检索结果-内蒙古大学图书馆

人工晶体学报 2015年第12期44卷 3375-3378页

作者：任国浩陈晓峰李焕英吴云涛张卫东樊加荣中国科学院上海硅酸盐研究所上海201800

报道了迄今为止国内首次生长出的最大直径(300 mm)碘化铯CsⅠ(Tl)闪烁晶体,并采用X射线和137Cs所发射的-射线为激发源分别测试了该晶体不同部位的发光强度,分析了这些部位的铊离子浓度,并对发光强度与铊离子浓度及其空间关系进行了讨论... 详细信息

报道了迄今为止国内首次生长出的最大直径(300 mm)碘化铯CsⅠ(Tl)闪烁晶体,并采用X射线和137Cs所发射的-射线为激发源分别测试了该晶体不同部位的发光强度,分析了这些部位的铊离子浓度,并对发光强度与铊离子浓度及其空间关系进行了讨论,认为该晶体在水平面上的发光不均匀性反映出生长界面具有凸向上的特征,进而提出调节温度场对改善均匀性具有重要作用。

关键词： CsI(Tl)晶体光输出 Tl离子浓度非均匀性生长界面

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Kuramoto-Sivashinsky与Karda-Parisi-Zhang模型中生长界面分形特性研究

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物理学报 2003年第11期52卷 2743-2749页

作者：齐红基黄立华邵建达范正修中国科学院上海光学精密机械研究所上海201800

在 (2 +1)维情况下 ,利用数值模拟研究了Kuramoto Sivashinsky (K S)与Karda Parisi Zhang (KPZ)模型所决定的非平衡态界面生长演化过程 .结果表明 ,KPZ与K S模型都表现出明显的时间和空间标度特性 .相对于KPZ模型而言 ,K S模型所对应... 详细信息

在 (2 +1)维情况下 ,利用数值模拟研究了Kuramoto Sivashinsky (K S)与Karda Parisi Zhang (KPZ)模型所决定的非平衡态界面生长演化过程 .结果表明 ,KPZ与K S模型都表现出明显的时间和空间标度特性 .相对于KPZ模型而言 ,K S模型所对应的表面具有更明显的颗粒特征 ,当生长时间较长时 ,生长界面呈现蜂窝状结构 .通过数值相关分析得到了生长界面的粗糙度指数、生长指数和动态标度指数等参数 .从两种模型对应的表面形貌特征和表面参数来看 ,在 (2 +1)维情况下 ,KPZ与K S模型所决定的表面具有完全不同的动态标度行为 ,属于不同的两类物理模型 .

关键词： Kuramoto-Sivashinsky模型 Karda-Parisi-Zhang模型数值模拟生长界面分形特性统计参数生长指数粗糙度指数

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金刚石单晶生长界面Auger电子能谱分析

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金刚石与磨料磨具工程 2005年第5期25卷 55-57页

作者：李颖郝兆印河南工业大学郑州450007 吉林大学超硬材料国家重点实验室长春130012

本文用Auger电子能谱技术分别对金刚石单晶生长界面的金属膜表面及附近碳原子的Auger谱精细结构、金刚石单晶附近及其表面的Auger谱精细结构进行了分析。Auger谱分析表明,金刚石晶体外的碳的Auger谱与石墨的类似,金刚石单晶上的碳的Auge... 详细信息

本文用Auger电子能谱技术分别对金刚石单晶生长界面的金属膜表面及附近碳原子的Auger谱精细结构、金刚石单晶附近及其表面的Auger谱精细结构进行了分析。Auger谱分析表明,金刚石晶体外的碳的Auger谱与石墨的类似,金刚石单晶上的碳的Auger谱与石墨的主跃迁峰能量相差约3.7 eV,与金刚石单晶Auger谱形相同,介于两者之间的Auger谱反映出碳原子的电子杂化态介于石墨与金刚石单晶之间。结果表明高温高压条件下石墨中碳原子经过“金属催化剂层”才能将碳原子的电子构形从SP2π态改变成SP3态,碳原子从而以金刚石四面体结构沉积到金刚石表面,金刚石晶格结构的形成是在金刚石表面层完成的。

关键词：金刚石单晶生长界面 Auger电子能谱

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温度梯度溶液法生长ZnTe晶体时生长界面的优化设计

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功能材料 2017年第4期48卷 4001-4006页

作者：殷利迎介万奇王涛周伯儒杨帆査钢强西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安710072 西北工业大学辐射探测材料与器件工业和信息化部重点实验室西安710072

为了优化用温度梯度溶液法(TGSG)生长ZnTe晶体时的生长界面,设计了一种由莫来石圆筒及其内部的圆柱形石墨芯组成的安瓿支撑结构。用有限元的方法数值模拟了这种支撑结构对生长过程中各种传输现象及生长界面形貌的影响。模拟结果显示,晶... 详细信息

为了优化用温度梯度溶液法(TGSG)生长ZnTe晶体时的生长界面,设计了一种由莫来石圆筒及其内部的圆柱形石墨芯组成的安瓿支撑结构。用有限元的方法数值模拟了这种支撑结构对生长过程中各种传输现象及生长界面形貌的影响。模拟结果显示,晶体生长开始时,溶液内存在上下两个顺时针方向的涡流。随后,靠近生长界面的涡流很快消失,远离生长界面的涡流逐渐缩小,并向溶液顶部移动。生长界面前的对流消失后,ZnTe溶质以扩散形式向生长界面传输。生长界面最开始为凸界面,待生长至晶锭总长度的1/3处时转为平直界面,之后转为凹界面。生长界面深度始终明显小于未采用本支撑结构时的生长界面,也没有出现生长界面的分段现象。这样的生长界面将有利于提高ZnTe晶体的单晶率及结晶质量。

关键词： ZnTe 晶体生长温度梯度溶液法(TGSG) 数值模拟生长界面热溶质对流

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稳定提拉法晶体生长界面的装置和方法研究

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压电与声光 2020年第5期42卷 718-720页

作者：周益民何晔岑伟陈川贵邓江涛中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060 麦格磁电科技有限公司广东珠海519040

为了解决传统提拉单晶体生长界面不稳定的难题,该文在传统全自动提拉单晶炉等径控制理论的基础上,通过原料补充装置,不断添加与晶体生长量相等的晶体原料至坩埚内,以稳定晶体生长液面的高度不变;再通过光学放大和电荷耦合器件(CCD)成像... 详细信息

为了解决传统提拉单晶体生长界面不稳定的难题,该文在传统全自动提拉单晶炉等径控制理论的基础上,通过原料补充装置,不断添加与晶体生长量相等的晶体原料至坩埚内,以稳定晶体生长液面的高度不变;再通过光学放大和电荷耦合器件(CCD)成像装置测量晶体实时直径的变化,以此变化率调整晶体旋转速度,最终使晶体生长界面始终维持在一个相对稳定的理想状态,从而保证晶体外形符合设定要求和内部品质的优良。

关键词：提拉(CZ)法生长界面单晶炉晶体生长自动控制

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接种量对单增李斯特菌生长期及生长界面的影响

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食品工业科技 2014年第18期35卷 180-184页

作者：周小红李学英杨宪时迟海中国水产科学研究院东海水产研究所上海200090

为了初步了解接种量对单增李斯特菌生长状况及生长/非生长界面的影响,本实验对单增李斯特菌在0、4、10、25℃下通过培养菌液在600nm下的吸光光度值对其生长周期曲线分别进行了测定,并分析了不同接种量的单增李斯特菌菌液在25℃下的生长... 详细信息

为了初步了解接种量对单增李斯特菌生长状况及生长/非生长界面的影响,本实验对单增李斯特菌在0、4、10、25℃下通过培养菌液在600nm下的吸光光度值对其生长周期曲线分别进行了测定,并分析了不同接种量的单增李斯特菌菌液在25℃下的生长周期状况,探讨了纯培养条件下不同盐度和pH下,接种量对单增李斯特菌生长/非生长状况的影响。结果表明：不同的温度下,单增李斯特菌的生长周期有很大的差别;而在相同温度下,接种量对单增李斯特菌的生长周期有较大的影响,随着接种水平的降低,菌种生长所需的延滞时间越长,接种量为107CFU/mL时,其生长延滞期为0-4h,而当接种量减少为10CFU/mL时,其生长延滞期为0-16h;而对于单增李斯特菌的生长/非生长界面而言,接种量对其也有一定的影响,但其作用机制还有待进一步深入的研究。

关键词：单增李斯特菌接种量生长期生长界面

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淡腌黄鱼微生物生长/非生长界面的初步研究

淡腌黄鱼微生物生长/非生长界面的初步研究

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作者：别春彦上海水产大学

学位级别：硕士

大黄鱼是我国主要海产经济鱼类之一，深受海内外消费者的青睐，随着网箱养殖业的成功，大黄鱼的产量也逐年增加。新型淡腌黄鱼制品正在形成水产品加工的产业，但其科技含量有待提高，最主要的问题是其品质和货架期，目前，淡腌黄鱼制品... 详细信息

大黄鱼是我国主要海产经济鱼类之一，深受海内外消费者的青睐，随着网箱养殖业的成功，大黄鱼的产量也逐年增加。新型淡腌黄鱼制品正在形成水产品加工的产业，但其科技含量有待提高，最主要的问题是其品质和货架期，目前，淡腌黄鱼制品普遍采用真空包装-10℃以下冷冻贮藏流通的方式，由于是半干制品，实际中经常是在常温或冷藏流通，然而脱离冷冻温度，将给产品品质和安全带来潜在危害，因此，探讨常温和冷藏条件下，淡腌黄鱼制品的品质变化和货架期是必要的。\n 本论文旨在研究实际生产、流通的水分活度分别为0.938～0.950，0.915～0.918，0.905～0.908的淡腌黄鱼制品，在冷藏温度(5、10、15℃)和常温(25℃)贮藏过程中，微生物和脂肪氧化造成的品质下降情况，从而确定不同水分活度产品的货架期及其主要影响因素，并对货架期终点的指标值进行探讨。由于产品在不同的贮藏条件下，其导致腐败的微生物不同，因此对微生物腐败的主要原因细菌进行初步分析。根据实验所得数据运用Gompertz方程得出微生物生长动力学参数，探讨通过微生物生长动力学参数来限定微生物生长/非生长界面的可能性，得到如下主要结果：\n (1)市场上流通的淡腌黄鱼产品(aw：0.938-0.950，盐份2.5％左右)在5、10、15、25℃下保藏货架期分别为20、14、8、4.5天，而降低产品的水分活度时，货架期均有所延长，水分活度为0.905～0.910，盐份5％的样品，其在5℃及5℃以下保藏，货架期可达一个月以上。\n (2)水分活度较高的产品在25℃保藏时VBN值呈直线上升，而5、10℃保藏的产品则在保藏初期出现一个相对的缓慢期，后期VBN值迅速上升。并得出产品腐败的终点VBN值为38mg/100g。\n (3)三种水分活度分别为：0.938～0.950，0.915～0.918，0.905～0.908的产品在保藏期间，微生物的变化也较明显，几种温度下，均有微生物的活动这表明淡腌黄鱼产品不能脱离冷链流通，在5、10、15℃保藏，得到的最大菌数基本一致，均达到8～9Logcfu/g，结合VBN、POV及微生物、感官分析，判断出在25℃保藏时，微生物的活动并非是导致产品不可接受的主要原因，脂肪氧化的速度要高于微生物腐败。\n (4)对淡腌黄鱼的菌相进行分析，发现淡腌黄鱼中革兰氏阳性菌的比例较高，5、10、15℃保藏时，菌相较单一，在保藏后期，存在三种菌落，分别为Brevundimonasdiminute，Covynebacteriumspecies，Kocuriarosea。但三种菌在不同温度中所占的比例不同。\n (5)根据实验所得数据运用Gompertz方程得出微生物生长动力学参数，市场上流通的淡腌黄鱼产品在5与15℃下保藏，其细菌总数的最大比生长速率(μmax)分别为0.356、0.

关键词：大黄鱼淡腌黄鱼保藏品质菌相分析生长动力学生长界面栅栏效应

来源：评论

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直拉硅单晶生长界面生成、演变及控制方法研究

直拉硅单晶生长界面生成、演变及控制方法研究

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作者：姜雷西安理工大学

学位级别：博士

单晶硅是最重要的半导体材料，伴随着集成电路产业的进步，对单晶硅的品质提出了更高的要求。直拉法是制备电子级单晶硅的主要方法，在直拉硅单晶生长系统中，生长界面（也称为固液界面）是硅从液态向固态转变的分界面，生长界面的形状... 详细信息

单晶硅是最重要的半导体材料，伴随着集成电路产业的进步，对单晶硅的品质提出了更高的要求。直拉法是制备电子级单晶硅的主要方法，在直拉硅单晶生长系统中，生长界面（也称为固液界面）是硅从液态向固态转变的分界面，生长界面的形状直接影响到直拉硅单晶的品质，平直的界面形状有利于提高硅单晶品质，例如径向溶质浓度、径向电阻率等品质参数。本文正是在这样的背景下，对直拉硅单晶生长界面形状生成机理及其控制方法进行研究。　　1．数值模拟是对直拉硅单晶生长过程进行研究的重要方法。针对固液界面形状的数值模拟问题，本文建立了晶体生长系统的数值模型，提出一种内热源法和迭代法共同用于解决界面形状的获取问题，通过晶体生长实验验证了该方法的有效性。提出了一种二维/三维混合模型中边界条件的确立方法，综合考虑了热辐射、热传导以及氩气流动的影Ⅱ向，将数值模拟从二维推广至三维空间。采用该方法对水平磁场作用下的晶体生长进行了研究，得到了磁场强度等因素对晶体生长温度场和固液界面形状的影响及描述。　　2．采用数值模拟的方法，依据晶体生长工艺过程，对放肩、等径以及收尾阶段的固液界面形状进行了数值模拟。给出了固液界面形状的演变过程，揭示了这种演变过程的内在规律，研究了不同宏观控制参数对固液界面形状的影响。研究结果表明，液面位置的变化是影响固液界面形状的主要干扰，需要进行抑制;提拉速度对界面形状的影响较大，不能使用传统的提拉速度作为控制量对晶体直径进行控制，而应当作为界面形状的调整手段。根据界面形状演变的内在规律，分别采用提拉速度和晶转作为调整界面形状的参数，优化了界面形状的平真度　　3.对于晶体生长过程中液面位置变化对固液界面形状的影响，提出一种熔硅液面位置检测方法，使用基于模型的滤波方法滤除了检测过程中的脉冲噪声。在晶体生长实验中对液面位置进行闭环控制，证明控制后的精度能够达到<±0.2mm，达到了国家科技重大专项对半导体级单晶炉的控制精度要求。维持了液面位置稳定，减少了液面位置变化对界面形状的影响。　　4．对于传统拉速控制晶体直径方式对界面形状的影响，提出一种恒拉速晶体直径控制方法，采用温度对晶体直径进行控制。研究中将晶体生长过程分为多个阶段进行辨识，通过实验手段获得不同阶段的离线模型。使用基于模型的广义预测控制解决控制过程中纯滞后时间较大的问题;针对晶体生长过程中过程模型缓时变的特征，在不同阶段离线模型的基础上采用在线辨识的方法予以解决;对于不同阶段间模型切换的问题，则采用多模型切换控制的思路，最终设计了恒拉速晶体直径控制器，并通过晶体生长实验验证了控制方法的有效性。消除了传统控制方式中提拉速度对界面形状的影响。　　仿真研究和工程实验验证了本文所获得结果的正确性。

关键词：直拉硅单晶生长界面液位检测恒拉速直径控制磁场强度数值模拟

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高温高压条件下金刚石单晶生长界面的研究

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河南工业大学学报（社会科学版） 2000年第4期 1-6页

作者：李颖郝兆印郑州工业高等专科学校磨料磨具工程系郑州450007 吉林大学超硬材料国家重点实验室长春130023

高温高压下金刚石单晶的成核和生长,一直是金刚石行业的学者所关心的课题.本文介绍了在实验上获得的一些金刚石单晶生长方面的信息,试为已有的理论提供一些实验依据.

关键词：金刚石单晶生长界面高温高压

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Fe—C合金的共晶生长特性：Ⅰ.生长界面...

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球铁 1991年第2期 57-59,54页

作者：李言祥柳百成

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