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检索条件"主题词=电可擦可编程只读存储器"
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电可擦可编程只读存储器及其制造方法
电可擦可编程只读存储器及其制造方法
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作者： 沈安星 张有志 吴少衔 510000 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
本发明提供一种电可擦可编程只读存储器及其制造方法，电可擦可编程只读存储器包括半导体衬底、位于半导体衬底中的至少两个有源区、位于半导体衬底上的至少两个控制栅结构以及位于控制栅结构两侧的有源区上的至少两个接触结构；控制栅... 详细信息
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电可擦可编程只读存储器
电可擦可编程只读存储器
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作者： 權彞振 倪昊 殷常伟 高龙辉 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明公开了一种电可擦可编程只读存储器。其中，该电可擦可编程只读存储器包括：字线；位线；与字线和位线连接的晶体管；位线驱动器，每个位线驱动器与多条位线连接，用于对多条位线中的一条或多条进行驱动。本发明解决了每个位线均... 详细信息
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电可擦可编程只读存储器及其数据处理方法
电可擦可编程只读存储器及其数据处理方法
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作者： 赵子鉴 郑晓 杨翼 殷常伟 于春天 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明公开了一种电可擦可编程只读存储器及其数据处理方法。其中，该电可擦可编程只读存储器包括：逻辑前置电路，用于接收用于测试电可擦可编程只读存储器的设定值；以及内部电路，内部电路设置在电可擦可编程只读存储器上，内部电路... 详细信息
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电可擦可编程只读存储器
电可擦可编程只读存储器
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作者： 杨光军 顾靖 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号
本发明公开一种电可擦可编程只读存储器，至少包括：半导体衬底；于该半导体衬底上间隔设置N型重掺杂的源极区域和漏极区域及沟道区该沟道区位于该源极区域和该漏极区域之间；第一位线和第二位线，分别连接于该源极区域和该漏极区域；... 详细信息
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电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法
电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法
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作者： 杨光军 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
本发明公开一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法，该电可擦可编程只读存储器的位线分为两组，每组分别于不同金属层走线，两不同金属层间用较短的走线和过孔进行连接，通过本发明，可减小位线间的耦合电容，提高存储器的速度，... 详细信息
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电可擦可编程只读存储器及其数据处理方法
电可擦可编程只读存储器及其数据处理方法
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作者： 赵子鉴 郑晓 杨翼 殷常伟 于春天 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明公开了一种电可擦可编程只读存储器及其数据处理方法。其中，该电可擦可编程只读存储器包括：逻辑前置电路，用于接收用于测试电可擦可编程只读存储器的设定值；以及内部电路，内部电路设置在电可擦可编程只读存储器上，内部电路... 详细信息
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电可擦可编程只读存储器及其形成方法、擦除方法
电可擦可编程只读存储器及其形成方法、擦除方法
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作者： 于涛 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
一种电可擦可编程只读存储器及其形成方法、擦除方法，其中，所述电可擦可编程只读存储器，包括：半导体衬底，位于半导体衬底内具有沿第一方向排布的若干有源区；位于有源区上的字线；分别位于字线两侧的有源区上的浮栅介质层、位于浮... 详细信息
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一种电可擦可编程只读存储器EEprom的操作控制方法及系统
一种电可擦可编程只读存储器EEprom的操作控制方法及系统
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作者： 石道林 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302
本发明公开了一种电可擦可编程只读存储器EEprom的操作控制方法及系统，目前，智能卡在应用中（特别在java卡中），在交易过程中需要根据间隙保存数据到电可擦可编程只读存储器EEprom内，针对现有技术存在的缺陷，为了延长电可擦可编程... 详细信息
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一种电可擦可编程只读存储器
一种电可擦可编程只读存储器
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作者： 詹奕鹏 刘欣 金凤吉 郑大燮 郭兵 周川淼 201203 上海市浦东新区张江路18号
本发明提供一种电可擦可编程只读存储器，根据本发明提出新的位线布局方法，相邻位线之间的垂直距离增大，所以相邻位线之间的电容将减小，通过将位线分别捆扎至不同金属层，将减小充电和放电的寄生电容而降低了电量消耗，减小位线之间... 详细信息
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电可擦可编程只读存储器结构以及电子设备
电可擦可编程只读存储器结构以及电子设备
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作者： 顾靖 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号
本发明提供了一种电可擦可编程只读存储器结构以及电子设备。根据本发明的电可擦可编程只读存储器结构，其包括：在行方向和列方向布置的存储单元结构矩阵；其中，同一列的存储单元结构的源极和漏极通过第一金属层依次连接；并且其中，... 详细信息
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