检索结果-内蒙古大学图书馆

绝缘子并联间隙作为一种新的"疏导型"防雷保护方式,已经逐步被电网公司所接受并列入相应的防雷要求之中。但是,目前国内对并联间隙的研究还是不多,而且主要集中在并联间隙保护原理以及间隙电极形状等方面,忽略了并联间隙对绝缘子串电场分布的影响。因此,文章选用ANSYS软件利用有限元方法对220 kV输电线路采用并联间隙防雷保护装置后绝缘子串的三维电场分布进行分析计算,讨论并联间隙对绝缘子串电场分布的影响。研究认为优化设计后的并联间隙对绝缘子的电位分布有一定的均匀作用。

关键词：并联间隙电场计算有限元法复合绝缘子

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牵引变压器套管电场分布计算与绝缘破坏分析

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高压电器 2016年第2期52卷 78-84页

作者：邓志祥彭宗仁殷凤伟赵志强吴昊西安交通大学电气工程学院西安710049 长春研奥电器有限公司长春130113 长春轨道客车股份有限公司长春130062

高速列车牵引变压器套管易出现绝缘击穿事故,严重影响列车的供电安全。探索牵引变压器套管的电场分布有利于找出绝缘的薄弱点。笔者结合牵引变压器套管的设计方案与安装环境,采用有限元方法计算了其电场分布,分析了电场分布规律以及制... 详细信息

高速列车牵引变压器套管易出现绝缘击穿事故,严重影响列车的供电安全。探索牵引变压器套管的电场分布有利于找出绝缘的薄弱点。笔者结合牵引变压器套管的设计方案与安装环境,采用有限元方法计算了其电场分布,分析了电场分布规律以及制造和运行过程中各类缺陷对电场分布产生的影响。在仿真的基础上,分析了造成绝缘破坏的可能原因,并提出了优化屏蔽网和电容测试端子的绝缘结构,提高工艺水平,采用半导电材料制作屏蔽网等改进措施。

关键词：高速列车牵引变压器套管电场计算缺陷绝缘击穿

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基于深部EEG数据的电场计算的等效源的估计

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国际生物医学工程杂志 1993年第6期 355-355页

作者：邓东云

植入深部电极的外科手术是去除癫痫病灶的潜在方法,目前许多用以帮助对病灶定位的定量方法采用了诸如空间谱分析、模式识别和聚类分析等信号处理技术,这些方法大都基于体表EEG数据的偶极等效源,而基于深部EEG数据的病理分析很少,Church... 详细信息

植入深部电极的外科手术是去除癫痫病灶的潜在方法,目前许多用以帮助对病灶定位的定量方法采用了诸如空间谱分析、模式识别和聚类分析等信号处理技术,这些方法大都基于体表EEG数据的偶极等效源,而基于深部EEG数据的病理分析很少,Church认为对病灶的定位用深部

关键词：等效源深部 EEG 电场计算

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特高压双极直流电压发生器的电场分布计算与优化

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高压电器 2008年第5期44卷 402-405页

作者：苏明虹孙伟赵刚陈坚傅正财上海交通大学电气工程系上海200030

国家电网公司特高压直流试验基地的重任之一是开展特高压直流输电的电磁环境研究,为我国特高压直流示范工程的建设和运行提供技术支撑。为保障试验线段上开展的电磁环境研究不受影响,作为试验线段主电源的1200kV特高压双极直流发生器本... 详细信息

国家电网公司特高压直流试验基地的重任之一是开展特高压直流输电的电磁环境研究,为我国特高压直流示范工程的建设和运行提供技术支撑。为保障试验线段上开展的电磁环境研究不受影响,作为试验线段主电源的1200kV特高压双极直流发生器本身的电晕控制十分重要。笔者结合该发生器的设计,采用有限元法建立其表面电场计算模型,分析其电场分布特征、规律和影响因素,并提出优化电场分布措施,为该发生器的设计和建设提供了依据。

关键词：特高压直流双极直流电压发生器有限元法电晕电场计算电场优化

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有漂移电子注入时托卡马克中电场分布计算

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高电压技术 1998年第3期24卷 3-5,9页

作者：宁成汪茂泉潘垣北京应用物理与计算数学研究所中国科学院等离子体物理研究所

用有限差分算法数值求解二维泊松方程，得到了有、无电子注入时注入器腔体内和托卡马克真空室壁小园截面上的电场分布。研究不同情况的电场，并讨论了计算结果，认为无翘起平行电极板较为合适，注入电子的密度在１０１３～１０１４ｍ－... 详细信息

用有限差分算法数值求解二维泊松方程，得到了有、无电子注入时注入器腔体内和托卡马克真空室壁小园截面上的电场分布。研究不同情况的电场，并讨论了计算结果，认为无翘起平行电极板较为合适，注入电子的密度在１０１３～１０１４ｍ－３时，产生的径向电场即可满足Ｌ—Ｈ模转变的要求。

关键词：电场计算电子注入托卡马克热核聚变

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导体粗糙面散射问题中的电场计算方法及装置

导体粗糙面散射问题中的电场计算方法及装置

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作者：王青雷振亚顾宸光袁浩波李磊侯建强杨锐 710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

本申请提供一种导体粗糙面散射问题中的电场计算方法及装置。该方法包括：选取长度为L的导体粗糙面上等间隔的M个离散坐标点，M＝2N，N为正整数，根据M个离散坐标点的横坐标与纵坐标分别计算0阶散射场至n阶散射场，n为所要计算的电场的... 详细信息

标准号: CN107562981B

本申请提供一种导体粗糙面散射问题中的电场计算方法及装置。该方法包括：选取长度为L的导体粗糙面上等间隔的M个离散坐标点，M＝2^N，N为正整数，根据M个离散坐标点的横坐标与纵坐标分别计算0阶散射场至n阶散射场，n为所要计算的电场的目标阶数，计算所得到的每一阶散射场的z轴方向上的一阶偏导至z轴方向上的n阶偏导，根据入射场和所得到的每一阶散射场的z轴方向上的一阶偏导至z轴方向上的n阶偏导与n阶电场表达式计算导体粗糙面的n阶电场。从而可计算任意阶的电场，且计算精度较高，时间复杂度降低，提高了计算效率。

关键词：散射场导体电场离散坐标点一阶偏导一阶粗糙电场表达式时间复杂度电场计算计算效率散射问题粗糙面等间隔正整数阶数入射申请

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一种含污秽薄层的复合绝缘子电场计算方法

一种含污秽薄层的复合绝缘子电场计算方法

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作者：黄俊王璿锦蒲伟彭志明邹应虎王密肖云杨涛张长洪丁文晖肖运军周健朋罗勇杨凌云张立邱超 100031 北京市西城区西长安街86号

本发明涉及一种含污秽薄层的复合绝缘子表面电场计算方法，该方法首先应用图像处理技术对M×N大小绝缘子图像二值化处理，利用像素单元实现区域的网格剖分，同时在像素单元基础上建立阻抗数学模型；然后形成(M×N)2大小的节点... 详细信息

标准号: CN105303006B

本发明涉及一种含污秽薄层的复合绝缘子表面电场计算方法，该方法首先应用图像处理技术对M×N大小绝缘子图像二值化处理，利用像素单元实现区域的网格剖分，同时在像素单元基础上建立阻抗数学模型；然后形成(M×N)²大小的节点导纳矩阵，采取节点电压法对其进行电网络分析，得到污秽绝缘子表面电场分布。本发明能够解决目前现有的有限元及边界元电场计算方法都无法解决该类多空间尺度的场域分析问题，且与其他算法相比，该方法对含污层的复合绝缘子电场计算具有明显建模优势，为复合绝缘子表面污闪机理的研究提供了新的有效的电场计算方法。

关键词：复合绝缘子电场计算表面电场像素单元绝缘子节点导纳矩阵节点电压法图像二值化污秽绝缘子数学模型应用图像电网络多空间网格薄层场域建模算法污层污闪阻抗污秽尺度分析研究

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