检索结果-内蒙古大学图书馆

作者：朱伟玓国立清华大学

学位级别：硕士

本论文提出一个可应用于有机无机层感测元件(Organic Photoconductive Film)与需要稳定偏压之感测元件的截波稳定型读出电路，具有低杂讯(Low Noise)与高转换增益(High Conversion Gain)的特性。为了达到较好的杂讯表现，本论文所使用... 详细信息

本论文提出一个可应用于有机无机层感测元件(Organic Photoconductive Film)与需要稳定偏压之感测元件的截波稳定型读出电路，具有低杂讯(Low Noise)与高转换增益(High Conversion Gain)的特性。为了达到较好的杂讯表现，本论文所使用的电容反馈跨阻抗放大器(Capacitive Trans-Impedance Amplifier)配合像素内双重关联式取样电路(In-Pixel Correlated Double Sampling)有效地消除了重置开关在重置完毕瞬间所取样到的热杂讯(Thermal Noise)以及电容反馈跨阻抗放大器的偏移电压。而电路在长时间积分下所引进的闪烁杂讯(Flicker Noise)则是使用截波稳定技术(Chopper Stabilization Technique)，将低频的闪烁杂讯移至选定的截波频率(Chopper Frequency)，并且再配合后端的二阶式双斜率型类比数位转换器(Two-Step Dual-Slope Analog to Digital Converter)对讯号做多重式取样(Multiple Sampling)，取样后的多笔资料最后再由一个截止频率在截波频率之下的数位低通滤波器(Digital Low-Pass Filter)做处理，进而压抑被调变至高频的闪烁杂讯。此架构使用0.18微米1P6M互补式金氧半导体制程档进行模拟，设计并拥有64×64像素阵列并搭载上述构想的读出电路原型，操作在类比端及数位端3.3伏特之下。模拟结果为：在60张的每秒显示帧数下，达到99.9%线性度，并且提高讯号杂讯比(SNR)从50.18dB至53.05dB。

关键词：低杂讯电容跨阻抗放大器截波稳定有机光导薄膜影像感测器

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一种新型集成荧光传感器设计与实现

引用

传感器与微系统 2014年第6期33卷 69-71页

作者：施朝霞曹全君常丽萍浙江工业大学信息学院浙江省光纤通信技术重点研究实验室浙江杭州310023

基于标准CMOS工艺设计了一种新型的集成荧光传感器,该传感器采用P+/Nwell/Psub双结深光电二极管结构和高灵敏度的电容跨阻抗放大器(CTIA)有源像素电路结构。传感器采用0.5μm CMOS工艺实现,测试结果表明:双结深光电二极管在波长532 nm... 详细信息

基于标准CMOS工艺设计了一种新型的集成荧光传感器,该传感器采用P+/Nwell/Psub双结深光电二极管结构和高灵敏度的电容跨阻抗放大器(CTIA)有源像素电路结构。传感器采用0.5μm CMOS工艺实现,测试结果表明:双结深光电二极管在波长532 nm时具有峰值灵敏度为2×10-8A·m2/W,CTIA有源像素结构在光照6lx、积分时间为310μs时的灵敏度可以达到2243 V/lx·s。该设计表明:采用双结深光电二极管单元的CTIA有源像素电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度。

关键词：荧光传感器双结深电容跨阻抗放大器灵敏度

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