检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2001年第2期50卷 293-298页

作者：张晓青 G.M.Sessler 夏钟福张冶文同济大学波耳固体物理研究所上海200092 达姆施塔特技术大学电声研究所

利用等温表面电位衰减及热刺激放电 (thermallystimulateddischarge ,TSD)方法探讨了恒栅压电晕充电经常压化学气相沉积 (APCVD)的Si基Si3N4 和热生长SiO2 双层薄膜驻极体电荷的存储特性 .结果表明 :在常温环境中 ,30 0℃高温下 ,以及 9... 详细信息

利用等温表面电位衰减及热刺激放电 (thermallystimulateddischarge ,TSD)方法探讨了恒栅压电晕充电经常压化学气相沉积 (APCVD)的Si基Si3N4 和热生长SiO2 双层薄膜驻极体电荷的存储特性 .结果表明 :在常温环境中 ,30 0℃高温下 ,以及 95 %相对湿度时的 6 0℃条件下 ,所有试样表现出极好的电荷储存稳定性 .对于负电晕充电试样 ,其电荷输运受慢再捕获效应 (slowretrappingeffect)控制 ;用热离子发射模型来描述了正电晕充电Si3N4 /SiO2 驻极体的正电荷输运特性 .

关键词：驻极体薄膜电荷储存热离子发射硅基双层膜

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V_2O_5薄膜电荷储存特性研究

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无机材料学报 1997年第4期12卷 545-550页

作者：吴广明吴永刚倪星元周箴张慧琴金哲民吴翔同济大学波耳固体物理研究所上海200092

本文采用真空蒸发制备了V2O5薄膜，用电化学方法从Li离子电解质中向V2O5薄膜注入Li离子.研究了V2O5薄膜中Li离于储存特性、注入／退出可逆性以及电荷注入对其光学性能的影响．实验结果表明，V2O5薄膜具有较好的Li离子储存特性和注入／... 详细信息

本文采用真空蒸发制备了V2O5薄膜，用电化学方法从Li离子电解质中向V2O5薄膜注入Li离子.研究了V2O5薄膜中Li离于储存特性、注入／退出可逆性以及电荷注入对其光学性能的影响．实验结果表明，V2O5薄膜具有较好的Li离子储存特性和注入／退出可逆性，Li离子的注入量受到膜中V5+的含量以及锂离子可占据的总位置数限制，而且离子注入后V2O5薄膜的光学性能变化较小．

关键词：电化学电致变色氧化矾薄膜蒸空蒸发电荷储存

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电晕充电的聚丙烯无纺布空气过滤膜的电荷储存及稳定性

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物理学报 2005年第8期54卷 3799-3804页

作者：冀忠宝夏钟福沈莉莉安振连同济大学波耳固体物理研究所上海200092

讨论了用作空气过滤材料的聚丙烯(polypropylene,PP)无纺布驻极体的电荷储存能力及其稳定性.研究了温度和环境湿度对电荷稳定性的影响,并从材料形貌特征和能阱结构方面分析了电荷储存对湿度敏感效应的结构根源.指出热处理工艺(包括常温... 详细信息

讨论了用作空气过滤材料的聚丙烯(polypropylene,PP)无纺布驻极体的电荷储存能力及其稳定性.研究了温度和环境湿度对电荷稳定性的影响,并从材料形貌特征和能阱结构方面分析了电荷储存对湿度敏感效应的结构根源.指出热处理工艺(包括常温充电后老化和高温充电)对电荷稳定性的明显改善.结果说明PP无纺布驻极体在常温常湿时呈现出很好的电荷储存寿命,脱阱电荷的输运规律受慢再俘获效应控制.

关键词：电荷储存无纺布聚丙烯电晕充电过滤膜电荷稳定性空气过滤材料热处理工艺环境湿度储存能力储存寿命敏感效应俘获效应驻极体特征和常温结构

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Si基Si_3N_4/SiO_2双层驻极体薄膜的电荷储存稳定性和电荷输运特性

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功能材料 2000年第5期31卷 476-478页

作者：张晓青夏钟福潘永刚张冶文同济大学波耳固体物理研究所上海200092

非晶态二氧化硅 (SiO2 )具有优良的驻极体性质 ,可制成微型化、集成化和机敏化的高灵敏度的传感器。但是 ,热氧化SiO2 驻极体膜的高压应力引起微结构变形 ,对薄膜储电特性形成复杂的影响。利用氮化硅薄膜的高张应力研制成氮化硅 /二氧化... 详细信息

非晶态二氧化硅 (SiO2 )具有优良的驻极体性质 ,可制成微型化、集成化和机敏化的高灵敏度的传感器。但是 ,热氧化SiO2 驻极体膜的高压应力引起微结构变形 ,对薄膜储电特性形成复杂的影响。利用氮化硅薄膜的高张应力研制成氮化硅 /二氧化硅 (Si3 N4 /SiO2 )双层膜 ,可使其内应力相互补偿。本文讨论了双层膜驻极体的电荷储存稳定性及电荷输运特性。实验结果表明 ,Si3 N4 /SiO2 双层膜具有比单层膜更优异的电荷储存稳定性 ,Si3 N4 /SiO2 双层膜系统的电荷寿命比SiO2 驻极体约高两个数量级。常温恒压电晕充电 ,电荷被储存在Si3 N4 /SiO2 双层膜的近自由面附近 ,随着充电温度的提高 ,平均电荷重心向驻极体内部迁移。但是在低于 3 0 0℃的充电温度下 ,平均电荷重心不能达到Si3 N4 和SiO2 的界面处。电荷输运受缓慢再捕获效应控制。

关键词：驻极体双层薄膜电荷储存电荷输运

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结晶聚合物驻极体中的跳跃电流和电荷储存

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电声技术 2003年第1期27卷 7-9页

作者：欧阳毅徐福东解希顺朱桐华东南大学物理系江苏南京210096

推导了聚合物和聚合物驻极体中的跳跃电流公式。依据这些公式导出了聚合物驻极体等温放电的理论公式,用驻极体等温衰减的数据估算出电子跳跃的步距约为10-8m,用X光衍射实验测得的聚合物中结晶区的线度也是10-8m量极。这从实验上支持上... 详细信息

推导了聚合物和聚合物驻极体中的跳跃电流公式。依据这些公式导出了聚合物驻极体等温放电的理论公式,用驻极体等温衰减的数据估算出电子跳跃的步距约为10-8m,用X光衍射实验测得的聚合物中结晶区的线度也是10-8m量极。这从实验上支持上述公式的成立。理论和实验都证明稳态地储存的电荷几乎都被驻极体中的结晶区的能带所俘获。

关键词：结晶聚合物聚合物驻极体跳跃电流电荷储存等温放电

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性能更优秀的电荷储存分子

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现代材料动态 2018年第5期 2-3页

作者：杨志宇

美国盐湖城犹他大学与安阿伯市密歇根大学的化学家开发了一种电荷储存分子，比现有化合物稳定1000倍以上，为氧化还原液流电池开创了道路。在该种电池中，阳极液与阴极液储存在两个由中间一套插入电极分开的储存罐中。当溶液流过电极时... 详细信息

美国盐湖城犹他大学与安阿伯市密歇根大学的化学家开发了一种电荷储存分子，比现有化合物稳定1000倍以上，为氧化还原液流电池开创了道路。在该种电池中，阳极液与阴极液储存在两个由中间一套插入电极分开的储存罐中。当溶液流过电极时会吸收或释放电荷。因为储存较多电荷的分子更为不稳定，这类电池的电解液成分选择一直是个挑战。现有氧化还原液流电池成本较高，并因含有钒而具有潜在毒性。

关键词：电荷储存氧化还原液流电池分子性能不稳定化学家盐湖城化合物

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聚四氟乙烯多孔薄膜驻极体的电荷储存稳定性

聚四氟乙烯多孔薄膜驻极体的电荷储存稳定性

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利用在室温和高温下的栅控恒压电晕充电，常温电晕充电后经不同温度老化处理后的表面电位衰减测量，及开路热刺激放电（Thermally Stimulated discharge，TSD0研究了正负充电后PTFE（Polytetrafuoroethylene)多孔薄膜驻极体的电荷储存... 详细信息

标准号: hg08031325

利用在室温和高温下的栅控恒压电晕充电，常温电晕充电后经不同温度老化处理后的表面电位衰减测量，及开路热刺激放电（Thermally Stimulated discharge，TSD0研究了正负充电后PTFE（Polytetrafuoroethylene)多孔薄膜驻极体的电荷储存稳定性。PTFE多孔膜，PTFE非多孔膜（Teflon PTFE)和FEP（Tetrafluoroethylene-hexa-fluoroprpylene Copolymer)非多孔膜（Teflon FEP)间的电荷储存稳定性的比较研究也已进行。通过等温退极化程序，对上述三种薄膜驻极体的电荷储存寿命（有效时间常数）τ进行了定量估算。结果指出：在有机驻极体材料中，对正负充电后两种极性驻极体样品的PTFE多孔薄膜驻极体均呈现最优异的电荷储存稳定性，尤其是在高温条件下。通过扫描电镜（SEM）对这种新结构的氟聚合物驻极体材料的突出电荷储存能力和结构根源也已初步讨论。

关键词：聚四氟乙烯多孔薄膜驻极体电荷储存稳定性

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集成电路及程序化电荷储存存储单元的方法

集成电路及程序化电荷储存存储单元的方法

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作者：徐子轩吴昭谊台湾省新竹科学工业园区力行路16号

一种电荷储存存储单元的电路及其自我收敛程序化的方法，此电荷储存存储单元例如是氮化物只读存储器或是浮置闸极闪存，其包括配置于基底上的源极与漏极、电荷储存组件与控制栅极。程序化电荷储存单元的方法，包括施加源极电压，此源极... 详细信息

标准号: CN1316598C

一种电荷储存存储单元的电路及其自我收敛程序化的方法，此电荷储存存储单元例如是氮化物只读存储器或是浮置闸极闪存，其包括配置于基底上的源极与漏极、电荷储存组件与控制栅极。程序化电荷储存单元的方法，包括施加源极电压，此源极电压是具有增加有效启始电压的本体效应(body effect)。而且，在操作期间，至少是在目标启始电压收敛的那一部份程序化操作期间，源极电压随着漏极电压增加，以调整热电子注入效率。其中，在操作期间，是施加选定的栅极电压，以建立目标启始电压。在多位存储单元中，是根据所储存的数据值以设定栅极电压，使电压可自我收敛在多个目标电压。

关键词：电压源极存储单元电荷储存目标启始栅极电压自我收敛漏极氮化物只读存储器电荷储存组件程序化操作程序化电荷本体效应储存单元目标电压程序化热电子数据值多位浮置基底闪存电路储存

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电荷储存结构及其制造方法以及非易失性存储器结构

电荷储存结构及其制造方法以及非易失性存储器结构

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作者：邱永汉倪志荣蒋汝平谢荣源中国台湾台中市大雅区科雅一路8号

本发明公开了一种电荷储存结构及其制造方法以及非易失性存储器结构。电荷储存结构设置于衬底上的介电层上，且包括第一未经掺杂电荷储存层以及经掺杂电荷储存层。第一未经掺杂电荷储存层设置于介电层上。经掺杂电荷储存层设置于第一未... 详细信息

标准号: CN104183633A

本发明公开了一种电荷储存结构及其制造方法以及非易失性存储器结构。电荷储存结构设置于衬底上的介电层上，且包括第一未经掺杂电荷储存层以及经掺杂电荷储存层。第一未经掺杂电荷储存层设置于介电层上。经掺杂电荷储存层设置于第一未经掺杂电荷储存层上。

关键词：电荷储存掺杂电荷储存结构介电层非易失性存储器衬底

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一种具有拑位结构的沟槽栅电荷储存型IGBT器件及其制造方法

一种具有拑位结构的沟槽栅电荷储存型IGBT器件及其制造方法

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作者：张金平赵倩刘竞秀李泽宏任敏张波 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

一种具有拑位结构的沟槽栅电荷储存型IGBT器件及其制造方法，属于半导体功率器件领域。本发明通过在器件沟槽中的栅电极下方引入与发射极金属通过串联二极管结构相连接的拑位电极，而且在拑位电极下方设置与之相连的P型层。本发明能够... 详细信息

标准号: CN107731899A

一种具有拑位结构的沟槽栅电荷储存型IGBT器件及其制造方法，属于半导体功率器件领域。本发明通过在器件沟槽中的栅电极下方引入与发射极金属通过串联二极管结构相连接的拑位电极，而且在拑位电极下方设置与之相连的P型层。本发明能够有效屏蔽N型电荷存储层掺杂浓度的提高对于器件耐压性能的不利影响，克服了传统CSTBT结构正向导通与耐压之间的矛盾；减小器件饱和电流密度，改善器件短路安全工作区；提高器件的开关速度，降低器件的开关损耗；同时，在开启动态过程中不会形成负微分电容效应，能有效避免开启动态过程中的电流、电压振荡和EMI问题，提高器件的可靠性；改善沟槽底部电场集中效应，提高器件的击穿电压。

关键词：动态过程电极半导体功率器件短路安全工作区电场集中效应串联二极管电荷存储层发射极金属电荷储存电压振荡击穿电压降低器件开关损耗耐压性能器件沟槽微分电容有效屏蔽正向导通沟槽栅栅电极减小耐压饱和掺杂引入制造矛盾

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