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文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 异质结场效应管
  • 1 篇 电子波函数渗透
  • 1 篇 沟道电子布居率
  • 1 篇 能带剪裁
  • 1 篇 非线性
  • 1 篇 沟道电子态转移
  • 1 篇 氮化镓

机构

  • 1 篇 单片集成电路与模...

作者

  • 1 篇 xue fangshi
  • 1 篇 薛舫时

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=电子波函数渗透"
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排序:
GaN HFET沟道中的电子状态转移和非线性研究
收藏 引用
固体电子学研究与进展 2009年 第2期29卷 170-174页
作者: 薛舫时 单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所南京210016
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透电子态转移的... 详细信息
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