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限定检索结果

文献类型

  • 17 篇 专利

馆藏范围

  • 17 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

  • 5 篇 台湾积体电路制造...
  • 3 篇 中国科学院微电子...
  • 3 篇 中国科学院上海微...
  • 3 篇 美光科技公司
  • 1 篇 温州核芯智存科技...
  • 1 篇 北京北方华创微电...
  • 1 篇 北方集成电路技术...
  • 1 篇 苏州华太电子技术...

作者

  • 3 篇 长谷川·武裕
  • 3 篇 作井浩司
  • 3 篇 程仲良
  • 3 篇 刘强
  • 3 篇 俞文杰
  • 2 篇 母志强
  • 2 篇 李俊峰
  • 2 篇 程冠伦
  • 2 篇 罗军
  • 2 篇 张家豪
  • 2 篇 游力蓁
  • 2 篇 王志豪
  • 2 篇 黄麟淯
  • 2 篇 庄正吉
  • 1 篇 李俊杰
  • 1 篇 徐忍忍
  • 1 篇 董云鹤
  • 1 篇 魏延钊
  • 1 篇 张耀辉
  • 1 篇 刘恩序

语言

  • 17 篇 中文
检索条件"主题词=环绕栅极晶体管"
17 条 记 录,以下是11-20 订阅
排序:
集成电路以及制造方法
集成电路以及制造方法
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作者: 程仲良 中国台湾新竹
电阻式随机存取存储器单元包括全环绕栅极晶体管和电阻器件。该电阻器件包括第一电极,该第一电极包括多个导电纳米片。该电阻器件包括围绕导电纳米片的高K电阻式元件。该电阻器件包括通过电阻式元件与导电纳米片分离的第二电极。本发... 详细信息
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包括背面导通孔的集成电路及其制造方法
包括背面导通孔的集成电路及其制造方法
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作者: 程仲良 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
一种集成电路包括与第二芯片接合的第一芯片。第一芯片包括衬底上的全环绕栅极晶体管。第一芯片包括从衬底延伸到全环绕栅极晶体管的背面导通孔。第二芯片包括通过背面导通孔电连接到晶体管的电子线路。
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集成电路以及制造方法
集成电路以及制造方法
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作者: 程仲良 中国台湾新竹
电阻式随机存取存储器单元包括全环绕栅极晶体管和电阻器件。该电阻器件包括第一电极,该第一电极包括多个导电纳米片。该电阻器件包括围绕导电纳米片的高K电阻式元件。该电阻器件包括通过电阻式元件与导电纳米片分离的第二电极。本发... 详细信息
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半导体结构及其形成方法
半导体结构及其形成方法
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作者: 黄麟淯 游力蓁 张家豪 庄正吉 程冠伦 王志豪 中国台湾新竹
提供了结构和方法,包括:在前侧上形成的诸如全环绕栅极晶体管等的器件,以及从结构的前侧到器件的一个端子且从结构的背侧到器件的一个端子的接触件。背侧接触件可以包括从背侧选择性地蚀刻延伸以暴露第一源极/漏极结构的第一沟槽和... 详细信息
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具有垂直存储器单元串及支持电路的方法及设备
具有垂直存储器单元串及支持电路的方法及设备
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作者: 长谷川·武裕 作井浩司 美国爱达荷州
本申请涉及具有垂直存储器单元串及支持电路的方法及设备。一种此设备包含形成于衬底的顶侧上的存储器单元串。支持电路形成于所述衬底的背侧上且通过所述衬底中的垂直互连件耦合到所述存储器单元串。所述垂直互连件可为晶体管,例如环... 详细信息
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具有垂直存储器单元串及支持电路的方法及设备
具有垂直存储器单元串及支持电路的方法及设备
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作者: 长谷川·武裕 作井浩司 美国爱达荷州
本发明揭示了设备及方法。一种此设备包含形成于衬底的顶侧上的存储器单元串。支持电路形成于所述衬底的背侧上且通过所述衬底中的垂直互连件耦合到所述存储器单元串。所述垂直互连件可为晶体管,例如环绕衬底晶体管及/或环绕栅极晶体管
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具有垂直存储器单元串及支持电路的方法及设备
具有垂直存储器单元串及支持电路的方法及设备
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作者: 长谷川·武裕 作井浩司 美国爱达荷州
本发明揭示了设备及方法。一种此设备包含形成于衬底的顶侧上的存储器单元串。支持电路形成于所述衬底的背侧上且通过所述衬底中的垂直互连件耦合到所述存储器单元串。所述垂直互连件可为晶体管,例如环绕衬底晶体管及/或环绕栅极晶体管
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