介绍了一种基于巨磁电阻材料(G ian t m agnetores istance,GM R)为传感器的电子指南针。由于GM R磁场灵敏度高、易集成、能耗低以及成本低,其潜力明显优于磁通门、磁感应和霍尔效应等其他传感器。本文以GM R为传感器,构筑了水平状态下...
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介绍了一种基于巨磁电阻材料(G ian t m agnetores istance,GM R)为传感器的电子指南针。由于GM R磁场灵敏度高、易集成、能耗低以及成本低,其潜力明显优于磁通门、磁感应和霍尔效应等其他传感器。本文以GM R为传感器,构筑了水平状态下的电子指南针,精度达到±1;°并在系统中采用加速度计,分析了非水平状态下所产生的误差。
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