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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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25 篇 专利
4 篇 期刊文献
4 篇 学位论文

馆藏范围

33 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

7 篇 工学
- 6 篇 电子科学与技术（可...
- 2 篇 信息与通信工程
2 篇 军事学
- 2 篇 军队指挥学

主题

8 篇 电感电容振荡器
3 篇 相位噪声
3 篇 锁相环
2 篇 环形振荡器
1 篇 金属氧化物半导体...
1 篇 手控
1 篇 宽调谐范围
1 篇 感应分压器
1 篇 振荡器
1 篇 高频
1 篇 低噪声振荡器
1 篇 相噪指标
1 篇 低功耗
1 篇 变容管
1 篇 调谐性能
1 篇 电荷泵
1 篇 调谐范围
1 篇 补偿装置
1 篇 相位插值器
1 篇 注入锁定

机构

8 篇 慧荣科技股份有限...
4 篇 复旦大学
4 篇 上海华虹集成电路...
4 篇 北京中电华大电子...
3 篇 中国科学院微电子...
2 篇 深圳捷扬微电子有...
2 篇 上海期成微电子技...
1 篇 西安交通大学
1 篇 清华大学
1 篇 上海交通大学
1 篇 北京大学
1 篇 瑞昱半导体股份有...
1 篇 微芯片技术股份有...
1 篇 风卓机械科技有限...
1 篇 华矽半导体股份有...
1 篇 合肥工业大学

作者

8 篇 吕亮璇
4 篇 周亚莉
4 篇 衣晓峰
3 篇 李巍
3 篇 李宁
3 篇 任俊彦
2 篇 樊晓华
2 篇 刘昱
2 篇 李志强
2 篇 张海英
2 篇 张健
2 篇 尹江伟
2 篇 王丹
2 篇 江昺伟
2 篇 张为民
2 篇 陈煊
2 篇 李昀龙
2 篇 杨丰林
1 篇 甘善良
1 篇 张锋

语言

33 篇 中文

检索条件"主题词=电感电容振荡器"

共 33 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

电感电容振荡器及共模共振腔

电感电容振荡器及共模共振腔

引用

作者：陈韵中中国台湾新竹市

本发明公开一种电感电容振荡器及一种共模共振腔。电感电容振荡器包含一第一晶体管、一第二晶体管、电感、一第一电容、一第二电容、一第一绕组及一第二绕组。第一晶体管具有一第一端、一第二端及一第三端。第二晶体管具有一第四端、一... 详细信息

标准号: CN112838859A

本发明公开一种电感电容振荡器及一种共模共振腔。电感电容振荡器包含一第一晶体管、一第二晶体管、电感、一第一电容、一第二电容、一第一绕组及一第二绕组。第一晶体管具有一第一端、一第二端及一第三端。第二晶体管具有一第四端、一第五端及一第六端。第一端电连接第五端，第二端电连接第四端，第三端电连接第六端。第一电容耦接于第一端及第四端之间。电感耦接于第一端及第四端之间。第二电容耦接于第三端及一参考电压之间。第一绕组耦接于第三端及参考电压之间。第二绕组耦接于第三端及参考电压之间，且与第一绕组对称。

关键词：耦接电容第一端晶体管参考电压电连接电感电容振荡器电感绕组对称共振腔共模

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用于形成集成电感电容振荡器的技术及相关方法、振荡器、半导体器...

引用

作者：冷耀俭美国亚利桑那州

本发明提供了一种片上系统，该片上系统可以包括电感电容振荡器，该电感电容振荡器单片集成到该片上系统中。与电阻电容振荡器相比，该电感电容振荡器可以被配置为提高频率稳定性并降低噪声。制造集成振荡器的方法可以涉及在衬底上形成B... 详细信息

标准号: CN114981961A

本发明提供了一种片上系统，该片上系统可以包括电感电容振荡器，该电感电容振荡器单片集成到该片上系统中。与电阻电容振荡器相比，该电感电容振荡器可以被配置为提高频率稳定性并降低噪声。制造集成振荡器的方法可以涉及在衬底上形成BEOL结构的同时，至少部分地形成电感器。在形成该BEOL结构之前或同时，可以形成电容器，该电容器支撑在该衬底的该半导体材料上和/或嵌入该衬底的该半导体材料内。可以至少部分地利用该BEOL结构将该电感器并联连接到该电容器，以形成集成电感电容振荡器。

关键词：电感电容振荡器电容器衬底半导体材料电感器电阻电容振荡器电容振荡器集成振荡器频率稳定性并联连接单片集成集成电感降低噪声片上系统嵌入支撑配置制造

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电感电容振荡器的锁相环电路及其温度补偿方法

电感电容振荡器的锁相环电路及其温度补偿方法

引用

作者：杨丰林 200001 上海市黄浦区北京东路666号C区709-10室

本发明涉及集成电路领域，公开了一种电感电容振荡器的锁相环电路及其温度补偿方法。本发明通过温度补偿单元对压控振荡器进行反馈式温度补偿，不需要复杂的后续温度系数测试和校准，同时去掉片上温度传感器等辅助线路，减少硅片面积及... 详细信息

标准号: CN103259533B

本发明涉及集成电路领域，公开了一种电感电容振荡器的锁相环电路及其温度补偿方法。本发明通过温度补偿单元对压控振荡器进行反馈式温度补偿，不需要复杂的后续温度系数测试和校准，同时去掉片上温度传感器等辅助线路，减少硅片面积及系统功耗，降低了成本，提高可靠性和实用性。进一步地，本发明通过在温度补偿单元对压控振荡器进行电压补偿的同时，增加对电荷泵的电流补偿，可同步补偿环路动态特性，有效增强设计的稳定性，更加适应工业应用。

关键词：温度补偿单元压控振荡器温度补偿电感电容振荡器可靠性和实用性片上温度传感器集成电路领域锁相环电路电流补偿电压补偿动态特性辅助线路工业应用同步补偿温度系数系统功耗校准电荷泵反馈式硅片测试

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电感电容振荡器的锁相环电路及其温度补偿方法

电感电容振荡器的锁相环电路及其温度补偿方法

引用

作者：杨丰林 200001 上海市黄浦区北京东路666号C区709-10室

标准号: CN103259533A

关键词：温度补偿单元压控振荡器电感电容振荡器可靠性和实用性集成电路领域温度补偿方法锁相环电路温度传感器电流补偿电压补偿动态特性辅助线路硅片面积适应工业同步补偿温度补偿温度系数系统功耗校准电荷泵反馈式

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低电源灵敏度锁相环的研究与设计

低电源灵敏度锁相环的研究与设计

引用

作者：杨文杰合肥工业大学

学位级别：硕士

随着集成电路技术的飞速发展,锁相环（Phase-Locked Loop,PLL）时钟产生电路因其结构简单、性能稳定等优势广泛应用于片上系统（system on chip,So C）中。针对应用背景的不同对PLL提出了不同的要求,包括低电源灵敏度、低抖动、低成本... 详细信息

随着集成电路技术的飞速发展,锁相环（Phase-Locked Loop,PLL）时钟产生电路因其结构简单、性能稳定等优势广泛应用于片上系统（system on chip,So C）中。针对应用背景的不同对PLL提出了不同的要求,包括低电源灵敏度、低抖动、低成本以及高频率等等。尤其在先进混合So C中,数字电路开关所产生的噪声以及直流-直流（DC-DC）电源转换所产生的噪声会耦合到电源严重恶化PLL输出抖动。本文将对PLL电源灵敏度进行详细的分析,并针对不同应用场景设计了两款低电源灵敏度PLL。本文主要研究内容如下:（1）针对常见的I/O接口电源设计了一款兼容1.8/2.5/3.3V的宽电源范围PLL时钟产生电路,具有较好的静态电源灵敏度特性。针对较宽的电源范围,为了避免电源电压变化给鉴频鉴相器（Phase/Frequency Detector,PFD）/电荷泵（Charge Pump,CP）性能带来的恶化,提出了一种恒定复位脉宽PFD结构以及超低失配CP技术,同时采用对称负载环形振荡器（Ring Oscillator,RO）抑制电源电压变化对环路性能带来的影响。最后,基于180nm工艺完成电路与版图设计,整体面积约为0.189mm2,输出频率范围100～500MHz;在100KHz～100MHz范围内均方根抖动约为1.8ps@250MHz;在电源上叠加4MHz、10m VPP的正弦噪声信号得到输出峰-峰值抖动分别为39.8/32.3/30ps@250MHz。（2）基于RO的时钟发生器通常输出频率较低、相噪性能较差,难以应用在高速高精度场合。为了解决这个问题设计了一款基于电感电容压控振荡器（LC VCO）的高性能PLL,采用低压线性稳压器（Low Dropout Regulator,LDO）给VCO提供干净的电源以降低电源灵敏度。同时为了拓展PLL应用范围,提出了一种开闭环结合的PLL时钟电路,环外加入多模分频器（Multimodulus Divider,MMD）和相位插值器（Phase Interpolator,PI）对输出信号的频率和相位更为精细的控制。整体电路设计基于130nm工艺完成,输出频率范围3.80～4.26GHz;在100KHz～100MHz范围内均方根抖动约为0.21ps@4GHz;在电源上分别叠加1MHz/5MHz、10m VPP的正弦噪声信号,电源噪声所导致的PLL输出杂散分别为-49dBc/-53dBc,相比于传统结构分别提升36dB/25dB。

关键词：锁相环电源灵敏度环形振荡器电感电容振荡器相位插值器

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适用于UWB射频片上系统的本振与时钟信号产生电路及方法

适用于UWB射频片上系统的本振与时钟信号产生电路及方法

引用

作者：江昺伟王丹李昀龙陈煊张为民 518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区市花路南侧长富金茂大厦1号楼2108

本发明公开了一种适用于UWB射频片上系统的本振与时钟信号产生电路及方法，该本振与时钟信号产生电路包括倍频晶体振荡器、第一整数型锁相环路、整数分频器和第二整数型锁相环路，倍频晶体振荡器将第一参考时钟提供给第一整数型锁相环... 详细信息

标准号: CN115314042B

本发明公开了一种适用于UWB射频片上系统的本振与时钟信号产生电路及方法，该本振与时钟信号产生电路包括倍频晶体振荡器、第一整数型锁相环路、整数分频器和第二整数型锁相环路，倍频晶体振荡器将第一参考时钟提供给第一整数型锁相环路，整数分频器将用于混合信号及数字电路的输出时钟进行整数分频得到第二参考时钟并提供给第二整数型锁相环路，第一整数型锁相环路中包括工作于UWB射频片上系统的任一工作频段的1.25~1.5倍频下的电感电容振荡器，第二整数型锁相环路中包括能够基于第二参考时钟输出UWB射频片上系统的多个工作频段的环形振荡器。本发明能够通过减少片上系统的发射机与本振电路的互相干扰而大大提高发射信号与本振信号的质量。

关键词：锁相环路片上系统参考时钟射频时钟信号产生电路整数分频器倍频晶体工作频段振荡器本振电感电容振荡器环形振荡器发射机本振电路本振信号发射信号互相干扰混合信号输出时钟数字电路整数分频倍频输出

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适用于UWB射频片上系统的本振与时钟信号产生电路及方法

适用于UWB射频片上系统的本振与时钟信号产生电路及方法

引用

作者：江昺伟王丹李昀龙陈煊张为民 518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区市花路南侧长富金茂大厦1号楼2108

标准号: CN115314042A

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一种锁相环自校准电路

一种锁相环自校准电路

引用

作者：周亚莉衣晓峰 201203 上海市浦东新区张江高科园区碧波路572弄39号

本发明公开了一种锁相环(简称PLL)自校准电路，包括：第一计数器对晶振(简称XTAL)输出时钟进行计数；第二计数器对压控振荡器(简称VCO)的分频时钟进行计数；二分查找电路输出预设频点对应的电感电容振荡器的开关电容控制字；查找表电路... 详细信息

标准号: CN107846216B

本发明公开了一种锁相环(简称PLL)自校准电路，包括：第一计数器对晶振(简称XTAL)输出时钟进行计数；第二计数器对压控振荡器(简称VCO)的分频时钟进行计数；二分查找电路输出预设频点对应的电感电容振荡器的开关电容控制字；查找表电路输出目标频点相对于中心频点的开关电容控制字差值；精调控制电路根据二分查找电路、查找表电路和模拟比较器输出得到目标频率对应的开关电容阵列控制字。本发明通过数字电路控制电感电容振荡器中开关电容阵列的容值，将频率调谐曲线从一条扩展成多条，通过保存中心频点开关电容阵列控制字以及目标频点和中心频点的开关电容阵列控制字差值，实现在频点切换时，仅进行精调就能完成锁相环的快速锁定。

关键词：控制字开关电容阵列中心频点频点电感电容振荡器计数器查找表电路二分查找开关电容锁相环电路数字电路控制模拟比较器压控振荡器自校准电路电路输出分频时钟快速锁定目标频率频点切换频率调谐输出目标输出时钟晶振精调预设输出保存调控

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一种数字模拟转换器增益自校准电路

一种数字模拟转换器增益自校准电路

引用

作者：周亚莉衣晓峰 201203 上海市浦东新区张江高科园区碧波路572弄39号

本发明公开了一种数字模拟转换器(简称DAC)增益自校准电路，包括：第一计数器对晶振(简称XTAL)输出时钟进行计数，控制DAC增益校准电路的状态跳转；DAC控制电路输出DAC的输入信号；分频电路完成对压控振荡器(简称VCO)输出时钟的分频；... 详细信息

标准号: CN107846222B

本发明公开了一种数字模拟转换器(简称DAC)增益自校准电路，包括：第一计数器对晶振(简称XTAL)输出时钟进行计数，控制DAC增益校准电路的状态跳转；DAC控制电路输出DAC的输入信号；分频电路完成对压控振荡器(简称VCO)输出时钟的分频；第二计数器完成对分频电路输出时钟的计数；第一查找表输出预设频点对应DAC增益控制字；第二查找表输出目标频点和中心频点DAC增益控制字差值；精调控制电路输出目标频点的DAC增益控制字。本发明能够通过对DAC增益进行校准来改变电感电容振荡器中变容管的容值，最终改变VCO的频率调谐曲线，得到目标频率信号，还能够根据三条频率调谐曲线的DAC增益校准结果，自动完成多条频率调谐曲线的DAC增益的快速校准。

关键词：增益控制字频率调谐频点计数器电路输出输出时钟增益校准校准查找表电感电容振荡器数字模拟转换器目标频率信号压控振荡器自校准电路输出分频电路控制电路输出目标中心频点状态跳转自动完成分频晶振容管预设电路调控

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一种具有恒定增益的环形压控振荡器

一种具有恒定增益的环形压控振荡器

引用

作者：桂小琰耿莉唐人杰李丹张岩龙 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

本发明公开了一种具有恒定增益的环形压控振荡器，包括延时单元，偏置控制单元以及偏置电路，延时单元包括四个，首尾相连构成振荡器结构，每个延迟单元中引入负电容结构，偏置控制单元将输入信号VCLP和VCLN转换为延时单元和偏置电路中... 详细信息

标准号: CN110708018A

本发明公开了一种具有恒定增益的环形压控振荡器，包括延时单元，偏置控制单元以及偏置电路，延时单元包括四个，首尾相连构成振荡器结构，每个延迟单元中引入负电容结构，偏置控制单元将输入信号V_CLP和V_CLN转换为延时单元和偏置电路中所需的偏置信号V_B1，V_B2，V_B3，V_F以及V_S；偏置信号V_B3和V_F用于给偏置电路提供产生延时单元中可变电容的控制信号V_C以实现补偿结构；偏置信号V_B1，V_B2，V_F，V_S以及V_C提供给延时单元用于实现恒定增益压控振荡器。本发明能够有效地抑制共模噪声；具有很好的调谐线性度，应用在锁相环中，能够很好的改善锁相环的环路带宽、锁定时间以及噪声性能。同时，在同性能下，相比于电感电容振荡器，环形振荡器占用的芯片面积更小。

关键词：延时单元偏置电路偏置信号偏置控制单元恒定增益电感电容振荡器环形压控振荡器调谐线性度环形振荡器压控振荡器振荡器结构补偿结构电容结构环路带宽可变电容控制信号首尾相连延迟单元抑制共模噪声性能锁相环有效地噪声锁定芯片占用引入转换应用

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