检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：王智罗宏鹏苏俊铭张旭升 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号

本发明提供了一种多晶硅炉管生长厚度监测方法，包括：在晶舟的两端放置一定量的侧部虚拟晶圆；在晶舟内与上端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；晶舟内的中间位置放置一个或两个控片；在晶舟内与下端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个... 详细信息

标准号: CN103400780B

本发明提供了一种多晶硅炉管生长厚度监测方法，包括：在晶舟的两端放置一定量的侧部虚拟晶圆；在晶舟内与上端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；晶舟内的中间位置放置一个或两个控片；在晶舟内与下端侧部虚拟晶圆邻接地放置一个或两个控片；在晶舟内的剩余位置上从晶舟的上端向下端依次放置将要形成多晶硅的目标晶圆；在晶舟内未被多晶硅的目标晶圆填满的位置处放置填充虚拟晶圆；进行多晶硅生长；取所述控片进行多晶硅生长厚度量测。

关键词：晶舟晶圆放置控片虚拟两个多晶硅生长多晶硅邻接多晶硅炉厚度量测监测方法上端向下生长厚度剩余位置下端侧部依次放置上端侧位置处侧部填满一种填充进行

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一种对NDC生长厚度的灵敏度分析法

一种对NDC生长厚度的灵敏度分析法

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作者：龚丹莉邵雄 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对NDC生长厚度的灵敏度分析法，通过对产品上的NDC的生长厚度与方式的历史数据整理进行数据建模，并通过模拟NDC厚度变化，给出在不发生空洞缺陷及满足对产品测试要求的情况下的NDC生长厚度... 详细信息

标准号: CN104465443A

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种对NDC生长厚度的灵敏度分析法，通过对产品上的NDC的生长厚度与方式的历史数据整理进行数据建模，并通过模拟NDC厚度变化，给出在不发生空洞缺陷及满足对产品测试要求的情况下的NDC生长厚度最优解；同时工程师可通过所给定的最优解进行制程实验，缩小制程实验范围，提高NDC制程可靠性及FAB产能。

关键词：生长厚度制程半导体制造技术灵敏度分析法产品测试厚度变化空洞缺陷历史数据实验范围数据建模缩小制程工程师

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用于测量硅沉积反应器中硅棒的温度和生长厚度的设备和方法

用于测量硅沉积反应器中硅棒的温度和生长厚度的设备和方法

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作者：福尔马尔·维尔弗里德弗兰克·斯特伯翰德国布劳博伊伦

本发明涉及一种用于通过位于硅沉积反应器外部的高温计来测量硅沉积反应器中硅棒的温度和生长厚度的设备。本发明的目的是提供一种设备，其允许以足够的精度贯穿整个沉积过程地进行连续的温度测量和生长厚度测量。这被实现是因为无接触... 详细信息

标准号: CN102300809B

本发明涉及一种用于通过位于硅沉积反应器外部的高温计来测量硅沉积反应器中硅棒的温度和生长厚度的设备。本发明的目的是提供一种设备，其允许以足够的精度贯穿整个沉积过程地进行连续的温度测量和生长厚度测量。这被实现是因为无接触操作温度测量装置（4）被设置用于温度测量并被布置在观察窗（2）前面、在硅沉积反应器的外部，而且温度测量装置（4）通过旋转驱动装置（9）可以围绕旋转轴（5）水平枢转，其中枢转轴（5）平行于硅棒（1）的纵轴延伸，并且其中温度测量装置的纵轴（6）延伸穿过枢转轴（5）。

关键词：沉积反应器温度测量装置生长厚度温度测量硅棒转轴旋转驱动装置操作温度测量装置沉积过程高温计观察窗无接触旋转轴外部延伸枢转平行

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多晶硅炉管生长厚度监测方法

多晶硅炉管生长厚度监测方法

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作者：王智罗宏鹏苏俊铭张旭升 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号

标准号: CN103400780A

关键词：晶舟晶圆多晶硅控片虚拟侧部生长厚度上端剩余位置炉管下端填充监测生长

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科学家打造原子厚度的薄膜材料“便利贴”

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新材料产业 2017年第11期 77-77页

美国芝加哥大学和康奈尔大学的研究人员合作，实现了一种能生长厚度仅几个原子的硅薄膜制造方法，并使其得以彼此上下堆叠多层，就像一叠“便利贴”一样。

关键词：生长厚度薄膜材料便利原子科学家康奈尔大学研究人员制造方法

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一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al₂O₃复合衬底上制备高亮度同质LED的方法

一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>...

引用

作者：贾传宇殷淑仪张国义童玉珍 523518 广东省东莞市企石镇科技工业园

发明提供一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al2O3复合衬底上制备具有新型空穴扩展层结构的同质LED的方法。具体方案:在InGaN/GaN多量子阱有源层和p-GaN层之间，优化设计其中Al组分、In组分以及p型掺杂浓度随生长厚度或周期增加而梯度变... 详细信息

标准号: CN105449051A

发明提供一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al₂O₃复合衬底上制备具有新型空穴扩展层结构的同质LED的方法。具体方案:在InGaN/GaN多量子阱有源层和p-GaN层之间，优化设计其中Al组分、In组分以及p型掺杂浓度随生长厚度或周期增加而梯度变化的空穴扩展层：如组分及掺杂渐变的单层p-AlInGaN空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p-AlInGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p-InGaN/GaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；或多周期组分及掺杂渐变p-AlInGaN/InGaN/AlGaN超晶格结构空穴扩展层；通过优化生长所述空穴扩展层的方法，改善LED电流扩展效果，有效提高同质LED发光效率。本发明看好其应用前景。

关键词：空穴扩展层渐变超晶格结构多周期掺杂同质复合衬底生长厚度梯度变化优化设计周期增加有源层单层一种制备扩展生长应用优化前景改善有效

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阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构

阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法及其结构

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作者：牛凤娟从颖戚运东 423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

本发明提供了一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，在所述生长多量子阱InxGa（1-x）N层和生长P型GaN层之间，通入NH3、TMGa、TMAl，生长厚度为8-25nm的电子阻挡层；该层包括2-6组双层结构，每一双层结构的UAlGaN层相比上一双层... 详细信息

标准号: CN103560190B

本发明提供了一种阻挡电子泄漏和缺陷延伸的外延生长方法，在所述生长多量子阱InxGa_（1-x）N层和生长P型GaN层之间，通入NH₃、TMGa、TMAl，生长厚度为8-25nm的电子阻挡层；该层包括2-6组双层结构，每一双层结构的UAlGaN层相比上一双层结构的UAlGaN层中的Al组分含量减少15%-50%。本发明采用了Al组分逐层降低的UAlGaN/UGaN结构作为电子阻挡层，改变了传统P-spacer能带的单一能阶高度分布，减弱了其对空穴注入时的阻挡作用，提高MQW的发光效率。

关键词：双层结构电子阻挡层电子泄漏多量子阱发光效率高度分布空穴注入生长厚度外延生长逐层降低阻挡作用生长能带能阶通入一种阻挡减弱延伸改变减少

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一种浅沟道隔离结构的制作方法

一种浅沟道隔离结构的制作方法

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作者：范建国沈建飞 201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种浅沟道隔离结构制作方法，所述浅沟道隔离结构制作方法包括以下步骤：首先，提供表面形成有多个沟槽的半导体衬底，在所述沟槽的底部和侧壁进行掺氮工艺，形成掺氮层；然后，刻蚀去除所述沟槽底部的掺氮层；最后，在所述... 详细信息

标准号: CN105448802A

本发明提供一种浅沟道隔离结构制作方法，所述浅沟道隔离结构制作方法包括以下步骤：首先，提供表面形成有多个沟槽的半导体衬底，在所述沟槽的底部和侧壁进行掺氮工艺，形成掺氮层；然后，刻蚀去除所述沟槽底部的掺氮层；最后，在所述沟槽底部和侧壁生长厚度均匀一致的衬氧化层。本发明通过在沟槽的侧壁上形成掺氮层，从而在氧化形成衬氧化层的过程中，降低沟槽侧壁的氧化速率，使沟槽侧壁和底部形成的衬氧化层厚度均匀一致，避免器件发生漏电，提高器件性能。

关键词：掺氮衬氧化层浅沟道隔离沟槽侧壁沟槽底部结构制作侧壁底部半导体衬底漏电表面形成厚度均匀均匀一致器件性能生长厚度氧化速率侧壁上刻蚀一种去除一致进行

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一种N-GaN层蓝光LED外延结构

一种N-GaN层蓝光LED外延结构

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作者：田宇俞登永郑建钦曾欣尧童敬文吴东海李鹏飞 100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层

一种N-GaN层蓝光LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述N型GaN层包括生长厚度较薄的薄N-GaN层和生长厚度较... 详细信息

标准号: CN105304776A

一种N-GaN层蓝光LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括蓝宝石衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述N型GaN层包括生长厚度较薄的薄N-GaN层和生长厚度较厚的厚N-GaN层。所述薄N-GaN层与厚N-GaN层交替生长，或者厚N-GaN层与薄N-GaN层交替生长。交替生长周期为3-50个周期，N型GaN层中掺杂Si元素。同现有技术相比，本发明不但能够降低开启电压，还能够提高抗静电能力，有效提高LED的亮度。

关键词：交替生长生长厚度电子阻挡层发光二极管抗静电能力蓝宝石衬底从下至上开启电压外延技术外延结构蓝光LED 有源区中掺杂较薄一种涉及有效

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焦平面探测器安装结构

焦平面探测器安装结构

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作者：陈于伟董绪丰程顺昌王艳 400060 重庆市南岸区花园路14号电子44所

一种焦平面探测器安装结构，所述安装结构包括焦平面探测器、连接铟柱、CMOS读出电路块和环氧树脂填料；焦平面探测器下端面与CMOS读出电路块上端面之间通过多根连接铟柱连接，焦平面探测器下端面和CMOS读出电路块上端面之间留有间隙；... 详细信息

标准号: CN103633107B

一种焦平面探测器安装结构，所述安装结构包括焦平面探测器、连接铟柱、CMOS读出电路块和环氧树脂填料；焦平面探测器下端面与CMOS读出电路块上端面之间通过多根连接铟柱连接，焦平面探测器下端面和CMOS读出电路块上端面之间留有间隙；环氧树脂填料填充在焦平面探测器和CMOS读出电路块之间的间隙内，且环氧树脂填料将连接铟柱包裹在内；所述环氧树脂填料采用低透光率的环氧树脂材料。本发明的有益技术效果是：环氧树脂填料可同时起到蔽光和为结构提供支撑的作用，使器件结构和制作工艺都得到简化，避免了铝层生长厚度难于控制以及容易导致短路的问题。

关键词：环氧树脂焦平面探测器读出电路铟柱连接安装结构上端面下端面环氧树脂材料低透光率技术效果器件结构生长厚度填料填充制作工艺间隙内短路蔽光多根铝层一种简化支撑容易导致控制

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