检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：卢昱明刘海文魏永佳汤虎子高波 518000 广东省深圳市南山区科艺路南山科技园M-4栋深健大厦4楼D2

本实用新型提供一种智能化开关插座，包括面盖和底盖，面盖和底盖之间设有控制电路板和插座弹片安装座，控制电路板上设有互相电性连接的MCU、电源模块、存储器、网络接口、指示灯和插座弹片，插座弹片置于插座弹片安装座内，面盖上设... 详细信息

标准号: CN205752814U

本实用新型提供一种智能化开关插座，包括面盖和底盖，面盖和底盖之间设有控制电路板和插座弹片安装座，控制电路板上设有互相电性连接的MCU、电源模块、存储器、网络接口、指示灯和插座弹片，插座弹片置于插座弹片安装座内，面盖上设有指示灯孔和插座插孔，分别与指示灯和插座弹片相互对应，所述面盖前方还设有可拆卸的装饰盖，所述的网络接口为RS‑485串行总线接口，所述存储器为电可擦可编程只读存储器，所述插座插孔带有防触电绝缘挡片。所述的智能化开关插座，适用于各种智能化控制场所，包括酒店、别墅、高档小区、高级会所、高档办公室等，智能插座与配电箱可以组合为一个完整的只能用电网络，也可以单独组网，完成智慧用电网络中80％以上的功能。

关键词：插座弹片面盖智能化指示灯控制电路板存储器插座插孔开关插座网络接口用电网络安装座底盖电可擦可编程只读存储器串行总线接口本实用新型单独组网电性连接电源模块高档小区绝缘挡片可拆卸的指示灯孔智能插座防触电配电箱装饰盖别墅

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一种用于液晶显示面板二次开发的独用Mura修复架构

一种用于液晶显示面板二次开发的独用Mura修复架构

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作者：姜建德 201203 上海市浦东新区晨晖路88号1栋416室

本发明公开了一种用于液晶显示面板二次开发的独用Mura修复架构，其特征在于：包括相互连接的液晶显示面板与时序控制模块，以及与时序控制模块连接的电可擦可编程只读存储器1与电可擦可编程只读存储器2。所述的时序控制模块有一个通用... 详细信息

标准号: CN105278129A

本发明公开了一种用于液晶显示面板二次开发的独用Mura修复架构，其特征在于：包括相互连接的液晶显示面板与时序控制模块，以及与时序控制模块连接的电可擦可编程只读存储器1与电可擦可编程只读存储器2。所述的时序控制模块有一个通用输入/输出接口。所述的通用输入/输出接口包括两种设置，一种设置为不进行Mura修复，另一种设置为进行Mura修复；初始设置为不进行Mura修复。本发明可以对液晶显示屏生产厂筛选出的次品液晶显示屏进行二次开发，避免资源浪费。

关键词：时序控制模块一种修复电可擦可编程只读存储器通用输入/输出接口液晶显示面板液晶显示屏二次开发设置初始设置相互连接资源浪费次品两种进行架构筛选连接公开

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电动汽车续驶里程估算方法、装置及电动汽车

电动汽车续驶里程估算方法、装置及电动汽车

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作者：魏跃远耿姝芳李玮 102606 北京市大兴区采育经济开发区采和路1号

本发明公开了一种电动汽车续驶里程估算方法、装置及电动汽车，其中，电动汽车续驶里程估算方法，包括：接收电池管理系统BMS发送的当前电池编码信息；将当前电池编码信息与电可擦可编程只读存储器EEPROM中保存的电池编码信息进行比对... 详细信息

标准号: CN105292126A

本发明公开了一种电动汽车续驶里程估算方法、装置及电动汽车，其中，电动汽车续驶里程估算方法，包括：接收电池管理系统BMS发送的当前电池编码信息；将当前电池编码信息与电可擦可编程只读存储器EEPROM中保存的电池编码信息进行比对；若当前电池编码信息与电池编码信息不一致，则通过数据采集终端RMS将当前电池编码信息发送至服务器，并通过数据采集终端RMS接收服务器返回的当前电池编码信息对应的历史累计行驶里程和历史累计耗电量；获取电池管理系统BMS发送的当前电池初始可用电量；根据当前电池初始可用电量、历史累计行驶里程和历史累计耗电量计算初始续驶里程值。

关键词：编码信息电池电动汽车续驶里程累计行驶里程采集终端估算方法可用电量通过数据耗电量发送电可擦可编程只读存储器电池管理系统接收服务器管理系统接收电池不一致比对一种累计服务器对应保存返回获取计算公开进行

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无源智能光纤网络管理系统

无源智能光纤网络管理系统

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作者：祝春夏 230001 安徽省合肥市包河区徽州大道5136号滨湖世纪城临滨苑B幢2110室

本发明公开一种无源智能光纤网络管理系统，包括射频识别电子标签、光分配网络架、塑胶脚环、读卡器以及应用与控制处理系统，射频识别电子标签内设有射频识别核心芯片，射频识别核心芯片由射频电流、数字控制电路和电可擦可编程只读存... 详细信息

标准号: CN105307061A

本发明公开一种无源智能光纤网络管理系统，包括射频识别电子标签、光分配网络架、塑胶脚环、读卡器以及应用与控制处理系统，射频识别电子标签内设有射频识别核心芯片，射频识别核心芯片由射频电流、数字控制电路和电可擦可编程只读存储器三个部分构成，射频识别核心芯片上设有微带电路，微带电路内设有天线电路，塑胶脚环由尾纤和托盘面板组成，射频识别电子标签绑定在尾纤上，塑胶脚环接于业务开通应用接口以及资源管理应用接口，尾纤端口连接有标签底座组合，读卡器包括控制单元、用于发射功率并进行调制解调的高频接口以及接于高频接口外的天线。相对现有技术，本发明为无源方案，在室外的线路无源设施上使用,集约化成度高，并且工作效率高。

关键词：射频识别电子标签核心芯片射频识别塑胶脚无源高频接口微带电路应用接口读卡器尾纤电可擦可编程只读存储器光纤网络管理系统控制处理系统数字控制电路光分配网络底座组合调制解调发射功率工作效率射频电流天线电路托盘面板尾纤端口业务开通资源管理集约化绑定度高环接一种天线室外标签设有智能连接构成应用公开组成进行

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一种电网供电线路继电保护装置控制方法

一种电网供电线路继电保护装置控制方法

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作者：张兴凯张新强张长斌蒋仲俊陈宏伟马建华李鹏张辉冯烨李晗李伟刘雷颜丙胜姜居怀郑连利姜本均宋甲永司永强 273200 山东省济宁市泗水县光明路34号

本发明提供了一种电网供电线路继电保护装置控制方法，包括模拟量采集模块、逻辑处理模块、DSP处理器、继电器保护模块、通讯模块以及人机界面模块，模拟量采集模块、继电器保护模块输出端连接逻辑处理模块，逻辑处理模块连接DSP处理器... 详细信息

标准号: CN105514952A

本发明提供了一种电网供电线路继电保护装置控制方法，包括模拟量采集模块、逻辑处理模块、DSP处理器、继电器保护模块、通讯模块以及人机界面模块，模拟量采集模块、继电器保护模块输出端连接逻辑处理模块，逻辑处理模块连接DSP处理器，逻辑处理模块通过通讯模块连接终端处理模块，DSP处理器还连接电可擦可编程只读存储器，还包括开关量输入模块、光电隔离模块，开关量输入模块通过光电隔离模块连接DSP处理器，本发明结构原理简单，控制精度高、抗干扰能力强，为电网供电线路保护提供了安全可靠保障，同时能够对电力线路异常作出快速、稳定、可靠的反应，提高了电网供电质量。

关键词：逻辑处理模块电网供电开关量输入模块模拟量采集模块光电隔离模块继电器保护处理模块通讯模块连接电可擦可编程只读存储器继电保护装置人机界面模块抗干扰能力模块输出端电力线路控制精度连接逻辑连接终端线路保护一种可靠反应保障稳定

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深亚微米抗辐照EEPROM单元及ESD设计

深亚微米抗辐照EEPROM单元及ESD设计

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作者：田海燕东南大学

学位级别：硕士

EEPROM作为非挥发存储设备，大量用于航空与航天领域。但是由于空间应用环境的复杂性，存储阵列常常会受到辐射的影响而使关键数据丢失或器件失效，ESD保护结构也受到一定的破坏，使得常规的ESD保护结构不再有保护芯片内部电路的能力。... 详细信息

EEPROM作为非挥发存储设备，大量用于航空与航天领域。但是由于空间应用环境的复杂性，存储阵列常常会受到辐射的影响而使关键数据丢失或器件失效，ESD保护结构也受到一定的破坏，使得常规的ESD保护结构不再有保护芯片内部电路的能力。如何满足空间应用的需要，提高EEPROM的抗辐照性能，是多年来研究的热点。　　本文从辐射效应对器件的影响机理入手，分析了EEPROM的存储单元及常规ESD保护电路在辐射环境中的失效机理。且为了减小总剂量效应的影响，本文新设计了一种FLOTOX单元。该单元减薄了器件氧化层的厚度，并通过改进器件结构，消除了寄生的MOS管，将单元抗总剂量辐射能力从50kRad(Si)提升至150kRad(Si)以上。基于现有的商用线工艺，通常使用薄外延片来减小单粒子闩锁效应的影响，但是低阻衬底会降低NMOS器件的ESD能力。本文在ESD设计时，利用0.18μm EEPROM工艺中的固有版次，改进了NMOS器件的结构，使之ESD性能大幅提高，有效抑制了辐射对ESD器件的影响。　　本文的研究成果已应用于一款抗辐照EEPROM电路设计中。经加固后，电路抗总剂量≥150kRad(Si)，抗单粒子闩锁效应≥90MeV-cm2/mg，抗单粒子翻转效应≥15 MeV-cm2/mg，人体模型ESD等级达3kV。上述各参数均达到设计指标要求。

关键词：电可擦可编程只读存储器静电阻抗器结构设计辐射效应

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一种微型计算机

一种微型计算机

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作者：韩丽花杨自芬刘丽 276000 山东省临沂市兰山区双岭路中段临沂大学

本实用新型涉及一种电子装置，更具体地说涉及一种微型计算机，可用于数据的运算处理，散热快，性能稳定。底板下方分布有齿，齿有多个。USB接口组上有USB接口。接口组上有键盘接口Ⅰ和键盘接口Ⅱ。显卡插槽固定在底板上且显卡插槽位于... 详细信息

标准号: CN204695178U

本实用新型涉及一种电子装置，更具体地说涉及一种微型计算机，可用于数据的运算处理，散热快，性能稳定。底板下方分布有齿，齿有多个。USB接口组上有USB接口。接口组上有键盘接口Ⅰ和键盘接口Ⅱ。显卡插槽固定在底板上且显卡插槽位于底板的左侧边缘处。模数转换器位于中央处理器的左侧，散热片位于中央处理器的上侧。双倍率同步动态随机存储器位于电可擦可编程只读存储器的上侧，以太网接口位于USB接口组和电可擦可编程只读存储器之间，USB接口组位于支撑板和以太网接口之间。电子集成驱动器接口位于视频接口和串行接口的上方。接口组安装在底板的右侧边缘处。内存插槽安装在底板的下侧边缘处，电源安装在底板上。

关键词：底板电可擦可编程只读存储器以太网接口中央处理器键盘接口显卡插槽底板上接口组上侧一种微型计算机同步动态随机存储器模数转换器驱动器接口串行接口底板下方电源安装电子集成电子装置内存插槽视频接口下侧边缘性能稳定右侧边缘运算处理左侧边缘散热片双倍率支撑板散热可用左侧涉及实用分布固定

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一种内存自适配方法及装置

一种内存自适配方法及装置

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作者：张伟进刘俊山周庚申贾兵石明傅子奇吴燕琴 518057 广东省深圳市南山区科技园长城计算机大厦

本发明适用于计算机领域，提供了一种内存自适配方法及装置，所述方法包括下述步骤：在检测到系统开机时，读取第一存储区中的串行检测SPD信息；判断读取的所述SPD信息是否为缺省值；若否，读取内存SPD芯片的SPD信息；判断第一存储区中... 详细信息

标准号: CN104572365A

本发明适用于计算机领域，提供了一种内存自适配方法及装置，所述方法包括下述步骤：在检测到系统开机时，读取第一存储区中的串行检测SPD信息；判断读取的所述SPD信息是否为缺省值；若否，读取内存SPD芯片的SPD信息；判断第一存储区中读取的SPD信息和内存SPD芯片上读取的SPD信息是否相同；若否，根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU；所述第一存储区为预先配置的电可擦可编程只读存储器中的存储空间。本发明通过利用SPD信息来进行内存自适配，从而简化了飞腾平台中设备更换不同的内存后首次开机启动时的操作。

关键词：读取第一存储区内存SPD 内存芯片自适配电可擦可编程只读存储器微控制单元MCU 串行检测存储空间设备更换首次开机系统开机于计算机预先配置初始化启动时缺省值信息和飞腾判断一种简化检测相同操作进行

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华虹半导体最新推出0．11μm超低漏电嵌入式闪存工艺平台

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中国集成电路 2015年第7期24卷 3-3页

华虹半导体有限公司（华虹半导体）日前宣布，最新推出0．11μm超低漏电（Ultra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0．18μm超低漏电技术的延续，可为客... 详细信息

华虹半导体有限公司（华虹半导体）日前宣布，最新推出0．11μm超低漏电（Ultra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0．18μm超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完美兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化解决方案。

关键词：嵌入式闪存半导体平台工艺电可擦可编程只读存储器漏电成本优势 Low

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华虹半导体0．11微米超低漏电嵌入式闪存工艺助力物联网MCU

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集成电路应用 2015年第7期32卷 43-43页

华虹半导体有限公司近日宣布，最新推出0．11微米超低漏电（UItra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0．18微米超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完... 详细信息

华虹半导体有限公司近日宣布，最新推出0．11微米超低漏电（UItra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0．18微米超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完美兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化解决方案。

关键词：嵌入式闪存半导体工艺微米电可擦可编程只读存储器漏电 MCU 物联网

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