咨询与建议

限定检索结果

文献类型

  • 1 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程(可...
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 电离总剂量/位移损...
  • 1 篇 单粒子效应
  • 1 篇 电离总剂量/单粒子...
  • 1 篇 总剂量效应
  • 1 篇 低剂量率辐射损伤...
  • 1 篇 锗硅异质结双极晶...

机构

  • 1 篇 西安交通大学
  • 1 篇 中国科学院特殊环...
  • 1 篇 西安电子科技大学
  • 1 篇 西北核技术研究院
  • 1 篇 模拟集成电路国家...

作者

  • 1 篇 张晋新
  • 1 篇 贺朝会
  • 1 篇 郭红霞
  • 1 篇 魏佳男
  • 1 篇 刘默寒
  • 1 篇 李培

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=电离总剂量/位移损伤协同效应"
1 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展
收藏 引用
太赫兹科学与电子信息学报 2022年 第6期20卷 523-534页
作者: 李培 贺朝会 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 西安交通大学核科学与技术学院 陕西西安710049 西北核技术研究院 陕西西安710024 西安电子科技大学空间科学与技术学院 陕西西安710126 模拟集成电路国家重点实验室 重庆400060 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 新疆乌鲁木齐830011
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特... 详细信息
来源: 评论