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文字说明：

T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

分类表

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文献类型

18 篇 专利

馆藏范围

18 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

机构

5 篇 清华大学
3 篇 松下电器产业株式...
2 篇 中兴通讯股份有限...
1 篇 北京华大九天软件...
1 篇 中芯国际集成电路...
1 篇 华为技术有限公司
1 篇 济南概伦电子科技...
1 篇 南京邮电大学
1 篇 艾利森电话股份有...
1 篇 株式会社理光

作者

5 篇 叶佐昌
5 篇 余志平
3 篇 王天时
2 篇 李扬
2 篇 陈彩云
2 篇 伍燕
2 篇 佐原康之
2 篇 大谷一弘
2 篇 关户真策
2 篇 中田和久
1 篇 布鲁斯·w·麦卡费
1 篇 徐跃
1 篇 赵菲菲
1 篇 岳恒
1 篇 董金珠
1 篇 上田尚宏
1 篇 j·k·p·加尔亚斯
1 篇 s·w·荣格
1 篇 吴大可
1 篇 李春荣

语言

18 篇 中文

检索条件"主题词=电路仿真方法"

共 18 条记录，以下是1-10 订阅

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详细简洁

排序：

电路仿真方法和系统

电路仿真方法和系统

引用

作者：陈彩云伍燕 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部

本发明公开了一种电路仿真方法和系统。该电路仿真方法包括：读取电路或其等效电路中各个元件的详细信息；根据读取的所述电路或其等效电路详细信息，对电路进行电路性能计算，得到初始仿真结果，所述电路性能计算包含群时延、群时延的... 详细信息

标准号: CN101694675A

本发明公开了一种电路仿真方法和系统。该电路仿真方法包括：读取电路或其等效电路中各个元件的详细信息；根据读取的所述电路或其等效电路详细信息，对电路进行电路性能计算，得到初始仿真结果，所述电路性能计算包含群时延、群时延的线性失真仿真和群时延的抛物性失真仿真；判断所述初始仿真结果是否符合预置的优化目标参数值；如果所述初始仿真结果符合预置的优化目标参数值，将所述初始的仿真结果作为最终仿真结果并输出。本发明提供的技术方案适用于电路仿真调试，解决了不能对电路性能进行全面准确的仿真的问题。

关键词：仿真结果电路性能群时延电路仿真方法等效电路优化目标参数值仿真电路物性电路仿真读取电路线性失真失真调试全面

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电路仿真方法

电路仿真方法

引用

作者：关户真策大谷一弘佐原康之中田和久日本大阪府

本发明公开了一种电路仿真方法，它可以利用在精细化了的集成电路设计方面，并可得到信赖性和精度的提高。在本发明的电路仿真方法中，基于由电路的掩模平面图数据作成的网表和由器件特性的实测数据得到的参数进行电路仿真。在晶体管尺... 详细信息

标准号: CN1300836C

本发明公开了一种电路仿真方法，它可以利用在精细化了的集成电路设计方面，并可得到信赖性和精度的提高。在本发明的电路仿真方法中，基于由电路的掩模平面图数据作成的网表和由器件特性的实测数据得到的参数进行电路仿真。在晶体管尺寸以外，基于加在晶体管上的应力，从实测数据抽出参数，再考虑了由应力引起的晶体管特性变化，具有更高精度和正确性的电路仿真就成为可能。

关键词：电路仿真方法电路仿真实测集成电路设计晶体管尺寸晶体管特性平面图数据参数进行器件特性高精度精细化晶体管正确性掩模电路抽出信赖

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电路仿真方法和系统

电路仿真方法和系统

引用

作者：陈彩云伍燕 518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部

标准号: CN101694675B

关键词：仿真结果电路性能群时延电路仿真方法等效电路优化目标参数值仿真电路物性电路仿真读取电路线性失真失真调试全面

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半导体电路装置以及该电路仿真方法

半导体电路装置以及该电路仿真方法

引用

作者：佐原康之大谷一弘中田和久关户真策日本大阪府

一种半导体电路装置及其电路仿真方法，在半导体电路装置的N阱(2)中设置由沟槽分离(Ris)包围的PMIS用活性区域(Rtp)，而在P阱(3)中设置由沟槽分离(Ris)包围的NMIS用活性区域(Rtn)。在各活性区域(Rtp、Rtn)中，分别设置有P沟道型或者N沟... 详细信息

标准号: CN1300848C

一种半导体电路装置及其电路仿真方法，在半导体电路装置的N阱(2)中设置由沟槽分离(Ris)包围的PMIS用活性区域(Rtp)，而在P阱(3)中设置由沟槽分离(Ris)包围的NMIS用活性区域(Rtn)。在各活性区域(Rtp、Rtn)中，分别设置有P沟道型或者N沟道型的栅极(7、9)。NMIS用活性区域(Rtn)和PMIS用活性区域(Rtp)之间在Y方向上的间隔(Dpn)按照实质上为一定值进行布局。这样，从沟槽分离(Ris)施加到栅极下方的沟道区域的沟槽分离应力，对各晶体管被均等化，从而提高了电路仿真的精度。

关键词：活性区域半导体电路装置沟道型电路仿真方法沟槽分离应力沟道区域到栅极晶体管电路

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管理单元-3电路仿真方法和装置

管理单元-3电路仿真方法和装置

引用

作者：李春荣马大军 518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

本发明公开了一种AU-3电路仿真方法，包括：将帧数据由管理单元AU-3帧格式转换成支路单元TU-3帧格式；将TU-3帧格式数据，映射到虚容器VC4中，得到VC4帧格式数据；对所述VC4帧格式数据进行仿真。本发明实施例，通过将帧数据由AU-3帧格... 详细信息

标准号: CN103430481A

本发明公开了一种AU-3电路仿真方法，包括：将帧数据由管理单元AU-3帧格式转换成支路单元TU-3帧格式；将TU-3帧格式数据，映射到虚容器VC4中，得到VC4帧格式数据；对所述VC4帧格式数据进行仿真。本发明实施例，通过将帧数据由AU-3帧格式转换成TU-3帧格式，进而将TU-3帧格式数据，映射到虚容器VC4中，得到VC4帧格式数据，实现了对所述VC4帧格式数据的仿真，满足了现网需要透传AU指针的需求，即将整个AU的内容都仿真透传过去的需求。

关键词：格式数据仿真格式转换映射透传电路仿真方法管理单元支路单元指针

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一种基于局部补偿的电路仿真方法

一种基于局部补偿的电路仿真方法

引用

作者：叶佐昌王天时余志平 100084 北京市海淀区清华园1号

本发明涉及一种基于局部补偿的电路仿真方法，属于集成电路设计技术领域。首先采用电磁仿真的方法生成一个用于电路建模的数据文件，根据数据文件，利用向量拟合方法，建立初始仿真模型；然后对初始仿真模型进行有源频段检验，根据有源... 详细信息

标准号: CN102402639B

本发明涉及一种基于局部补偿的电路仿真方法，属于集成电路设计技术领域。首先采用电磁仿真的方法生成一个用于电路建模的数据文件，根据数据文件，利用向量拟合方法，建立初始仿真模型；然后对初始仿真模型进行有源频段检验，根据有源频段的起止频率和传递函数H(s)的特征根在有源频段的最小值和最大值，建立一个补偿系统；将补偿系统连接到初始仿真模型上得到电路仿真模型，得到电路仿真模型；将电路仿真模型的传递函数输入到电路仿真器中，进行计算，得到电路参数。将本发明电路仿真方法应用到集成电路设计中，可以提高电路仿真的可靠性和电路设计效率，进而缩短电路产品的上市时间。

关键词：电路仿真仿真模型频段有源集成电路设计补偿系统传递函数数据文件电路仿真方法电路仿真器电路参数电路产品电路建模电路设计发明电路仿真方法进行计算局部补偿上市时间特征根拟合向量电路连接检验

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一种单光子雪崩二极管探测器的电路仿真方法

一种单光子雪崩二极管探测器的电路仿真方法

引用

作者：徐跃赵菲菲岳恒 210003 江苏省南京市新模范马路66号

本发明提出了一种单光子雪崩二极管探测器的电路仿真方法，电路仿真模型结构由直流通路SRV和交流网络KAS并联组成；直流网络SRV由三条支路并联得到，每条支路都由一个开关S、一个电阻R和一个直流电压源V串联而成；首先为SPAD建立了一个... 详细信息

标准号: CN103116699A

本发明提出了一种单光子雪崩二极管探测器的电路仿真方法，电路仿真模型结构由直流通路SRV和交流网络KAS并联组成；直流网络SRV由三条支路并联得到，每条支路都由一个开关S、一个电阻R和一个直流电压源V串联而成；首先为SPAD建立了一个完整的电路仿真模型，精确的描述了其直流、交流特性以及温度效应，模拟SPAD对单个光子的探测行为。然后该模型用硬件描述语言Verilog-A实现，在通用仿真器如Cadence上进行SPAD的电路仿真。该方法使用一种电路模型精确模拟了探测器对单个光子的探测行为，包括直流特性和交流特性。模型使用模拟硬件描述语言Verilog-A实现，具有很好的通用性，可在通用的电路仿真器上与其他电子电路一起完成器件和电路的混合仿真。

关键词：电路仿真支路交流特性并联光子探测电路仿真方法二极管探测器硬件描述语言电路仿真器直流电压源电路模型电子电路光子雪崩混合仿真交流网络精确模拟模拟硬件模型结构温度效应直流特性直流通路直流网络仿真器探测器电阻串联电路语言

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一种新型的MOSFET NQS模型及电路仿真方法

一种新型的MOSFET NQS模型及电路仿真方法

引用

作者：尚也淳程明厚吴大可 100102 北京市朝阳区利泽中二路2号A座二层

本发明提供了一种新的基于电荷弛豫时间近似的MOSFET NQS模型及电路仿真方法。这种模型通过当前时刻器件电荷的计算平衡值，上一时刻电荷的实际值，以及弛豫时间因子，直接对当前时刻的节点电荷进行求解，其仿真结果和Bsim3 NQS模型完... 详细信息

标准号: CN102592006A

本发明提供了一种新的基于电荷弛豫时间近似的MOSFET NQS模型及电路仿真方法。这种模型通过当前时刻器件电荷的计算平衡值，上一时刻电荷的实际值，以及弛豫时间因子，直接对当前时刻的节点电荷进行求解，其仿真结果和Bsim3 NQS模型完全一致。另外，这种NQS模型考虑了MOSFET所有端本征电荷的作用。和Bsim3 NQS模型相比，这种模型减少了电路仿真所消耗的内存，节约了仿真时间，它使得高频电路的瞬态分析更加精确。这种模型不仅能对强反型的器件进行瞬态仿真，而且还可对处于亚阈区MOSFET的衬底电流和栅电流进行准确分析。