步提高器件的驱动电流以及器件的集成度。

关键词：堆叠结构多层纳米片制备悬空超晶格埋氧层环绕栅极晶体管选择性腐蚀工艺退火工艺复杂度图形化区域交替层叠驱动电流外延生长集成度间隔层氧离子衬底沟道晶格去除

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全环绕栅极晶体管的制备方法

全环绕栅极晶体管的制备方法

引用

作者：母志强刘强俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

标准号: CN113539792A

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一种环绕栅极晶体管及其制备方法

一种环绕栅极晶体管及其制备方法

引用

作者：殷华湘姚佳欣徐忍忍魏延钊 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明涉及一种环绕栅极晶体管及其制备方法。一种环绕栅极晶体管的制备方法采用如下方法形成栅介质：先形成第一高k介质层，然后去除部分区域的第一高k介质层；再形成第二高k介质层；其中，所述第一高k介质层和所述第二高k介质层具有... 详细信息

标准号: CN114582805A

本发明涉及一种环绕栅极晶体管及其制备方法。一种环绕栅极晶体管的制备方法采用如下方法形成栅介质：先形成第一高k介质层，然后去除部分区域的第一高k介质层；再形成第二高k介质层；其中，所述第一高k介质层和所述第二高k介质层具有不同的电负性或者不同的原子半径。本发明利用不同区域上两个高k介质层的不同结构来形成不同器件阈值，为器件的多阈值集成提供了更好的选择性。

关键词：高k介质层环绕栅极晶体管制备电负性栅介质去除

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一种存储结构、存储模块、存储系统以及制备方法

一种存储结构、存储模块、存储系统以及制备方法

引用

作者：请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名 325600 浙江省温州市乐清市柳市镇长东路1号(正泰物联网传感器产业园9号楼)

本发明涉及半导体技术领域，特别是一种存储结构、存储单元、存储模块、存储系统以及制备方法，包括，存储元件；开关元件；以及，位线，所述开关元件的其中一极与所述存储元件的一个电极相连接，另一极连接至所述位线；所述存储元件与... 详细信息

标准号: CN118351915A

本发明涉及半导体技术领域，特别是一种存储结构、存储单元、存储模块、存储系统以及制备方法，包括，存储元件；开关元件；以及，位线，所述开关元件的其中一极与所述存储元件的一个电极相连接，另一极连接至所述位线；所述存储元件与其相邻的开关元件构成存储单元，采用环绕栅极晶体管和三维自发极化电容组成存储单元围绕于位线的周围，在与晶圆表面垂直方向上排列成筒状三维结构实现高密度的数据存储。结构上突破传统二维结构的局限，实现三维架构的堆叠，从而实现存储密度质的飞跃。其读写速度很快，可达到纳秒级，且具有高可靠性和低功耗。解决了现今存储器研发的最大挑战，即存储单元的高性能与存储结构高密度的结合。

关键词：存储单元存储元件开关元件位线存储结构三维半导体技术领域环绕栅极晶体管存储器存储模块存储系统二维结构高可靠性晶圆表面三维结构数据存储自发极化电极电容低功耗纳秒级成筒读写堆叠研发制备存储架构局限挑战

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一种半导体结构的制备方法及半导体结构

一种半导体结构的制备方法及半导体结构

引用

作者：李俊杰刘恩序周娜高建峰李俊峰罗军王文武 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法中，在源极沟槽和漏极沟槽内外延生长源极晶体结构和漏极晶体结构的过程中，在不同取向的晶面相交前即停止外延生长，之后采用各向同性的金属材料填充不同取... 详细信息

标准号: CN115863172A

本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法中，在源极沟槽和漏极沟槽内外延生长源极晶体结构和漏极晶体结构的过程中，在不同取向的晶面相交前即停止外延生长，之后采用各向同性的金属材料填充不同取向的晶面之间的缝隙，并在源极沟槽和漏极沟槽中分别形成全环绕栅极晶体管的源极和漏极。相比现有技术，通过外延薄层与填充金属相结合形成源漏极，不仅减少已有的全外延半导体材料源漏材料，而且还能够避免出现不同取向的晶面相交出现的层错等缺陷，降低源漏极内部的寄生电阻，提高器件的驱动能力，降低器件功耗。

关键词：漏极半导体结构晶面取向晶体结构源极沟槽源漏极制备相交环绕栅极晶体管外延半导体材料金属材料寄生电阻降低器件驱动能力填充金属外延生长生长源薄层功耗源极源漏填充

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一种环栅晶体管结构及其制备方法

一种环栅晶体管结构及其制备方法

引用

作者：刘强俞文杰 200050 上海市长宁区长宁路865号

本发明提供一种环栅晶体管结构及其制备方法，结构包括：衬底层、绝缘层、顶半导体层、栅极、源极和漏极；绝缘层与顶半导体层之间设置有凹槽，凹槽两侧的半导体凸台的底面部分设置预掺杂层；悬空沟道表面包裹栅介质层，栅介质层表面包... 详细信息

标准号: CN116137293A

本发明提供一种环栅晶体管结构及其制备方法，结构包括：衬底层、绝缘层、顶半导体层、栅极、源极和漏极；绝缘层与顶半导体层之间设置有凹槽，凹槽两侧的半导体凸台的底面部分设置预掺杂层；悬空沟道表面包裹栅介质层，栅介质层表面包裹栅电极层，栅介质层和栅电极层构成栅极，悬空沟道上方及侧壁的栅极长度大于悬空沟道下方的栅极长度。本发明通过在悬空沟道两端的半导体凸台底部设置预掺杂层，使器件的沟道区域中的π沟道结构对器件开关的控制能力弱于全环绕沟道结构的控制能力，从而在减小源漏极与栅极之间的寄生电容和偏置电场的同时，充分发挥全环绕栅极晶体管的优异电学性能。

关键词：栅介质层悬空沟道绝缘层顶半导体层沟道结构控制能力预掺杂层栅电极层凸台半导体环绕栅极晶体管晶体管结构凹槽两侧表面包裹电学性能沟道表面沟道区域寄生电容偏置电场器件开关衬底层底面部源漏极侧壁环栅减小漏极源极制备环绕

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半导体结构及其形成方法

半导体结构及其形成方法

引用

作者：黄麟淯游力蓁张家豪庄正吉程冠伦王志豪中国台湾新竹

提供了结构和方法，包括：在前侧上形成的诸如全环绕栅极晶体管等的器件，以及从结构的前侧到器件的一个端子且从结构的背侧到器件的一个端子的接触件。背侧接触件可以包括从背侧选择性地蚀刻延伸以暴露第一源极/漏极结构的第一沟槽和... 详细信息

标准号: CN113161419B

提供了结构和方法，包括：在前侧上形成的诸如全环绕栅极晶体管等的器件，以及从结构的前侧到器件的一个端子且从结构的背侧到器件的一个端子的接触件。背侧接触件可以包括从背侧选择性地蚀刻延伸以暴露第一源极/漏极结构的第一沟槽和延伸到第二源极/漏极结构的第二沟槽。导电层在沟槽中沉积和图案化以形成到第一源极/漏极结构的导电通孔。本申请的实施例提供了半导体结构及其形成方法。

关键词：源极/漏极环绕栅极晶体管蚀刻半导体结构导电通孔侧接触导电层接触件图案化延伸沉积暴露申请

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一种半导体器件及其制备方法和低温ISSG工艺的应用

一种半导体器件及其制备方法和低温ISSG工艺的应用

引用

作者：熊文娟蒋浩杰李亭亭罗英李俊峰罗军 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法和低温ISSG工艺的应用，属于半导体技术领域，解决了垂直型3D全环绕栅极晶体管中的纳米片边缘的尖角易引发高电场带来栅电压击穿的问题。该方法包括：在后栅工艺中释放纳米片结构后，采用低温ISSG... 详细信息

标准号: CN116845088A

本发明涉及一种半导体器件及其制备方法和低温ISSG工艺的应用，属于半导体技术领域，解决了垂直型3D全环绕栅极晶体管中的纳米片边缘的尖角易引发高电场带来栅电压击穿的问题。该方法包括：在后栅工艺中释放纳米片结构后，采用低温ISSG工艺将纳米片边缘的尖角修饰为圆角。本发明在不影响源极和漏极的情况下，采用低温ISSG工艺将纳米片的尖角修饰为圆角，避免尖角高电场引起栅电压击穿问题。

关键词：纳米片尖角高电场栅电压击穿圆角修饰半导体技术领域环绕栅极晶体管半导体器件后栅工艺垂直型影响源漏极制备释放应用

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一种三维集成电路的制备方法及三维集成电路

一种三维集成电路的制备方法及三维集成电路

引用

作者：张耀辉 215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层

本申请实施例提供了一种三维集成电路的制备方法及三维集成电路。制备方法包括形成孤岛隔离层和上方器件层的方法；形成孤岛隔离层和上方器件层的方法具体包括：采用晶圆键合方法在下层的器件层之上形成孤岛隔离层、以及位于所述孤岛隔... 详细信息

标准号: CN116936456A

本申请实施例提供了一种三维集成电路的制备方法及三维集成电路。制备方法包括形成孤岛隔离层和上方器件层的方法；形成孤岛隔离层和上方器件层的方法具体包括：采用晶圆键合方法在下层的器件层之上形成孤岛隔离层、以及位于所述孤岛隔离层之上自下而上循环设置的硅锗层和硅层，且顶层为硅锗层；对孤岛隔离层之上的硅锗层和硅层进行加工，在所述孤岛隔离层之上形成GAA纳米片晶体管；在GAA纳米片晶体管的基础之上形成全环绕栅极晶体管；形成上方器件层全环绕栅极晶体管以外的结构。本申请实施例解决了传统的芯片制备工艺中的退火光会对已经制备出的部分的加热造成损伤的技术问题。

关键词：隔离层孤岛器件层硅锗层制备环绕栅极晶体管三维集成电路纳米片晶体管硅层退火晶圆键合芯片制备循环设置传统的顶层加热申请下层损伤加工

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