检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2022年第5期52卷 734-739页

作者：秦尧叶自凯尤勇庄春旺明鑫王卓张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 华润微集成电路(无锡)有限公司江苏无锡214135 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401331

设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路。电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度。在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻... 详细信息

设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路。电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度。在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻辑错误。针对此问题,采用一种高速、低功耗的交叉控制式噪声屏蔽电路,实现了极高的共模瞬态抗扰度。采用0.35μm高压CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在100 V电平转换情况下,该电平位移电路的平均传输延时为1.58 ns,延时失配小于100 ps,共模瞬态抗扰度达到200 V/ns。

关键词： GaN栅驱动电平位移电路高速高共模瞬态抗扰度

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一种抗负压和抗共模噪声的全集成GaN电平位移电路

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微电子学 2023年第1期53卷 55-60页

作者：张永瑜叶自凯石佳伟秦尧明鑫王卓张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401331

设计了一种基于全集成GaN工艺平台,具有抗负压、抗共模噪声的电平位移电路。相较于传统的电平位移电路,通过电路设计将驱动部分的低电压域同高侧部分电路的低电压域保持一致,实现了抗负压的功能。除此之外,针对半桥驱动开关节点的抬升... 详细信息

设计了一种基于全集成GaN工艺平台,具有抗负压、抗共模噪声的电平位移电路。相较于传统的电平位移电路,通过电路设计将驱动部分的低电压域同高侧部分电路的低电压域保持一致,实现了抗负压的功能。除此之外,针对半桥驱动开关节点的抬升、下降引起内部电容充放电并导致信号逻辑错误的问题,对高侧部分电路进行设计,实现了抗共模噪声的能力。在200 V GaN工艺下,电平位移电路将0~6 V的输入信号转换至200~206 V。仿真结果表明,该电平位移电路的上升传输延时为4.74 ns,下降传输延时为4.11 ns,抗开关节点负压为-4 V,具有100 V/ns共模噪声抑制能力。

关键词：全集成GaN电路电平位移电路抗负压抗共模噪声

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一种高速高可靠性低功耗的电平位移电路

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微电子学 2022年第6期52卷 981-986页

作者：刘媛媛林治屹秦尧吴之久明鑫张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆401331

为了满足MHz以上频率的GaN半桥栅驱动系统的应用需求,提出了一种高速高可靠性低功耗的低FOM电平位移电路。串联可控正反馈电平位移电路通过仅在转换过程中减弱正反馈力度,实现了低传输延迟和高共模噪声抗扰能力,同时采用最小短脉冲电路... 详细信息

为了满足MHz以上频率的GaN半桥栅驱动系统的应用需求,提出了一种高速高可靠性低功耗的低FOM电平位移电路。串联可控正反馈电平位移电路通过仅在转换过程中减弱正反馈力度,实现了低传输延迟和高共模噪声抗扰能力,同时采用最小短脉冲电路设计以降低功耗。该电平位移电路基于0.5μm 80 V高压(HV)CMOS工艺进行设计与仿真验证,结果表明,电路具有960 ps的传输延时、50 V/ns的共模噪声抗扰能力和0.024 ns/(μm·V)的FOM值。

关键词：电平位移电路 GaN半桥栅驱动最小短脉冲

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一种高dV/dt噪声抑制的电平位移电路设计

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微电子学 2023年第2期53卷 221-226页

作者：尹勇生朱守佳杨悦邓红辉合肥工业大学微电子学院合肥230009

在半桥栅驱电路中,低压域PWM控制信号需要通过电平位移电路来转换成高边浮动电压域的PWM控制信号,从而打开或关断上桥臂功率管。浮动电源轨的快速浮动会带来dV/dt噪声,影响电平位移电路信号传输的可靠性。文章在电平位移电路中分别设计... 详细信息

在半桥栅驱电路中,低压域PWM控制信号需要通过电平位移电路来转换成高边浮动电压域的PWM控制信号,从而打开或关断上桥臂功率管。浮动电源轨的快速浮动会带来dV/dt噪声,影响电平位移电路信号传输的可靠性。文章在电平位移电路中分别设计了防止误关断辅助电路和防止误开启辅助电路。防止误关断辅助电路在上桥臂开启状态下检测到dV/dt噪声后,能够使电平位移电路的输出保持高电平状态,防止上桥臂功率管被误关断;防止误开启辅助电路在上桥臂关断状态下检测到dV/dt噪声后,能够使电平位移电路的输出保持低电平状态,防止上桥臂功率管被误开启。基于0.18μm BCD工艺进行仿真验证,所设计的电平位移电路开通传输延时仅为1.2 ns,具备100 V/ns的dV/dt噪声抑制能力。

关键词：电平位移电路栅极驱动半桥驱动 dV/dt噪声抑制

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一种基于BCD工艺的高速低功耗电平位移电路

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微电子学 2012年第1期42卷 63-66页

作者：庞振洋王曾甄少伟罗萍电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054

提出了一种基于0.25μm BCD工艺、适用于高压降压型DC-DC转换器的新型电平位移电路。该电路使用了耐压60V的高压DMOS器件(HVNMOS、HVPMOS)、耐压5V的低压CMOS器件(LVNMOS、LVPMOS),以及耐压5V的三极管器件(BJT)。分析了降压型DC-DC转换... 详细信息

提出了一种基于0.25μm BCD工艺、适用于高压降压型DC-DC转换器的新型电平位移电路。该电路使用了耐压60V的高压DMOS器件(HVNMOS、HVPMOS)、耐压5V的低压CMOS器件(LVNMOS、LVPMOS),以及耐压5V的三极管器件(BJT)。分析了降压型DC-DC转换器对电平位移电路的特殊要求;基于对两种常见电平位移电路的分析,提出了一种新型的电平位移电路。电路仿真结果显示,与之前的电路相比,新型电路结构具有响应快速、功耗低、输出电平精确、可靠性高等优点。

关键词： BCD工艺降压型DC-DC转换器电平位移电路

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一种高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路

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电子与封装 2019年第6期19卷 12-15,28页

作者：张春奇胡黎潘溯冯旭东张宣明鑫电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

介绍了一种应用于GaN驱动的0.35μm HV CMOS工艺的高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路。该电路采用高速电流镜和双锁存结构,并增加共模抗扰辅助电路,大大提高了传输速度和对共模噪声的抗扰能力。该高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路... 详细信息

介绍了一种应用于GaN驱动的0.35μm HV CMOS工艺的高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路。该电路采用高速电流镜和双锁存结构,并增加共模抗扰辅助电路,大大提高了传输速度和对共模噪声的抗扰能力。该高速、高共模噪声抗扰的电平位移电路主要用于驱动增强型GaN的高压半桥栅驱动。仿真结果显示该电平位移电路上升沿传输延时1.03 ns,下降沿传输延时1.15 ns,可承受GaN高压半桥栅驱动开关节点SW处电压浮动50 V/ns。

关键词：电平位移电路高速、高共模噪声抗扰增强型GaN 高压半桥栅驱动

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电平位移电路

电平位移电路

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作者：马切耶·马阔斯基乔治·P·霍克斯特拉哈姆德·格哈斯米美国得克萨斯

一种电平位移电路(105)，其具有在第一电压域(LVDD)中工作的信号输入端和在第二电压域(HVDD)中工作的信号输出端。在一些实施例中，所述电平位移电路包括时钟电平位移器。在一些实施例中，所述电平位移电路包括锁存经转换的输出信号的... 详细信息

标准号: CN101512900B

一种电平位移电路(105)，其具有在第一电压域(LV_DD)中工作的信号输入端和在第二电压域(HV_DD)中工作的信号输出端。在一些实施例中，所述电平位移电路包括时钟电平位移器。在一些实施例中，所述电平位移电路包括锁存经转换的输出信号的电平位移锁存器(208)。在一个示例中，所述电平位移锁存器包括锁存部分和晶体管堆栈(211、213、215、217)，其中一个晶体管具有耦接到时钟输入端的控制电极。

关键词：电平位移电路电平位移锁存器晶体管锁存电压信号输出端控制电极时钟电平时钟输入输出信号信号输入堆栈转换

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电平位移电路和模数转换电路

电平位移电路和模数转换电路

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作者：池浩邬蓉 201800 上海市嘉定区皇庆路333号1幢8层B区

本申请涉及一种电平位移电路和模数转换电路，其中，该电平位移电路包括：输入电源和分裂式电容阵列；分裂式电容阵列包括上电容阵列和下电容阵列；上电容阵列中包括多个上端电容，上端电容的底极板分别连接输入电源，且上端电容的顶极... 详细信息

标准号: CN117040520A

本申请涉及一种电平位移电路和模数转换电路，其中，该电平位移电路包括：输入电源和分裂式电容阵列；分裂式电容阵列包括上电容阵列和下电容阵列；上电容阵列中包括多个上端电容，上端电容的底极板分别连接输入电源，且上端电容的顶极板分别连接第一电源；下电容阵列中包括多个下端电容，下端电容的底极板分别连接输入电源，且下端电容的顶极板分别连接第二电源；第二电源的电位低于第一电源；分裂式电容阵列，用于获取输入电源的输入信号，并通过该第一电源和所述第二电源将该输入信号电平位移为预设的输出信号。通过本申请，解决了电平位移电路的功耗高的问题，实现了低功耗且部署灵活的电平位移电路。

关键词：电容电源电平位移电路电容阵列输入电源极板分裂式电容上端下端电位模数转换电路输入信号电平输出信号低功耗灵活的功耗预设申请部署

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面向GaN驱动的高噪声抗扰度电平位移电路

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微电子学 2024年第4期54卷 564-569页

作者：邵瑞洁吴之久明鑫王卓张波电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 电子科技大学(深圳)高等研究院广东深圳518000

在高压GaN半桥栅驱动系统应用中,需要通过电平位移电路来实现信号在不同电压域之间的转换。为了保证转换过程中的信号完整性,设计了一种面向GaN驱动的高噪声抗扰度电平位移电路。在半桥开关节点电压发生快速切换时,针对电路内部大寄生... 详细信息

在高压GaN半桥栅驱动系统应用中,需要通过电平位移电路来实现信号在不同电压域之间的转换。为了保证转换过程中的信号完整性,设计了一种面向GaN驱动的高噪声抗扰度电平位移电路。在半桥开关节点电压发生快速切换时,针对电路内部大寄生电容节点充放电导致输出误翻转的问题,采用交叉耦合方式抑制共模噪声电流传递,实现了较高的噪声抗扰度。另外,采用电压-电流转换技术提高了抗负压能力。基于0.8μm 600 V高压BCD工艺进行电路设计。仿真结果表明,该电平位移电路平均传输延时为5.62 ns,dV/dt噪声抗扰度为200 V/ns,在6 V电源电压下允许开关节点负压低至-4.5 V。

关键词： GaN半桥驱动电平位移电路高噪声抗扰度

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电平位移电路及半导体器件

电平位移电路及半导体器件

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作者：小川和树美国加利福尼亚州

本发明提供一种电平位移电路及半导体器件，该电平位移电路包括：电平转换单元，其将具有第一电压的信号电平的输入信号转换成具有第二电压的信号电平的信号，所述第二电压高于所述第一电压。所述电平转换单元包括第一导电类型的第一和... 详细信息

标准号: CN102480288B

本发明提供一种电平位移电路及半导体器件，该电平位移电路包括：电平转换单元，其将具有第一电压的信号电平的输入信号转换成具有第二电压的信号电平的信号，所述第二电压高于所述第一电压。所述电平转换单元包括第一导电类型的第一和第二MOS晶体管以及第二导电类型的第三和第四MOS晶体管，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，并且其切换依所述输入信号而控制。所述第三和第四MOS晶体管包括分别经由所述第一和第二MOS晶体管被提供有所述第二电压的漏极。在检测到所述第一电压的减小时，控制单元控制所述第三和第四MOS晶体管的体偏压以减小所述第三和第四MOS晶体管的阈值电压。本发明能够防止电源电压减小时的工作失效。

关键词：第一导电类型电平位移电路电平转换单元导电类型信号电平输入信号转换半导体器件电源电压阈值电压体偏压减小漏极检测

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