检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：张伟进刘俊山周庚申贾兵石明傅子奇吴燕琴 518057 广东省深圳市南山区科技园长城计算机大厦

本发明适用于计算机领域，提供了一种内存自适配方法及装置，所述方法包括下述步骤：在检测到系统开机时，读取第一存储区中的串行检测SPD信息；判断读取的所述SPD信息是否为缺省值；若否，读取内存SPD芯片的SPD信息；判断第一存储区中... 详细信息

标准号: CN104572365A

本发明适用于计算机领域，提供了一种内存自适配方法及装置，所述方法包括下述步骤：在检测到系统开机时，读取第一存储区中的串行检测SPD信息；判断读取的所述SPD信息是否为缺省值；若否，读取内存SPD芯片的SPD信息；判断第一存储区中读取的SPD信息和内存SPD芯片上读取的SPD信息是否相同；若否，根据所述内存SPD芯片上读取的SPD信息，初始化微控制单元MCU；所述第一存储区为预先配置的电可擦可编程只读存储器中的存储空间。本发明通过利用SPD信息来进行内存自适配，从而简化了飞腾平台中设备更换不同的内存后首次开机启动时的操作。

关键词：读取第一存储区内存SPD 内存芯片自适配电可擦可编程只读存储器微控制单元MCU 串行检测存储空间设备更换首次开机系统开机于计算机预先配置初始化启动时缺省值信息和飞腾判断一种简化检测相同操作进行

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显示装置

显示装置

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作者：童焕勳刘克远 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

本揭示提供了显示装置。所述显示装置包括电路板、内存、处理器、电可擦可编程只读存储器以及两线式串行总线。所述内存设置于所述电路板上。所述处理器电连接所述内存且设置于所述电路板上。所述电可擦可编程只读存储器电连接所述处理... 详细信息

标准号: CN110221844A

本揭示提供了显示装置。所述显示装置包括电路板、内存、处理器、电可擦可编程只读存储器以及两线式串行总线。所述内存设置于所述电路板上。所述处理器电连接所述内存且设置于所述电路板上。所述电可擦可编程只读存储器电连接所述处理器且设置于所述电路板上。所述两线式串行总线连接所述处理器和所述电可擦可编程只读存储器。所述内存储存有扩展显示标识数据信息，能够让所述显示装置的烧录系统小型化与简单化。

关键词：电路板电可擦可编程只读存储器处理器显示装置内存串行总线电连接扩展显示标识数据信息内存储存烧录系统

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电动汽车续驶里程估算方法、装置及电动汽车

电动汽车续驶里程估算方法、装置及电动汽车

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作者：魏跃远耿姝芳李玮 102606 北京市大兴区采育经济开发区采和路1号

本发明公开了一种电动汽车续驶里程估算方法、装置及电动汽车，其中，电动汽车续驶里程估算方法，包括：接收电池管理系统BMS发送的当前电池编码信息；将当前电池编码信息与电可擦可编程只读存储器EEPROM中保存的电池编码信息进行比对... 详细信息

标准号: CN105292126B

本发明公开了一种电动汽车续驶里程估算方法、装置及电动汽车，其中，电动汽车续驶里程估算方法，包括：接收电池管理系统BMS发送的当前电池编码信息；将当前电池编码信息与电可擦可编程只读存储器EEPROM中保存的电池编码信息进行比对；若当前电池编码信息与电池编码信息不一致，则通过数据采集终端RMS将当前电池编码信息发送至服务器，并通过数据采集终端RMS接收服务器返回的当前电池编码信息对应的历史累计行驶里程和历史累计耗电量；获取电池管理系统BMS发送的当前电池初始可用电量；根据当前电池初始可用电量、历史累计行驶里程和历史累计耗电量计算初始续驶里程值。

关键词：编码信息电池电动汽车续驶里程电池管理系统数据采集终端行驶里程耗电量发送用电量电可擦可编程只读存储器估算接收服务器不一致比对服务器保存返回

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一种电网供电线路继电保护装置控制方法

一种电网供电线路继电保护装置控制方法

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作者：张兴凯张新强张长斌蒋仲俊陈宏伟马建华李鹏张辉冯烨李晗李伟刘雷颜丙胜姜居怀郑连利姜本均宋甲永司永强 273200 山东省济宁市泗水县光明路34号

本发明提供了一种电网供电线路继电保护装置控制方法，包括模拟量采集模块、逻辑处理模块、DSP处理器、继电器保护模块、通讯模块以及人机界面模块，模拟量采集模块、继电器保护模块输出端连接逻辑处理模块，逻辑处理模块连接DSP处理器... 详细信息

标准号: CN105514952A

本发明提供了一种电网供电线路继电保护装置控制方法，包括模拟量采集模块、逻辑处理模块、DSP处理器、继电器保护模块、通讯模块以及人机界面模块，模拟量采集模块、继电器保护模块输出端连接逻辑处理模块，逻辑处理模块连接DSP处理器，逻辑处理模块通过通讯模块连接终端处理模块，DSP处理器还连接电可擦可编程只读存储器，还包括开关量输入模块、光电隔离模块，开关量输入模块通过光电隔离模块连接DSP处理器，本发明结构原理简单，控制精度高、抗干扰能力强，为电网供电线路保护提供了安全可靠保障，同时能够对电力线路异常作出快速、稳定、可靠的反应，提高了电网供电质量。

关键词：逻辑处理模块电网供电开关量输入模块模拟量采集模块光电隔离模块继电器保护处理模块通讯模块连接电可擦可编程只读存储器继电保护装置人机界面模块抗干扰能力模块输出端电力线路控制精度连接逻辑连接终端线路保护一种可靠反应保障稳定

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一种无线温湿度传感器节点

一种无线温湿度传感器节点

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作者：李贵柯李京波 510062 广东省广州市越秀区东风东路729号大院

本申请提供了一种无线温湿度传感器节点，天线接收阅读器发射的射频能量，射频与模拟前端电路将所述射频能量转换为直流电源，为温度传感器、湿度传感器接口电路、电可擦可编程只读存储器、射频与模拟前端电路和处理电路供电。本方案将... 详细信息

标准号: CN106370230A

本申请提供了一种无线温湿度传感器节点，天线接收阅读器发射的射频能量，射频与模拟前端电路将所述射频能量转换为直流电源，为温度传感器、湿度传感器接口电路、电可擦可编程只读存储器、射频与模拟前端电路和处理电路供电。本方案将温度传感器、湿度传感器接口电路、电可擦可编程只读存储器、处理电路和射频与模拟前端电路设置在同一芯片上，没有采用电池进行供电，从而不需要增加电池那部分的费用，降低成本，解决了需要电池供电而增加成本的问题。

关键词：模拟前端电路射频电可擦可编程只读存储器湿度传感器接口温度传感器处理电路射频能量电路阅读器无线温湿度传感器电池供电电池供电天线接收直流电源芯片发射转换申请

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一种用于液晶显示面板二次开发的独用Mura修复架构

一种用于液晶显示面板二次开发的独用Mura修复架构

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作者：姜建德 201203 上海市浦东新区晨晖路88号1栋416室

本发明公开了一种用于液晶显示面板二次开发的独用Mura修复架构，其特征在于：包括相互连接的液晶显示面板与时序控制模块，以及与时序控制模块连接的电可擦可编程只读存储器1与电可擦可编程只读存储器2。所述的时序控制模块有一个通用... 详细信息

标准号: CN105278129B

本发明公开了一种用于液晶显示面板二次开发的独用Mura修复架构，其特征在于：包括相互连接的液晶显示面板与时序控制模块，以及与时序控制模块连接的电可擦可编程只读存储器1与电可擦可编程只读存储器2。所述的时序控制模块有一个通用输入/输出接口。所述的通用输入/输出接口包括两种设置，一种设置为不进行Mura修复，另一种设置为进行Mura修复；初始设置为不进行Mura修复。本发明可以对液晶显示屏生产厂筛选出的次品液晶显示屏进行二次开发，避免资源浪费。

关键词：时序控制模块修复电可擦可编程只读存储器通用输入/输出接口液晶显示面板液晶显示屏二次开发初始设置次品架构筛选

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液晶显示面板、显示装置以及扫描方法

液晶显示面板、显示装置以及扫描方法

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作者：田申吕晶卢佳惠王铮蔡浩 215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号

本发明涉及显示技术领域；本发明公开了一种液晶显示面板、显示装置以及扫描方法。所述液晶显示面板包括：第一基板，所述第一基板上设置有彩色滤光片；第二基板，所述第二基板上设置有像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极... 详细信息

标准号: CN106773262B

本发明涉及显示技术领域；本发明公开了一种液晶显示面板、显示装置以及扫描方法。所述液晶显示面板包括：第一基板，所述第一基板上设置有彩色滤光片；第二基板，所述第二基板上设置有像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极；液晶层，位于第一基板和第二基板之间；所述彩色滤光片包括布置成阵列的多个具有颜色的滤光单元，同一行滤光单元中相同颜色的滤光单元相对于行的中心线对称设置。该液晶显示面板通过将同一行滤光单元中相同颜色的滤光单元相对于行的中心线对称设置，减少了支持正反扫的显示装置中存储扫描模式数据的电可擦可编程只读存储器，增加了印刷电路板上可布局的空间，使之更加轻薄，同时节省了成本。

关键词：滤光单元液晶显示面板第二基板第一基板中心线对称设置彩色滤光片显示装置像素单元电可擦可编程只读存储器扫描模式数据薄膜晶体管印刷电路板像素电极液晶层轻薄存储扫描

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华虹半导体最新推出0．11μm超低漏电嵌入式闪存工艺平台

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中国集成电路 2015年第7期24卷 3-3页

华虹半导体有限公司（华虹半导体）日前宣布，最新推出0．11μm超低漏电（Ultra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0．18μm超低漏电技术的延续，可为客... 详细信息

华虹半导体有限公司（华虹半导体）日前宣布，最新推出0．11μm超低漏电（Ultra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0．18μm超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完美兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化解决方案。

关键词：嵌入式闪存半导体平台工艺电可擦可编程只读存储器漏电成本优势 Low

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富士通将自9月推出业内最高密度8Mbit ReRAM产品

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中国集成电路 2019年第9期28卷 44-44页

富士通近日宣布推出业内最高密度8Mbit ReRAM——“MB85AS8MT”,此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体合作开发,将于今年9月开始供货。MB85AS8MT是采用SPI接口并与带电可擦可编程只读存储器(EEPROM)兼容的非挥发性内存,能在1.6至... 详细信息

富士通近日宣布推出业内最高密度8Mbit ReRAM——“MB85AS8MT”,此款ReRAM量产产品由富士通与松下电器半导体合作开发,将于今年9月开始供货。MB85AS8MT是采用SPI接口并与带电可擦可编程只读存储器(EEPROM)兼容的非挥发性内存,能在1.6至3.6伏特之间的广泛电压范围运作。其一大特色是极低的平均电流,在5MHz工作频率下仅需0.15mA读取数据,这让需通过电池供电且经常读取数据的装置能达到最低功耗。

关键词：富士通高密度电可擦可编程只读存储器产品 EEPROM SPI接口合作开发松下电器

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华虹半导体0．11微米超低漏电嵌入式闪存工艺助力物联网MCU

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集成电路应用 2015年第7期32卷 43-43页

华虹半导体有限公司近日宣布，最新推出0．11微米超低漏电（UItra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0．18微米超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完... 详细信息

华虹半导体有限公司近日宣布，最新推出0．11微米超低漏电（UItra—Low—Leakage，ULL）嵌入式闪存（eFlash）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）工艺平台。该工艺平台作为华虹半导体0．18微米超低漏电技术的延续，可为客户提供一个完美兼具高性能、低功耗、低成本优势于一身的差异化解决方案。

关键词：嵌入式闪存半导体工艺微米电可擦可编程只读存储器漏电 MCU 物联网

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