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电容器结构和包括该电容器结构的半导体存储器件
电容器结构和包括该电容器结构的半导体存储器件
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作者： 郑圭镐 姜相列 金洙焕 白东官 辛瑜暻 崔原湜 韩国京畿道
本发明提供一种电容器结构和包括该电容器结构的半导体存储器件。电容器结构包括下电极、上电极以及插设在下电极和上电极之间的电容器电介质膜，其中下电极包括包含第一金属元素的电极膜，以及在电极膜和电容器电介质膜之间的包含第一... 详细信息
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电容器结构
电容器结构
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作者： 曲俊凡 王西宁 王晓东 钱蔚宏 杨素素 201203 上海市浦东新区张江路18号
一种电容器结构，包括：沿第一方向平行排布的第一电极端和第二电极端，第一电极端和第二电极端之间具有第一区和若干第二区；分别与第一电极端连接的若干第三指状极板，第三指状极板位于第二区上；分别与第二电极端连接的若干第四指状... 详细信息
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电容器结构
电容器结构
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作者： 吕文隆 中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号
本发明提供了一种电容器结构，包括：第一电容器，具有第一电极和第二电极；第二电容器，具有第一电极和第二电极，第一电容器的第一电极、第二电极、第二电容器的第二电极和第一电极在第一方向上依次重叠，并且第二电容器的第二电极与... 详细信息
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电容器结构及半导体结构
电容器结构及半导体结构
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作者： 林维昱 中国台湾新竹科学工业园区
本发明公开一种电容器结构及半导体结构，其中该电容器结构包括基底、绝缘层、电容器、遮蔽层、第一连接端子与第二连接端子。绝缘层设置在基底上。电容器包括第一电极层、第二电极层与介电层。第一电极层设置在绝缘层上。第二电极层设... 详细信息
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电容器结构及其制作方法、存储器
电容器结构及其制作方法、存储器
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作者： 陈文丽 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
本发明涉及一种电容器结构及其制作方法、存储器。其中方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括至少两个间隔排布的支撑材料层和位于相邻所述支撑材料层之间的牺牲材料层；于所述叠层结构内形成电容孔，各所述... 详细信息
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电容器结构及其制作方法、存储器
电容器结构及其制作方法、存储器
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作者： 余崟魁 洪海涵 230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
本发明涉及一种电容器结构及其制作方法、存储器。其中方法包括：于基底上形成第一电容结构，第一电容结构包括：第一电容介质层、第一上电极以及多个间隔排布的呈柱状结构的第一下电极；第一电容介质层至少覆盖第一下电极的侧壁，第一... 详细信息
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电容器结构及其制备方法
电容器结构及其制备方法
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作者： 夏军 230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
本发明提供一种电容器结构及其制备方法，采用本发明制备方法制备的电容器结构，其上电极与下电极具有较大的交叉面积，电容器结构的电容大大增加，且上电极及下电极的形状误差小，满足设计要求。
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电容器结构及其制造方法
电容器结构及其制造方法
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作者： 李世平 童世然 李思齐 中国台湾新竹科学工业园区
本发明公开一种电容器结构，包括基底、至少一个第一介电层、至少一个第二介电层、电容器与内连线结构。基底包括电容器区与非电容器区。第一介电层位于电容器区与非电容器区中的基底上。第二介电层位于非电容器区中的基底上。至少一部... 详细信息
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电容器结构
电容器结构
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作者： 柳惟信 韩国忠清北道清州市
一种电容器结构，包括：设置为包括多个开口的第一电极；在开口的每个中心中形成的第二电极；和形成为包围第二电极并填充第一电极开口的介电层。
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电容器结构及其制造方法
电容器结构及其制造方法
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作者： 庄达人 中国台湾新北市
本发明提供一种电容器结构及其制造方法；其中，所述电容器结构，包含一U型下电极，其在开口端设有一盖介电质层，一上电极，及介于该下电极和该上电极之间的电容器介电层，是配置成一外部电容器围绕一圆柱型实心内部电容器，且该外部... 详细信息
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