检索结果-内蒙古大学图书馆

GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系 (英文)

发光学报 2001年第4期22卷 315-318页

作者： Hasegawa F, Souda R (University of Tsukuba, Institute of Applied Physics, Tsukuba 305-8573, Japan) (National Institute for Research in Inorganic Materials, Tsukuba 305-0044, Japan) University of Tsukuba 日本 305-8573 National Institute for Research in Inorganic Materials 日本 305-0044

研究了在ＧａＡｓ（１１１）衬底上生长的六角相ＧａＮ的极性的相关关系。在高 Ⅴ /Ⅲ比的条件下用ＭＯＶＰＥ和ＭＯＭＢＥ方法生长的ＧａＮ的极性和ＧａＡｓ衬底的极性一致；在（１１１）Ａ－Ｇａ表面上的生长层呈现Ｇａ的极性，而... 详细信息

研究了在ＧａＡｓ（１１１）衬底上生长的六角相ＧａＮ的极性的相关关系。在高 Ⅴ /Ⅲ比的条件下用ＭＯＶＰＥ和ＭＯＭＢＥ方法生长的ＧａＮ的极性和ＧａＡｓ衬底的极性一致；在（１１１）Ａ－Ｇａ表面上的生长层呈现Ｇａ的极性，而在（１１１）Ｂ－Ａｓ表面上的生长层呈现Ｎ的极性。然而，在低的Ⅴ /Ⅲ比，或采用一个ＡＩＮ中间层的条件下，用ＨＶＰＥ和ＭＯＭＢＥ方法在ＧａＡｓ（１１１）Ｂ表面上生长的ＧａＮ呈现出Ｇａ的极性。目前，其原因尚不清楚，但是这些结果表明采用ＨＶＰＥ生长方法或用一高温ＡｌＮ阻挡层可以得到高质量的ＧａＮ。

关键词： GaN 极性控制生长方法生长条件 GaAs(111) 砷化镓氮化镓半导体材料

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光学级锗晶体生长方法新进展

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稀有金属 1999年第4期23卷 311-315页

作者：苏小平北京有色金属研究总院

介绍了９０年代以来，光学级锗晶体生长方法的新进展。着重介绍了ＶＧＦ法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置。简单比较了不同方法制备的锗晶体的主要光学。

关键词：锗晶体生长方法光学级红外透射材料

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GexSi1-x材料的生长方法及其应用

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高技术通讯 1993年第2期3卷 44-46页

作者：罗建太机电部第四十四研究所

70年代半导体超晶格、量子阱的出现,使人们能自由剪裁半导体材料的光电性能,开辟了人工材料的新纪元,从而对信息技术领域产生了巨大的影响。锗硅材料就是近几年发展起来的新型材料,其独特光电性能显示出重要的应用前景。迄今,GexSi1-x/S... 详细信息

70年代半导体超晶格、量子阱的出现,使人们能自由剪裁半导体材料的光电性能,开辟了人工材料的新纪元,从而对信息技术领域产生了巨大的影响。锗硅材料就是近几年发展起来的新型材料,其独特光电性能显示出重要的应用前景。迄今,GexSi1-x/Si异质结构、量子阱、超晶格结构的生长和材料物理研究以及应用研究发展十分迅速。利用GexSi1-x材料中电子的高迁移率,可研制成截止频率高达几十GHz甚至数百GHz的异质结双极晶体管(HBT);利用GexSi1-x/

关键词：光电性能生长方法 Ge_xSi 异质结构 MBE 化学气相淀积 CVD 淀积压力超晶格结构应变层超晶格

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生长方法对In（1-x）GaxAsy（1-y）——InP外延层性质的影响

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功能材料 1983年第1期 1-7页

作者：张韻琴唐代维中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所

研究了平衡冷却法、过冷法与一步冷却法等在（111）B-InP衬底上LPE生长InGaAsP四元固溶体中,影响外延层性质的主要因素,得出平衡冷却法生长外延层其晶格常数、带隙、生长速率与液相组份X（?）有关;过冷法生长外延层的带隙与过冷度、降... 详细信息

研究了平衡冷却法、过冷法与一步冷却法等在（111）B-InP衬底上LPE生长InGaAsP四元固溶体中,影响外延层性质的主要因素,得出平衡冷却法生长外延层其晶格常数、带隙、生长速率与液相组份X（?）有关;过冷法生长外延层的带隙与过冷度、降温速率有关;一步冷却法生长外延层的带隙与Xp1的少量变化无关而与生长温度有关。一步冷却法是生长与InP衬底品格匹配且组份恒定的外延层的较好方法。

关键词：外延层带隙衬底基片 x)Ga_xAs_y In InP 生长方法 Ga

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大块光学晶体的生长方法

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材料导报 1988年第20期 21-23页

作者：文武

大块光学晶体,既可用作无源元件(例如:光窗和滤波器),也可用作有源组件(例如:激光器、闪烁器或二次谐波发生器)。生长光学晶体的三种主要方法是:布里奇曼法、丘克拉斯基法(又称提拉法)和溶液法。由于种种原因,晶体(而不是多晶材料)常常... 详细信息

大块光学晶体,既可用作无源元件(例如:光窗和滤波器),也可用作有源组件(例如:激光器、闪烁器或二次谐波发生器)。生长光学晶体的三种主要方法是:布里奇曼法、丘克拉斯基法(又称提拉法)和溶液法。由于种种原因,晶体(而不是多晶材料)常常被用作光学元件。这些原因可能是:晶体纯度极高、结晶很完美、光轴成直线以及由适当准备好的单晶呈现的偏振行为。在有些无源应用中,由于多晶材料对热冲击和机械冲击有较大阻力且同单晶有等价的光学传输

关键词：晶体生长生长方法丘克拉斯基法提拉法

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单壁碳纳米管的结构控制生长方法研究

单壁碳纳米管的结构控制生长方法研究

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第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)

作者：张锦北京大学纳米化学研究中心

单壁碳纳米管在原子尺度的结构变化即可导致其电学和光学方面等性质的多样性。然而,在单壁碳纳米管表现出诸多优异性能的同时,如何实现单壁碳纳米管的结构控制制备仍面临严峻的挑战。本文以单壁碳纳米管的在未来电子器件中的应用为牵引... 详细信息

单壁碳纳米管在原子尺度的结构变化即可导致其电学和光学方面等性质的多样性。然而,在单壁碳纳米管表现出诸多优异性能的同时,如何实现单壁碳纳米管的结构控制制备仍面临严峻的挑战。本文以单壁碳纳米管的在未来电子器件中的应用为牵引,着重介绍如何实现单壁碳纳米管的管径、导电属性和在基底上密度的控制生长方法,并在此基础上讨论单壁碳纳米管的生长机制。希望为单壁碳纳米管在未来电子器件中的应用奠定基础。

关键词：碳纳米生长方法

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蛋白质晶体生长方法综述