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用于串扰减少的电容性结构
用于串扰减少的电容性结构
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作者： 张志超 X·李 K·艾京 钱治国 T·梅米奥格鲁 美国加利福尼亚
一个实施例提供了一种装置。该装置包括双列直插式存储器模块(DIMM)。DIMM包括至少一个存储器模块集成电路(IC)；DIMM印刷电路板(PCB)；多个DIMM PCB触点；和电容性结构。每个DIMM PCB触点用于将存储器模块IC耦合到相应的DIMM连接器引... 详细信息
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包括3D电容性结构的电子部件
包括3D电容性结构的电子部件
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作者： 拉里·比夫莱 弗雷德里克·瓦龙 日本京都府
包括3D电容性结构的电子部件(1)包括：基板(2)，其具有包括从基板表面延伸到基板主体中的多个阱(3)的轮廓表面(2a)；电介质(5)，其形成在轮廓表面之上并且与轮廓表面的形状一致；以及第一电极(7)，其形成在电介质之上并且与轮廓表面形... 详细信息
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三维电容性结构及其制造方法
三维电容性结构及其制造方法
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作者： 弗雷德里克·瓦龙 朱利安·埃尔萨巴希 中川博 岩地直树 久伊·帕拉特 日本京都府
三维电容性结构(150)可以通过在多孔阳极氧化物的区域(152a)中的孔(151)上方共形地形成电容性堆叠(153至155)来产生。多孔阳极氧化物区域设置在包括抗阳极氧化层和互连层(159)的导电层(158、159)的堆叠上。在孔中，非常接近于孔底部存... 详细信息
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用于串扰减少的电容性结构
用于串扰减少的电容性结构
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作者： 张志超 X·李 K·艾京 钱治国 T·梅米奥格鲁 美国加利福尼亚
一个实施例提供了一种装置。该装置包括双列直插式存储器模块(DIMM)。DIMM包括至少一个存储器模块集成电路(IC)；DIMM印刷电路板(PCB)；多个DIMM PCB触点；和电容性结构。每个DIMM PCB触点用于将存储器模块IC耦合到相应的DIMM连接器引... 详细信息
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用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电势传播电容性结构的终止结构及其制备方法
用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电势传播电容性结构的终止结构及...
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作者： 王晓彬 安荷·叭剌 哈姆扎·依玛兹 伍时谦 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号
本发明提出了沟槽MOSFET的终止结构及其制备方法，用于终止位于带有底部漏极电极的体型半导体层上方的邻近沟槽MOSFET。体型半导体层具有一个近端体型半导体壁，承载漏极-源极电压，并将终止结构与沟槽MOSFET分开。终止结构由一个被近... 详细信息
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用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电势传播电容性结构的终止结构及其制备方法
用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电势传播电容性结构的终止结构及...
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作者： 王晓彬 安荷·叭剌 哈姆扎·依玛兹 伍时谦 美国加利福尼亚桑尼维尔奥克米德公园道475号
本发明提出了沟槽MOSFET的终止结构及其制备方法，用于终止位于带有底部漏极电极的体型半导体层上方的邻近沟槽MOSFET。体型半导体层具有一个近端体型半导体壁，承载漏极-源极电压，并将终止结构与沟槽MOSFET分开。终止结构由一个被近... 详细信息
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一种基于背靠背双肖特基结构的毫米波开关器件
一种基于背靠背双肖特基结构的毫米波开关器件
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作者： 张翼飞 李文清 孙涛 250100 山东省济南市历城区山大南路27号
本发明涉及一种基于背靠背双肖特基结构的毫米波开关器件，自上而下依次包括肖特基毫米波器件层、衬底层和共地金属层；肖特基毫米波器件层包括馈电传输线、肖特基电极、半导体层以及欧姆电极；肖特基电极中间制备一条沟道形成电容性结... 详细信息
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定向FINFET电容器结构
定向FINFET电容器结构
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作者： H·全 美国加利福尼亚州
一种用于在FinFET器件内制造电容器的方法包括图案化具有第一凹槽的第一栅极互连材料(138‑1)。该方法还包括图案化在第一凹槽处耦合至第一栅极互连材料的第一沟槽互连材料(132‑1)以形成FinFET电容性结构的第一极板。
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利用真空或气体进行电绝缘的电介质结构
利用真空或气体进行电绝缘的电介质结构
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作者： 凯文·安德鲁·奥康纳 美国伊利诺伊州
在实施例中，一种电介质结构包括结合多个真空或气体区域的固体电介质区域。在某些实施例中，固体电介质区域的介电常数的介电常数大于4。在某些实施例中，该多个真空或气体区域或这些固体电介质区域中的每一个是各向异性的，其中纵横... 详细信息
来源： 评论
定向FINFET电容器结构
定向FINFET电容器结构
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作者： H·全 美国加利福尼亚州
一种用于在FinFET器件内制造电容器的方法包括图案化具有第一凹槽的第一栅极互连材料(138‑1)。该方法还包括图案化在第一凹槽处耦合至第一栅极互连材料的第一沟槽互连材料(132‑1)以形成FinFET电容性结构的第一极板。
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